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键合机基本参数
  • 产地
  • 奥地利
  • 品牌
  • EVG
  • 型号
  • EVG501
  • 是否定制
键合机企业商机

EVG®810LT技术数据晶圆直径(基板尺寸)50-200、100-300毫米LowTemp™等离子活化室工艺气体:2种标准工艺气体(N2和O2)通用质量流量控制器:自校准(高达20.000sccm)真空系统:9x10-2mbar腔室的打开/关闭:自动化腔室的加载/卸载:手动(将晶圆/基板放置在加载销上)可选功能:卡盘适用于不同的晶圆尺寸无金属离子活化混合气体的其他工艺气体带有涡轮泵的高真空系统:9x10-3mbar基本压力符合LowTemp™等离子活化粘结的材料系统Si:Si/Si,Si/Si(热氧化,Si(热氧化)/Si(热氧化)TEOS/TEOS(热氧化)绝缘体锗(GeOI)的Si/GeSi/Si3N4玻璃(无碱浮法):硅/玻璃,玻璃/玻璃化合物半导体:GaAs,GaP,InP聚合物:PMMA,环烯烃聚合物用户可以使用上述和其他材料的“ZUI佳已知方法”配方(可根据要求提供完整列表)EVG的GEMINI系列是自动化生产晶圆键合系统。EVG320键合机质量怎么样

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EVG 晶圆键合机上的键合过程支持全系列晶圆键合工艺对于当今和未来的器件制造是至关重要。键合方法的一般分类是有或没有夹层的键合操作。虽然对于无夹层键合(直接键合,材料和表面特征利于键合,但为了与夹层结合,键合材料的沉积和组成决定了键合线的材质。 EVG 键合机软件支持 基于Windows的图形用户界面的设计,注重用户友好性,并可轻松引导操作员完成每个流程步骤。多语言支持,单个用户帐户设置和集成错误记录/报告和恢复,可以简化用户的日常操作。所有EVG系统都可以远程通信。因此,我们的服务包括通过安全连接,电话或电子邮件,对包括经过现场验证的,实时远程诊断和排除故障。EVG经验丰富的工艺工程师随时准备为您提供支持,这得益于我们分布于全球的支持结构,包括三大洲的洁净室空间:欧洲 (HQ), 亚洲 (日本) 和北美 (美国).西藏键合机代理价格EVG键合机顶部和底部晶片的独li温度控制补偿了不同的热膨胀系数,实现无应力键合和出色的温度均匀性。

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EVG®850SOI的自动化生产键合系统 自动化生产键合系统,适用于多种熔融/分子晶圆键合应用 特色 技术数据 SOI晶片是微电子行业有望生产出更快,性能更高的微电子设备的有希望的新基础材料。晶圆键合技术是SOI晶圆制造工艺的一项关键技术,可在绝缘基板上实现高质量的单晶硅膜。借助EVG850 SOI生产键合系统,SOI键合的所有基本步骤-从清洁和对准到预键合和红外检查-都结合了起来。因此,EVG850确保了高达300mm尺寸的无空隙SOI晶片的高产量生产工艺。EVG850是wei一在高通量,高产量环境下运行的生产系统,已被确立为SOI晶圆市场的行业标准。

焊使用工具将导线施加到微芯片上时对其产生压力。将导线牢固地固定到位后,将超声波能量施加到表面上,并在多个区域中建立牢固的结合。楔形键合所需的时间几乎是类似球形键合所需时间的两倍,但它也被认为是更稳定的连接,并且可以用铝或其他几种合金和金属来完成。不建议业余爱好者在未获得适当指导的情况下尝试进行球焊或楔焊,因为焊线的敏感性和损坏电路的风险。已开发的技术使这两个过程都可以完全自动化,并且几乎不再需要手工完成引线键合。蕞终结果是实现了更加精确的连接,这种连接往往比传统的手工引线键合方法产生的连接要持久。 EVG键合机可配置为黏合剂、阳极、直接/熔融、玻璃料、焊料(包括共晶和瞬态液相)和金属扩散、热压缩工艺。

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EVG501是一种高度灵活的晶圆键合系统,可处理从单芯片到150 mm(200 mm键合室的情况下为200 mm)的基片。该工具支持所有常见的晶圆键合工艺,如阳极,玻璃料,焊料,共晶,瞬态液相和直接键合。易于操作的键合室和工具设计,让用户能快速,轻松地重新装配不同的晶圆尺寸和工艺,转换时间小于5分钟。这种多功能性非常适合大学,研发机构或小批量生产。键合室的基本设计在EVG的HVM(量产)工具上是相同的,例如GEMINI,键合程序很容易转移,这样可以轻松扩大生产量。 EVG键合机晶圆键合类型有:阳极键合、瞬间液相键合、共熔键合、黏合剂键合、热压键合。EV Group键合机联系电话

EVG的服务:高真空对准键合、集体D2W键合、临时键合和热、混合键合、机械或者激光剖离、黏合剂键合。EVG320键合机质量怎么样

EVG®810LT LowTemp™等离子基活系统 适用于SOI,MEMS,化合物半导体和先进基板键合的低温等离子体活化系统 特色 技术数据 EVG810LTLowTemp™等离子活化系统是具有手动操作的单腔独力单元。处理室允许进行异位处理(晶圆被一一基活并结合在等离子体基活室外部)。 特征 表面等离子体活化,用于低温粘结(熔融/分子和中间层粘结) 晶圆键合机制中蕞快的动力学,无需湿工艺 低温退火(蕞/高400°C)下的蕞/高粘结强度 适用于SOI,MEMS,化合物半导体和gao级基板键合 高度的材料兼容性(包括CMOS)EVG320键合机质量怎么样

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