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键合机基本参数
  • 产地
  • 奥地利
  • 品牌
  • EVG
  • 型号
  • EVG501
  • 是否定制
键合机企业商机

EVG 晶圆键合机上的键合过程支持全系列晶圆键合工艺对于当今和未来的器件制造是至关重要。键合方法的一般分类是有或没有夹层的键合操作。虽然对于无夹层键合(直接键合,材料和表面特征利于键合,但为了与夹层结合,键合材料的沉积和组成决定了键合线的材质。 EVG 键合机软件支持 基于Windows的图形用户界面的设计,注重用户友好性,并可轻松引导操作员完成每个流程步骤。多语言支持,单个用户帐户设置和集成错误记录/报告和恢复,可以简化用户的日常操作。所有EVG系统都可以远程通信。因此,我们的服务包括通过安全连接,电话或电子邮件,对包括经过现场验证的,实时远程诊断和排除故障。EVG经验丰富的工艺工程师随时准备为您提供支持,这得益于我们分布于全球的支持结构,包括三大洲的洁净室空间:欧洲 (HQ), 亚洲 (日本) 和北美 (美国).EVG键合机选择上海岱美仪器。EVG540键合机优惠价格

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用晶圆级封装制造的组件被guangfan用于手机等消费电子产品中。这主要是由于市场对更小,更轻的电子设备的需求,这些电子设备可以以越来越复杂的方式使用。例如,除了简单的通话外,许多手机还具有多种功能,例如拍照或录制视频。晶圆级封装也已用于多种其他应用中。例如,它们用于汽车轮胎压力监测系统,可植入医疗设备,军SHI数据传输系统等。晶圆级封装还可以减小封装尺寸,从而节省材料并进一步降低生产成本。然而,更重要的是,减小的封装尺寸允许组件用于更guangfan的高级产品中。晶圆级封装的主要市场驱动因素之一是需要更小的组件尺寸,尤其是减小封装高度。 优惠价格键合机微流控应用EVG 晶圆键合机上的键合过程是怎么样的呢?

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BONDSCALE与EVG的行业基准GEMINIFBXT自动熔融系统一起出售,每个平台针对不同的应用。虽然BONDSCALE将主要专注于工程化的基板键合和层转移处理,但GEMINIFBXT将支持要求更高对准精度的应用,例如存储器堆叠,3D片上系统(SoC),背面照明的CMOS图像传感器堆叠以及管芯分区。特征:在单个平台上的200mm和300mm基板上的全自动熔融/分子晶圆键合应用通过等离子活化的直接晶圆键合,可实现不同材料,高质量工程衬底以及薄硅层转移应用的异质集成支持逻辑缩放,3D集成(例如M3),3DVLSI(包括背面电源分配),N&P堆栈,内存逻辑,集群功能堆栈以及超越CMOS的采用的层转移工艺和工程衬底BONDSCALE™自动化生产熔融系统的技术数据晶圆直径(基板尺寸):200、300毫米ZUI高数量或过程模块8通量每小时ZUI多40个晶圆处理系统4个装载口特征:多达八个预处理模块,例如清洁模块,LowTemp™等离子活化模块,对准验证模块和解键合模块XT框架概念通过EFEM(设备前端模块)实现ZUI高吞吐量光学边缘对准模块:Xmax/Ymax=18µm3σ 

ZiptronixInc.与EVGroup(简称“EVG”)近日宣布已成功地在客户提供的300毫米DRAM晶圆实现亚微米键合后对准精度。方法是在EVGGeminiFB产品融合键合机和SmartViewNT键合对准机上采用Ziptronix的DBI混合键合技术。这种方法可用于制造各种应用的微间距3D集成电路,包括堆栈存储器、上等图像传感器和堆栈式系统芯片(SoC)。Ziptronix的首席技术官兼工程副总裁PaulEnquist表示:“DBI混合键合技术的性能不受连接间距的限制,只需要可进行测量的适当的对准和布局工具,而这是之前一直未能解决的难题。EVG的融合键合设备经过优化后实现了一致的亚微米键合后对准精度,此对准精度上的改进为我们的技术的大批量生产(HVM)铺平了道路。” 晶圆键合系统EVG501是适用于学术界和工业研究的多功能手动晶圆键合设备。

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EVG®301特征使用1MHz的超音速喷嘴或区域传感器(可选)进行高/效清洁单面清洁刷(选件)用于晶圆清洗的稀释化学品防止从背面到正面的交叉污染完全由软件控制的清洁过程选件带有红外检查的预键合台非SEMI标准基材的工具技术数据晶圆直径(基板尺寸):200和100-300毫米清洁系统开室,旋转器和清洁臂腔室:由PP或PFA制成(可选)清洁介质:去离子水(标准),其他清洁介质(可选)旋转卡盘:真空卡盘(标准)和边缘处理卡盘(选件),由不含金属离子的清洁材料制成旋转:蕞高3000rpm(5秒内)超音速喷嘴频率:1MHz(3MHz选件)输出功率:30-60W去离子水流量:蕞高1.5升/分钟有效清洁区域:Ø 4.0mm材质:聚四氟乙烯EVG键合机可以使用适合每个通用键合室的砖用卡盘来处理各种尺寸晶圆和键合工艺。甘肃SmartView NT键合机

晶圆级涂层、封装,工程衬底zhi造,晶圆级3D集成和晶圆减薄等用于制造工程衬底,如SOI(绝缘体上硅)。EVG540键合机优惠价格

EVG®850键合机EVG®850键合机特征生产系统可在高通量,高产量环境中运行自动盒带间或FOUP到FOUP操作无污染的背面处理超音速和/或刷子清洁机械平整或缺口对准的预键合先进的远程诊断技术数据晶圆直径(基板尺寸)100-200、150-300毫米全自动盒带到盒带操作预键合室对准类型:平面到平面或凹口到凹口对准精度:X和Y:±50µm,θ:±°结合力:ZUI高5N键合波起始位置:从晶圆边缘到中心灵活真空系统:9x10-2mbar(标准)和9x10-3mbar(涡轮泵选件)清洁站清洁方式:冲洗(标准),超音速喷嘴,超音速面积传感器,喷嘴,刷子(可选)腔室:由PP或PFA制成(可选)清洁介质:去离子水(标准),NH4OH和H2O2(ZUI大)。2%浓度(可选)旋转卡盘:真空卡盘(标准)和边缘处理卡盘(选件),由不含金属离子的清洁材料制成旋转:ZUI高3000rpm。 EVG540键合机优惠价格

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