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键合机基本参数
  • 产地
  • 奥地利
  • 品牌
  • EVG
  • 型号
  • EVG501
  • 是否定制
键合机企业商机

该技术用于封装敏感的电子组件,以保护它们免受损坏,污染,湿气和氧化或其他不良化学反应。阳极键合尤其与微机电系统(MEMS)行业相关联,在该行业中,阳极键合用于保护诸如微传感器的设备。阳极键合的主要优点是,它可以产生牢固而持久的键合,而无需粘合剂或过高的温度,而这是将组件融合在一起所需要的。阳极键合的主要缺点是可以键合的材料范围有限,并且材料组合还存在其他限制,因为它们需要具有类似的热膨胀率系数-也就是说,它们在加热时需要以相似的速率膨胀,否则差异膨胀可能会导致应变和翘曲。而EVG的键合机所提供的技术能够比较有效地解决阳极键合的问题,如果需要了解,请点击:键合机。 EVG键合机软件,支持多语言,集成错误记录/报告和恢复和单个用户帐户设置,可以简化用户常规操作。SOI键合机服务为先

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键合卡盘承载来自对准器对准的晶圆堆叠,以执行随后的键合过程。可以使用适合每个通用键合室的砖用卡盘来处理各种尺寸的晶圆和键合应用。EVG®501/EVG®510/EVG®520IS是用于研发的键合机。晶圆键合类型■阳极键合■黏合剂键合■共熔键合■瞬间液相键合■热压键合EVG键合机特征■基底高达200mm■压力高达100kN■温度高达550°C■真空气压低至1·10-6mbar■可选:阳极,UV固化,650℃加热器EVG键合机加工服务EVG设备的晶圆加工服务包含如下:■等离子活化直接键合■ComBond®-硅和化合物半导体的导电键合■高真空对准键合■临时键合和热、机械或者激光剖离■混合键合■黏合剂键合■集体D2W键合。 SOI键合机服务为先EVG所有键合机系统可以通过远程进行通信。

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GEMINI®FB特征:新的SmartView®NT3面-面结合对准具有亚50纳米晶片到晶片的对准精度多达六个预处理模块,例如:清洁模块LowTemp™等离子基活模块对准验证模块解键合模块XT框架概念通过EFEM(设备前端模块)实现ZUI高吞吐量可选功能:解键合模块热压键合模块技术数据晶圆直径(基板尺寸)200、300毫米蕞高处理模块数:6+的SmartView®NT可选功能:解键合模块热压键合模块EVG的GEMINIFBXT集成熔融键合系统,扩展了现有标准,并拥有更高的生产率,更高的对准和涂敷精度,适用于诸如存储器堆叠,3D片上系统(SoC),背面照明的CMOS图像传感器堆叠和芯片分割等应用。该系统采用了新的SmartViewNT3键合对准器,该键合对准器是专门为<50nm的熔融和混合晶片键合对准要求而开发的。 

临时键合系统:临时键合是为薄晶圆或超薄晶圆提供机械支撑的必不可少的过程,这对于3DIC,功率器件和FoWLP晶圆以及处理易碎基板(例如化合物半导体)非常重要。借助于中间临时键合粘合剂将器件晶片键合到载体晶片上,从而可以通过附加的机械支撑来处理通常易碎的器件晶片。在关键工艺之后,将晶片堆叠剥离。EVG出色的键合技术在其临时键合设备中得到充分体现,该设备自2001年以来一直由该公司提供。包含型号:EVG805解键合系统;EVG820涂敷系统;EVG850TB临时键合系统;EVG850DB自动解键合系统。 旋涂模块-适用于GEMINI和GEMINI FB用于在晶圆键合之前施加粘合剂层。

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1)由既定拉力测试高低温循环测试结果可以看出,该键合工艺在满足实际应用所需键合强度的同时,解决了键合对硅晶圆表面平整度和洁净度要求极高、对环境要求苛刻的问题。2)由高低温循环测试结果可以看出,该键合工艺可以适应复杂的实际应用环境,且具有工艺温度低,容易实现图形化,应力匹配度高等优点。3)由破坏性试验结果可以看出,该键合工艺在图形边沿的键合率并不高,键合效果不太理想,还需对工艺流程进一步优化,对工艺参数进行改进,以期达到更高的键合强度与键合率。 EVG键合机跟应用相对应,键合方法一般分类页是有或没有夹层的键合操作。SOI键合机服务为先

EVG的EVG®501 / EVG®510 / EVG®520 IS这几个型号用于研发的键合机。SOI键合机服务为先

EVG®850LT的LowTemp™等离子计获模块 2种标准工艺气体:N2和O2以及2种其他工艺气体:高纯度气体(99.999%),稀有气体(Ar,He,Ne等)和形成气体(N2,Ar含量蕞/高为4%的气体)2) 通用质量流量控制器:蕞多可对4种工艺气体进行自校准,可对配方进行编程,流速蕞/高可达到20.000sccm 真空系统:9x10-2mbar(标准)和9x10-3mbar(涡轮泵选件),高频RF发生器和匹配单元 清洁站 清洁方式:冲洗(标准),超音速喷嘴,超音速面积传感器,喷嘴,刷子(可选) 腔室:由PP或PFA制成 清洁介质:去离子水(标准),NH4OH和H2O2(蕞/大)。2%浓度(可选) 旋转卡盘:真空卡盘(标准)和边缘处理卡盘(选件),由不含金属离子的清洁材料制成 旋转:蕞/高3000rpm(5s) 清洁臂:蕞多5条介质线(1个超音速系统使用2条线) 可选功能 ISO3mini-environment(根据ISO14644) LowTemp™等离子活化室 红外检查站。SOI键合机服务为先

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