测量有机发光显示器有机发光显示器(OLEDs)有机发光显示器正迅速从实验室转向大规模生产。明亮，超薄，动态的特性使它们成为从手机到电视显示屏的手选。组成显示屏的多层薄膜的精密测量非常重要，但不能用传统接触型的轮廓仪，因为它会破坏显示屏表面。我们的F20-UV，F40-UV，和F10-RT-UV将提供廉价，可靠，非侵入测量原型装置和全像素化显示屏。我们的光谱仪还可以测量大气敏感材料的化学变化。测量透明导电氧化膜不论是铟锡氧化物，氧化锌，还是聚合物（3,4-乙烯基），我们独有的ITO光学模型，加上可见/近红外仪器，可以测得厚度和光学常数，费用和操作难度瑾是光谱椭偏仪的一小部分。当测量斑点只有1微米（µm）时，需要用您自己的显微镜或者用我们提供的整个系统。Filmetrics F60膜厚仪美元价
非晶态多晶硅硅元素以非晶和晶体两种形式存在,在两级之间是部分结晶硅。部分结晶硅又被叫做多晶硅。非晶硅和多晶硅的光学常数(n和k)对不同沉积条件是独特的，必须有精确的厚度测量。测量厚度时还必须考虑粗糙度和硅薄膜结晶可能的风化。Filmetrics设备提供的复杂的测量程序同时测量和输出每个要求的硅薄膜参数，并且“一键”出结果。测量范例多晶硅被广范用于以硅为基础的电子设备中。这些设备的效率取决于薄膜的光学和结构特性。随着沉积和退火条件的改变，这些特性随之改变，所以准确地测量这些参数非常重要。监控晶圆硅基底和多晶硅之间，加入二氧化硅层，以增加光学对比，其薄膜厚度和光学特性均可测得。F20可以很容易地测量多晶硅薄膜的厚度和光学常数，以及二氧化硅夹层厚度。Bruggeman光学模型被用来测量多晶硅薄膜光学特性。官方授权膜厚仪科研应用F50-s980测厚范围：4µm-1mm；波长：960-1000nm。
F20系列是世界上蕞**的台式薄膜厚度测量系统，只需按下一个按钮，不到一秒钟即可同时测量厚度和折射率。设置也非常简单,只需把设备连接到您运行Windows™系统的计算机USB端口,并连接样品平台就可以了。F20系列不同型号的选择，主要取决于您需要测量的薄膜厚度（确定所需的波长范围）。型号厚度范围*波长范围F2015nm-70µm380-1050nmF20-EXR15nm-250µm380-1700nmF20-NIR100nm-250µm950-1700nmF20-UV1nm-40µm190-1100nmF20-UVX1nm-250µm190-1700nmF20-XTµm-450µm1440-1690nm*取决于薄膜种类Filmetrics膜厚测试仪通过分析薄膜的反射光谱来测量薄膜的厚度，通过非可见光的测量，可以测量薄至1nm或厚至13mm的薄膜。测量结果可在几秒钟显示：薄膜厚度、颜色、折射率甚至是表面粗糙度。1.有五种不同波长选择(波长范围从紫外220nm至近红外1700nm)2.蕞大样品薄膜厚度的测量范围是：3nm～25um3.精度高于、氧化物、氮化物；、Polyimides；3.光电镀膜应用:硬化膜、抗反射膜、滤波片。1.光源有寿命，不用时请关闭2.光纤易损，不要弯折，不要频繁插拔3.精密仪器。
FSM413MOT红外干涉测量设备：适用于所有可让红外线通过的材料：硅、蓝宝石、砷化镓、磷化铟、碳化硅、玻璃、石英、聚合物…………应用:衬底厚度(不受图案硅片、有胶带、凹凸或者粘合硅片影响)平整度厚度变化(TTV)沟槽深度过孔尺寸、深度、侧壁角度粗糙度薄膜厚度不同半导体材料的厚度环氧树脂厚度衬底翘曲度晶圆凸点高度(bumpheight)MEMS薄膜测量TSV深度、侧壁角度...如果您想了解更多关于FSM膜厚仪的技术问题，请联系我们岱美仪器。所有的 Filmetrics 型号都能通过精确的光谱反射建模来测量厚度 (和折射率)。
技术介绍：红外干涉测量技术,非接触式测量。采用Michaelson干涉方法，红外波段的激光能更好的穿透被测物体，准确的得到测试结果。产品简介：FSM413EC红外干涉测量设备适用于所有可让红外线通过的材料：硅、蓝宝石、砷化镓、磷化铟、碳化硅、玻璃、石英、聚合物…………应用:衬底厚度(不受图案硅片、有胶带、凹凸或者粘合硅片影响)平整度沟槽深度过孔尺寸、深度、侧壁角度粗糙度薄膜厚度硅片厚度环氧树脂厚度衬底翘曲度晶圆凸点高度(bumpheight)MEMS薄膜测量TSV深度、侧壁角度...膜厚仪在材料科学、化学工程、电子工程等领域中广泛应用，用于质量控制、研发和生产过程中的膜厚测量。Filmetrics F60膜厚仪美元价
基本上所有光滑的、半透明的或低吸收系数的薄膜都可以测量。Filmetrics F60膜厚仪美元价
集成电路故障分析故障分析(FA)技术用来寻找并确定集成电路内的故障原因。故障分析中需要进行薄膜厚度测量的两种主要类型是正面去层(用于传统的面朝上的电路封装)和背面薄化(用于较新的覆晶技术正面朝下的电路封装)。正面去层正面去层的工艺需要了解电介质薄化后剩余电介质的厚度。背面故障分析背面故障分析需要在电路系统成像前移除大部分硅晶粒的厚度，并了解在每个薄化步骤后剩余的硅厚度是相当关键的。FilmetricsF3-sX是为了测量在不同的背面薄化过程的硅层厚度而专门设计的系统。厚度从5微米到1000微米能够很容易的测量，另外可选配模组来延伸蕞小测量厚度至0.1微米，同时具有单点和多点测绘的版本可供选择。测量范例現在我們使用我們的F3-s1550系统测量在不同的背面薄化过程的硅层厚度.具备特殊光學設計之F3-S1550利用比直徑更小於10μm的光斑尺寸得以測量拋光以及粗糙或不均勻表面的硅层厚度Filmetrics F60膜厚仪美元价
