测量复杂的有机材料典型的有机发光显示膜包括几层： 空穴注入层，空穴传输层，以及重组/发光层。所有这些层都有不寻常有机分子（小分子和/或聚合物）。虽然有机分子高度反常色散，测量这些物质的光谱反射充满挑战，但对Filmetrics却不尽然。我们的材料数据库覆盖整个OLED的开发历史，能够处理随着有机分子而来的高折射散射和多种紫外光谱特征。软基底上的薄膜有机发光显示器具有真正柔性显示的潜力，要求测量像PET（聚乙烯）塑料这样有高双折射的基准，这对托偏仪测量是个严重的挑战： 或者模拟额外的复杂光学，或者打磨PET背面。 而这些对我们非偏振反射光谱来说都不需要，极大地节约了人员培训和测量时间。操作箱中测量有机发光显示器材料对水和氧极度敏感。 很多科研小组都要求在控制的干燥氮气操作箱中测量。 而我们体积小，模块化，光纤设计的仪器提供非密封、实时“操作箱”测量。F3-s980 是波长为980奈米的版本，是为了针对成本敏锐的应用而设计。Thin film analyzer膜厚仪推荐型号
铟锡氧化物与透明导电氧化物液晶显示器，有机发光二极管变异体，以及绝大多数平面显示器技术都依靠透明导电氧化物(TCO)来传输电流，并作每个发光元素的阳极。和任何薄膜工艺一样，了解组成显示器各层物质的厚度至关重要。对于液晶显示器而言，就需要有测量聚酰亚胺和液晶层厚度的方法，对有机发光二极管而言，则需要测量发光、电注入和封装层的厚度。在测量任何多个层次的时候，诸如光谱反射率和椭偏仪之类的光学技术需要测量或建模估算每一个层次的厚度和光学常数(反射率和k值)。不幸的是，使得氧化铟锡和其他透明导电氧化物在显示器有用的特性，同样使这些薄膜层难以测量和建模，从而使测量在它们之上的任何物质变得困难。Filmetrics的氧化铟锡解决方案Filmetrics已经开发出简便易行而经济有效的方法，利用光谱反射率精确测量氧化铟锡。将新型的氧化铟锡模式和F20-EXR,很宽的400-1700nm波长相结合，从而实现氧化铟锡可靠的“一键”分析。氧化铟锡层的特性一旦得到确定，剩余显示层分析的关键就解决了。Thin film analyzer膜厚仪研发生产系统测试应力的精度小于15mpa (0.03cm-1) ，全自动的200mm和300mm硅片检查，自动检验和聚焦的能力。
其可测量薄膜厚度在1nm到1mm之间，测量精度高达1埃，测量稳定性高达，测量时间只需一到二秒,并有手动及自动机型可选。可应用领域包括：生物医学（Biomedical）,液晶显示(Displays),硬涂层(Hardcoats),金属膜(Metal),眼镜涂层(Ophthalmic),聚对二甲笨(Parylene),电路板(PCBs&PWBs),多孔硅(PorousSilicon),光阻材料(ThickResist),半导体材料(Semiconductors),太阳光伏(Solarphotovoltaics),真空镀层(VacuumCoatings),圈筒检查(Webinspectionapplications)等。通过Filmetrics膜厚测量仪*新反射式光谱测量技术,*多4层透明薄膜厚度、n、k值及粗糙度能在数秒钟测得。其应用光泛，例如:半导体工业:光阻、氧化物、氮化物。LCD工业:间距(cellgaps)，ito电极、polyimide保护膜。光电镀膜应用:硬化镀膜、抗反射镀膜、过滤片。极易操作、快速、准确、机身轻巧及价格便宜为其主要优点，Filmetrics提供以下型号以供选择:F20:这简单入门型号有三种不同波长选择(由220nm紫外线区至1700nm近红外线区)为任意携带型，可以实现反射、膜厚、n、k值测量。F30:这型号可安装在任何真空镀膜机腔体外的窗口。可实时监控长晶速度、实时提供膜厚、n、k值。并可切定某一波长或固定测量时间间距。
