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光刻机基本参数
  • 产地
  • 奥地利
  • 品牌
  • EVG
  • 型号
  • EVG610,EVG620NT,EVG®6200NT,IQ Aligner,HERCULES
  • 是否定制
光刻机企业商机

EVG®150--光刻胶自动处理系统

EVG®150是全自动化光刻胶处理系统中提供高吞吐量的性能与在直径承晶片高达300毫米。EVG150设计为完全模块化的平台,可实现自动喷涂/旋转/显影过程和高通量性能。EVG150可确保涂层高度均匀并提高重复性。具有高形貌的晶片可以通过EVG的OmniSpray技术进行均匀涂覆,而传统的旋涂技术则受到限制。EVG®150特征:晶圆尺寸可达300毫米多达六个过程模块可自定义的数量-多达二十个烘烤/冷却/汽化堆多达四个FOUP装载端口或盒式磁带装载 EVG光刻机关注未来市场趋势 - 例如光子学 、光学3D传感- 并为这些应用开发新的方案和调整现有的解决方案。化合物半导体光刻机美元报价

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EVG620NT技术数据:曝光源:汞光源/紫外线LED光源先进的对准功能:手动对准/原位对准验证自动对准动态对准/自动边缘对准对准偏移校正算法EVG620NT产量:全自动:弟一批生产量:每小时180片全自动:吞吐量对准:每小时140片晶圆晶圆直径(基板尺寸):高达150毫米对准方式:上侧对准:≤±0.5µm底侧对准:≤±1,0µm红外校准:≤±2,0µm/具体取决于基材键对准:≤±2,0µmNIL对准:≤±3.0µm曝光设定:真空接触/硬接触/软接触/接近模式/弯曲模式楔形补偿:全自动软件控制曝光选项:间隔曝光/洪水曝光/扇区曝光系统控制:操作系统:Windows文件共享和备份解决方案/无限制程序和参数多语言用户GUI和支持:CN,DE,FR,IT,JP,KR实时远程访问,诊断和故障排除工业自动化功能:盒式磁带/SMIF/FOUP/SECS/GEM/薄,弯曲,翘曲,边缘晶圆处理纳米压印光刻技术:SmartNIL®IQ Aligner光刻机高性价比选择EVG光刻机蕞新的曝光光学增强功能是对LED灯的设置。

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IQAligner®自动化掩模对准系统特色:EVG®IQ定位仪®平台用于自动非接触近距离处理而优化的用于晶片尺寸高达200毫米。技术数据:IQAligner是具有高度自动化程度的非接触式接近光刻平台,可满足将生产线中的掩模污染降至蕞低并增加掩模寿命和产品良率的需求。除了多种对准功能外,该系统还通过专门配置进行了广范的安装和现场验证,可自动处理和处理翘曲或变薄的晶圆。标准的顶侧或底侧对准与集成的IR对准功能之间的混合匹配操作进一步拓宽了应用领域,尤其是在与工程或粘合基板对准时。该系统还通过快速响应的温度控制工具集支持晶片对准跳动控制。

光刻机处理结果:EVG在光刻技术方面的合心竞争力在于其掩模对准系统(EVG6xx和IQAligner系列)以及高度集成的涂层平台(EVG1xx系列)的高吞吐量的接近和接触曝光能力。EVG所有光刻设备平台均为300mm,可完全集成到HERCULES光刻轨道系统中,并辅以其用于从上到下侧对准验证的计量工具。高级封装:在EVG®IQAligner®上结合NanoSpray™曝光的涂层TSV底部开口;在EVG的IQAlignerNT®上进行撞击40μm厚抗蚀剂;负侧壁,带有金属兼容的剥离抗蚀剂涂层;金属垫在结构的中间;用于LIGA结构的高纵横比结构,用EVG®IQAligner®曝光200μm厚的抗蚀剂的结果;西门子星状测试图暴露在EVG®6200NT上,展示了膏分辨率的厚抗蚀剂图形处理能力;MEMS结构在20μm厚的抗蚀剂图形化的结果。HERCULES可以配置成处理弯曲,翘曲,变薄或非SEMI标准形状的晶片和基片。

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我们的研发实力:EVG已经与研究机构合作超过35年,让我们深入了解他们的独特需求。我们专业的研发工具提供zhuo越的技术和ZUI大的灵活性,使大学、研究机构和技术开发合作伙伴能够参与多个研究项目和应用项目。此外,研发设备与EVG的合心技术平台无缝集成,这些平台涵盖从研发到小规模和大批量生产的整个制造链。研发和权面生产系统之间的软件和程序兼容性使研究人员能够将其流程迁移到批量生产环境。以客户的需求为导向,研发才具有价值,也是我们不断前进的动力。EVG已经与研究机构合作超过35年,能够深入了解他们的独特需求。江苏光刻机有哪些品牌

除了光刻机之外,岱美还代理了EVG的键合机等设备。化合物半导体光刻机美元报价

G®105—晶圆烘烤模块设计理念:单机EVG®105烘烤模块是专为软或后曝光烘烤过程而设计。特点:可以在EVG105烘烤模块上执行软烘烤,曝光后烘烤和硬烘烤过程。受控的烘烤环境可确保均匀蒸发。可编程的接近销可提供对光刻胶硬化过程和温度曲线的ZUI佳控制。EVG105烘烤模块可以同时处理300mm的晶圆尺寸或4个100mm的晶圆。特征独力烘烤模块晶片尺寸ZUI大为300毫米,或同时ZUI多四个100毫米晶片温度均匀性≤±1°C@100°C,ZUI高250°C烘烤温度用于手动和安全地装载/卸载晶片的装载销烘烤定时器基材真空(直接接触烘烤)N2吹扫和近程烘烤0-1mm距离晶片至加热板可选不规则形状的基材技术数据晶圆直径(基板尺寸):高达300毫米烤盘:温度范围:≤250°C手动将升降杆调整到所需的接近间隙。化合物半导体光刻机美元报价

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