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纳米压印基本参数
  • 产地
  • 奥地利
  • 品牌
  • EVG
  • 型号
  • EVG610,EVG620 NT,EVG6200 NT,EVG720,EVG7200,EVG7200
  • 是否定制
纳米压印企业商机

EVG®7200LA大面积SmartNIL®UV纳米压印光刻系统用于大面积无人能比的共形纳米压印光刻。EVG7200大面积UV纳米压印系统使用EVG专有且经过量证明的SmartNIL技术,将纳米压印光刻(NIL)缩放为第三代(550mmx650mm)面板尺寸的基板。对于不能减小尺寸的显示器,线栅偏振器,生物技术和光子元件等应用,至关重要的是通过增加图案面积来提高基板利用率。NIL已被证明是能够在大面积上制造纳米图案的蕞经济有效的方法,因为它不受光学系统的限制,并且可以为蕞小的结构提供蕞佳的图案保真度。SmartNIL利用非常强大且可控的加工工艺,提供了低至40nm*的出色保形压印结果。凭借独特且经过验证的设备功能(包括无人能比的易用性)以及高水平的工艺专业知识,EVG通过将纳米压印提升到一个新的水平来满足行业需求。*分辨率取决于过程和模板EVG的纳米压印光刻(NIL)-SmartNIL®是用于大批量生产的大面积软UV纳米压印光刻工艺。EVG纳米压印推荐厂家

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SmartNIL技术简介SmartNIL是基于紫外线曝光的全域型压印技术,可提供功能强大的下一代光刻技术,几乎具有无限的结构尺寸和几何形状功能。由于SmartNIL集成了多次使用的软标记处理功能,因此还可以实现无人能比的吞吐量,并具有显着的拥有成本的优势,同时保留了可扩展性和易于维护的操作功能。另外,主模板的寿命延长到与用于光刻的掩模相当的时间。岱美作为EVG在中国区的代理商,欢迎各位联系我们,探讨纳米压印光刻的相关知识。岱美愿意与您共同进步。奥地利纳米压印学校会用吗EVG紫外光纳米压印系统还有:EVG®7200LA,HERCULES®NIL,EVG®770,IQAligner®等。

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EVG®610紫外线纳米压印光刻系统具有紫外线纳米压印功能的通用研发掩膜对准系统,从碎片到ZUI大150毫米。该工具支持多种标准光刻工艺,例如真空,软,硬和接近曝光模式,并且可以选择背面对准。此外,该系统还为多功能配置提供了附加功能,包括键对准和纳米压印光刻(NIL)。EVG610提供快速的处理和重新安装工具,以改变用户需求,光刻和NIL之间的转换时间瑾为几分钟。其先进的多用户概念可以适应从初学者到**级别的所有需求,因此使其成为大学和研发应用程序的理想选择。

关于WaveOpticsWaveOptics是衍射波导的全球lingxian设计商和制造商,衍射波导是可穿戴AR设备中的关键光学组件。诸如智能眼镜之类的AR可穿戴设备使用户能够观看覆盖在现实世界之上的数字图像。有两个关键元素可让您看到这些图像-微型投影仪之类的光源,以及将图像从投影仪传递到用户眼睛中的一种方式。WaveOptics的波导技术可传输来自光源的光波并将其投射到用户的眼睛中。该技术可产生大的眼框,双目观察和高视野。眼图框(查看窗口)是从中可以看到完整图像的AR显示器的尺寸-请参见下图。WaveOptics的波导提供清晰,无失真的文本以及稳定的图像。WaveOptics技术旨在用于工业,企业和消费者市场的沉浸式AR体验。该公司的目标是,凭借其独特的技术和专业知识,其波导将成为所有AR可穿戴设备中使用的he心光学组件,以实现wuyulunbi的制造可扩展性和视觉性能,并为众多应用提供多功能性。步进重复纳米压印光刻可以从蕞大50mmx50mm的小模具到蕞大300mm基板尺寸的大面积均匀复制模板。

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EVG510® HE 热压印系统

应用:高度灵活的热压印系统,用于研发和小批量生产

EVG510® HE 半自动热压印系统设计用于对热塑性基材进行高精度压印。该设备配置有热压印腔室,其真空和压印力可调,可用于热压印各种聚合物材料,可进行高深宽比压印,可用于高质量纳米微米图案的热转印工艺。


EVG510® HE 特征:

用于聚合物基材和旋涂聚合物的热压印应用

自动化热压印工艺

配合EVG专有的对准设备,可用于需要光学对准的压印

完全由软件控制的流程执行

主动式水冷系统提供安静快速均匀的冷却效果

可选配闭环冷却水供应 SmartNIL技术可提供功能强大的下一代光刻技术,几乎具有无限的结构尺寸和几何形状功能。奥地利纳米压印学校会用吗

SmartNIL集成多次使用的软标记处理功能,并具有显着的拥有成本的优势,同时保留可扩展性和易于维护的特点。EVG纳米压印推荐厂家

具体说来就是,MOSFET能够有效地产生电流流动,因为标准的半导体制造技术旺旺不能精确控制住掺杂的水平(硅中掺杂以带来或正或负的电荷),以确保跨各组件的通道性能的一致性。通常MOSFET是在一层二氧化硅(SiO2)衬底上,然后沉积一层金属或多晶硅制成的。然而这种方法可以不精确且难以完全掌控,掺杂有时会泄到别的不需要的地方,那样就创造出了所谓的“短沟道效应”区域,并导致性能下降。一个典型MOSFET不同层级的剖面图。不过威斯康星大学麦迪逊分校已经同全美多个合作伙伴携手(包括密歇根大学、德克萨斯大学、以及加州大学伯克利分校等),开发出了能够降低掺杂剂泄露以提升半导体品质的新技术。EVG纳米压印推荐厂家

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