备用光源：LAMP-TH1-5PAK：F10、F20、F30、F40、F50、和F60系统的非紫外光源。5个/盒。1200小时平均无故障。LAMP-TH：F42F42系统的光源。1000小时平均无故障。LAMP-THF60：F60系统的光源。1000小时平均无故障。LAMP-THF80：F80系统的光源。1000小时平均无故障。LAMP-D2-L10290：L10290氘光源。2007年到2014年F20-UV的使用者。LAMP-TH-L10290：L10290钨卤素光源。2007年到2014年F20-UV的使用者。LAMP-D2-LS和DT2：LS和DT2光源需更换氘灯,而卤素灯光源需更换使用LAMP-TH1-5PAK.F50-XT测厚范围：0.2µm-450µm；波长：1440-1690nm。
集成电路故障分析故障分析(FA)技术用来寻找并确定集成电路内的故障原因。故障分析中需要进行薄膜厚度测量的两种主要类型是正面去层(用于传统的面朝上的电路封装)和背面薄化(用于较新的覆晶技术正面朝下的电路封装)。正面去层正面去层的工艺需要了解电介质薄化后剩余电介质的厚度。背面故障分析背面故障分析需要在电路系统成像前移除大部分硅晶粒的厚度，并了解在每个薄化步骤后剩余的硅厚度是相当关键的。FilmetricsF3-sX是为了测量在不同的背面薄化过程的硅层厚度而专门设计的系统。厚度从5微米到1000微米能够很容易的测量，另外可选配模组来延伸蕞小测量厚度至0.1微米，同时具有单点和多点测绘的版本可供选择。测量范例現在我們使用我們的F3-s1550系统测量在不同的背面薄化过程的硅层厚度.具備特殊光學設計之F3-S1550利用比直徑更小於10μm的光斑尺寸得以測量拋光以及粗糙或不均勻表面的硅层厚度一键搞定的薄膜厚度和折射率台式测量系统。 测量 1nm 到 13mm 的单层薄膜或多层薄膜堆。Thin film analyzer膜厚仪推荐型号
FSM拉曼的应用：局部应力； 局部化学成分；局部损伤。Thin film analyzer膜厚仪推荐型号
样品视频包括硬件和照相机的F20系统视频。视频实时显示精确测量点。 不包括SS-3平台。SampleCam-sXsX探头摄像机包含改装的sX探头光学配件，但不包含平台。StageBase-XY8-Manual-40mm8“×8” 样品平台，具有SS-3镜头与38mm的精密XY平移聚焦平台。能够升级成电动测绘与自动对焦。StageBase-XY10-Auto-100mm10“×10” 全电动样品平台。可以进行100mm高精度XY平移，包括自动焦距调节。SS-Microscope- UVX-1显微镜（15倍反射式物镜）及X-Y平台。 包含UV光源与照明光纤。SS-Microscope- EXR-1显微镜包含X- Y平台及照明光纤. 需另选购物镜. 通常使用显微镜内建照明。SS-Trans-Curved用于平坦或弯曲表面的透射平台，包括光纤，和 F10-AR 一起使用。 波长范围 250nm -2500nm。T-1SS-3 平台的透射测量可选件。包括光纤、平台转接器和平台支架。 用于平坦的样品。WS-300用于小于 300mm 样品的平移旋转平台。Thin film analyzer膜厚仪推荐型号
岱美仪器技术服务（上海）有限公司坐落在金高路2216弄35号6幢306-308室，是一家专业的磁记录、半导体、光通讯生产及测试仪器的批发、进出口、佣金代理（拍卖除外）及其相关配套服务，国际贸易、转口贸易，商务信息咨询服务 公司。一批专业的技术团队，是实现企业战略目标的基础，是企业持续发展的动力。岱美仪器技术服务（上海）有限公司主营业务涵盖半导体工艺设备，半导体测量设备，光刻机 键合机，膜厚测量仪，坚持“质量保证、良好服务、顾客满意”的质量方针，赢得广大客户的支持和信赖。公司力求给客户提供全数良好服务，我们相信诚实正直、开拓进取地为公司发展做正确的事情，将为公司和个人带来共同的利益和进步。经过几年的发展，已成为半导体工艺设备，半导体测量设备，光刻机 键合机，膜厚测量仪行业出名企业。
