压阻压力传感器是指利用单晶硅材料的压阻效应和集成电路技术制成的传感器。单晶硅材料在受到力的作用后，电阻率发生变化，通过测量电路就可得到正比于力变化的电信号输出。它又称为扩散硅压阻压力传感器，它不同于粘贴式应变计需通过弹性敏感元件间接感受外力，而是直接通过硅膜片感受被测压力的。压阻压力传感器主要基于压阻效应（Piezoresistiveeffect）。压阻效应是用来描述材料在受到机械式应力下所产生的电阻变化。不同于压电效应，压阻效应只产生阻抗变化，并不会产生电荷。 控制器价格比较哪家好？推荐咨询：上海中和自动化仪表有限公司！广东双触点压力控制器厂商
压力控制器是工业实践中较为常用的一种传感器，金属电阻应变片的内部结构电阻应变片由基体材料、金属应变丝或应变箔、绝缘保护片和引出线等部分组成。根据不同的用途，电阻应变片的阻值可以由设计者设计，但电阻的取值范围应注意：阻值太小，所需的驱动电流太大，同时应变片的发热致使本身的温度过高，不同的环境中使用，使应变片的阻值变化太大，输出零点漂移明显，调零电路过于复杂。而电阻太大，阻抗太高，抗外界的电磁干扰能力较差。一般均为几十欧至几十千欧左右。湖北温度控制器零售价防爆压力开关，防爆压力控制器，差压开关，防爆差压控制器。
电容式压力传感器是一种利用电容作为敏感元件，将被测压力转换成电容值改变的压力传感器。这种压力传感器一般采用圆形金属薄膜或镀金属薄膜作为电容器的一个电极，当薄膜感受压力而变形时，薄膜与固定电极之间形成的电容量发生变化，通过测量电路即可输出与电压成一定关系的电信号。电容式压力传感器属于极距变化型电容式传感器，可分为单电容式压力传感器和差动电容式压力传感器。差动电容式压力传感器的受压膜片电极位于两个固定电极之间，构成两个电容器。在压力的作用下一个电容器的容量增大而另一个则相应减小，测量结果由差动式电路输出。它的固定电极是在凹曲的玻璃表面上镀金属层而制成。过载时膜片受到凹面的保护而不致破裂。差动电容式压力传感器比单电容式的灵敏度高、线性度好，但加工较困难（特别是难以保证对称性），而且不能实现对被测气体或液体的隔离，因此不宜于工作在有腐蚀性或杂质的流体中。
CPK－100N差压操控器膜片式传感器用于腐蚀性气体、液体介质。设定值调理规模：0～60KPa.工作压力规模：0～250kPa.CPK-100差压操控器选用膜片式的传感器，可用于腐蚀性气体和液体介质，操控器的设定值可调，调理规模0～60kPa，工作压力规模：0～250kPa。CPK-100N差压操控器的特点是耐振、耐冲击、可靠性好。
1、选用操控器，比较好使预订的设定值坐落操控器设定值调理规模的中间部分，一般为调理规模20～80％。
2、操控器若要安装在室外时，应给予满足的防护，以免环境温度的剧烈变化，阳光直接辐射，腐蚀性气体或水的渗入。
3、对于有压力峰值及脉冲压力的受操控液体介质，可在操控器接口上安装一个压力冲击阻尼器，以消除不利影响。
4、通断电流不能大于额定值。
5、翻开前盖，将操控器笔直安装在仪表板上，严禁用手拨动或用东西磕碰操控器中的零部件，以防改变性能。
6、管道接头旋入传感器内深度不行超越12mm。
控制点可以自由设定，迟滞小，抗震动，响应快。
EXD504/7D防爆压力控制器，防爆标志ExedⅡCT4～T5
控制器采用无泄漏活塞式的传感器用于非腐蚀性气体、液体介质，设定值调节规模0.3~40Mpa。
主要技术指标
可用于腐蚀性介质，也空气、气体、水、液压油、润滑油、轻燃油等。
作业粘度：<1╳10-3m2/s
防爆等级：ExedIICT4～T6
外壳防护等级：IP54（DIN40050）
环境温度：-5～40℃
介质温度：0～90℃
接口方向：压力接口垂直向下
抗振性能：Max：20m/s2
重复性误差：≤1.5%
触点容量DC250V0.25A（阻性）60Wmax
DC250V5A（阻性）1250VAmax
AC250V5A（阻性）1250Wmax
控制点可以自由设定，迟滞小，抗震动，响应快，稳定可靠。广东双触点压力控制器厂商
还有另一个原因是压力传感控制器还要承受来自液压泵不间断的压力脉动。广东双触点压力控制器厂商
霍尔压力传感器是基于某些半导体材料的霍尔效应制成的。霍尔效应是指当固体导体放置在一个磁场内，且有电流通过时，导体内的电荷载子受到洛伦兹力而偏向一边，继而产生电压（霍尔电压）的现象。电压所引致的电场力会平衡洛伦兹力。通过霍尔电压的极性，可证实导体内部的电流是由带有负电荷的粒子（自由电子）之运动所造成。在导体上外加与电流方向垂直的磁场，会使得导线中的电子受到洛伦兹力而聚集，从而在电子聚集的方向上产生一个电场，此电场将会使后来的电子受到电力作用而平衡掉磁场造成的洛伦兹力，使得后来的电子能顺利通过不会偏移，此称为霍尔效应。而产生的内建电压称为霍尔电压。当磁场为一交变磁场时，霍尔电动势也为同频率的交变电动势，建立霍尔电动势的时间极短，故其响应频率高。理想霍尔元件的材料要求要有较高的电阻率及载流子迁移率，以便获得较大的霍尔电动势。常用霍尔元件的材料大都是半导体，包括N型硅(Si)、锑化铟(InSb)、砷化铟InAs)、锗(Ge)、砷化镓GaAs)及多层半导体质结构材料，N型硅的霍尔系数、温度稳定性和线性度均较好，砷化镓温漂小，目前应用。广东双触点压力控制器厂商
