控制器基本参数
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  • 上海
  • 品牌
  • 中和
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  • 常规
  • 是否定制
控制器企业商机

应变式压力传感器应变式压力传感器是一种通过测量各种弹性元件的应变来间接测量压力的传感器。根据制作材料的不同,应变元件可以分为金属和半导体两大类。应变元件的工作原理基于导体和半导体的“应变效应”,即当导体和半导体材料发生机械变形时,其电阻值将发生变化。当金属丝受外力作用时,其长度和截面积都会发生变化,其电阻值即会发生改变,假如金属丝受外力作用而伸长时,其长度增加,而截面积减少,电阻值便会增大。当金属丝受外力作用而压缩时,长度减小而截面增加,电阻值则会减小。只要测出加在电阻两端的电压的变化,即可获得应变金属丝的应变情况。温度控制器哪家好?推荐咨询:上海中和自动化仪表有限公司!广西防爆温度控制器

控制器

陶瓷压力控制器原理及应用抗腐蚀的陶瓷压力传感器没有液体的传递,压力直接作用在陶瓷膜片的前表面,使膜片产生微小的形变,厚膜电阻印刷在陶瓷膜片的背面,连接成一个惠斯通电桥(闭桥),由于压敏电阻的压阻效应,使电桥产生一个与压力成正比的高度线性、与激励电压也成正比的电压信号,标准的信号根据压力量程的不同标定为2.0/3.0/3.3mV/V等,可以和应变式传感器相兼容。通过激光标定,传感器具有很高的温度稳定性和时间稳定性,传感器自带温度补偿0~70℃,并可以和绝大多数介质直接接触。陶瓷是一种公认的高弹性、抗腐蚀、抗磨损、抗冲击和振动的材料。陶瓷的热稳定特性及它的厚膜电阻可以使它的工作温度范围高达-40~135℃,而且具有测量的高精度、高稳定性。电气绝缘程度>2kV,输出信号强,长期稳定性好。高特性,低价格的陶瓷传感器将是压力传感器的发展方向,在欧美国家有***替代其它类型传感器的趋势,在中国也越来越多的用户使用陶瓷传感器替代扩散硅压力传感器。广东控制器价格比较在制冷系统中会用到很多压力控制器,并由触点的通断对压力进行控制。

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扩散硅压力传感器原理及应用工作原理被测介质的压力直接作用于控制器的膜片上(不锈钢或陶瓷),使膜片产生与介质压力成正比的微位移,使传感器的电阻值发生变化,和用电子线路检测这一变化,并转换输出一个对应于这一压力的标准测量信号。  表压压力传感器和变送器由双膜片构成:钛合金测量膜片和钛合金接收膜片。印刷有异质外延性应变灵敏电桥电路的蓝宝石薄片,被焊接在钛合金测量膜片上。被测压力传送到接收膜片上(接收膜片与测量膜片之间用拉杆坚固的连接在一起)。在压力的作用下,钛合金接收膜片产生形变,该形变被硅-蓝宝石敏感元件感知后,其电桥输出会发生变化,变化的幅度与被测压力成正比。

压力控制器D500/18D

本控制器选用膜片式传感器,可用于空气、气体等中性气体和水,液压油、轻燃油、润滑油及其他对压力传感器材料无腐蚀效果的液体介质。控制器的设定值可调,调理范围-0.1~1.6MPa。

首要技术指标

作业粘度:<1╳10-3m2/s

外壳防护等级:IP65(DIN40050)

环境温度:-25~55℃

介质温度:-25~80℃

接口方向:压力接口笔直向下

抗振性能:Max:150m/s2

重复性差错:≤1.5%

触点容量DC250V0.2A(阻性)1250VAmax

AC

250V3A(阻性) 雨淋系统和防火分隔水幕,其水流报警装置宜采用压力开关。

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在制冷系统中会用到很多压力控制器,并由触点的通断对压力进行控制。主要有高压压力控制器、低压压力控制器、高低压压力控制器、压差控制器及油压保护压力控制器。压力控制器的动作原理基本上是一样的,由压力检测机构检测,通过执行机构完成控制。波纹管受压后产生伸缩变形,带动摆杆动作,再通过摆杆拨动触点通、断,实现对压力的控制。在压力控制器上常会看到DIFF和RANGE两个参数,RANGE就是压力的量程范围,DIFF就是pressuredifference,指的是切换差,也就是死区,是一个切换区域。每个压力开关都有这个参数,根据不同的要求控制器的切换差有可调和不可调的。可调称可调节设定点,否则就是不可调设定点。控制器收购价格哪家好?推荐咨询:上海中和自动化仪表有限公司!河南二位式压力控制器价格

压力传感控制器是工业实践中广泛应用于各种工业自控环境的一种传感器,。广西防爆温度控制器

霍尔压力传感器是基于某些半导体材料的霍尔效应制成的。霍尔效应是指当固体导体放置在一个磁场内,且有电流通过时,导体内的电荷载子受到洛伦兹力而偏向一边,继而产生电压(霍尔电压)的现象。电压所引致的电场力会平衡洛伦兹力。通过霍尔电压的极性,可证实导体内部的电流是由带有负电荷的粒子(自由电子)之运动所造成。在导体上外加与电流方向垂直的磁场,会使得导线中的电子受到洛伦兹力而聚集,从而在电子聚集的方向上产生一个电场,此电场将会使后来的电子受到电力作用而平衡掉磁场造成的洛伦兹力,使得后来的电子能顺利通过不会偏移,此称为霍尔效应。而产生的内建电压称为霍尔电压。当磁场为一交变磁场时,霍尔电动势也为同频率的交变电动势,建立霍尔电动势的时间极短,故其响应频率高。理想霍尔元件的材料要求要有较高的电阻率及载流子迁移率,以便获得较大的霍尔电动势。常用霍尔元件的材料大都是半导体,包括N型硅(Si)、锑化铟(InSb)、砷化铟InAs)、锗(Ge)、砷化镓GaAs)及多层半导体质结构材料,N型硅的霍尔系数、温度稳定性和线性度均较好,砷化镓温漂小,目前应用。广西防爆温度控制器

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