GEMINI ® FB自动化生产晶圆键合系统 集成平台可实现高精度对准和熔融 特色 技术数据 半导体器件的垂直堆叠已经成为使器件密度和性能不断提高的日益可行的方法。晶圆间键合是实现3D堆叠设备的重要工艺步骤。EVG的GEMINI FB XT集成熔融系统扩展了当前标准，并结合了更高的生产率，更高的对准度和覆盖精度，适用于诸如存储器堆叠，3D片上系统（SoC），背面照明CMOS图像传感器堆叠和芯片分割等应用。该系统具有新的Smart View NT3键合对准器，该键合对准器是专门为<50 nm的熔融和混合晶片键合对准要求而开发的。GEMINI FB XT适用于诸如存储器堆叠，3D片上系统（SoC），背面照明的CMOS图像传感器堆叠和芯片分割等应用。辽宁键合机联系电话
EVG®301技术数据晶圆直径（基板尺寸）：200和100-300毫米清洁系统开室，旋转器和清洁臂腔室：由PP或PFA制成（可选）清洁介质：去离子水（标准），其他清洁介质（可选）旋转卡盘：真空卡盘（标准）和边缘处理卡盘（选件），由不含金属离子的清洁材料制成旋转：蕞高3000rpm（5秒内）超音速喷嘴频率：1MHz（3MHz选件）输出功率：30-60W去离子水流量：蕞高1.5升/分钟有效清洁区域：Ø4.0mm材质：聚四氟乙烯兆声区域传感器频率：1MHz（3MHz选件）输出功率：蕞大2.5W/cm²有效面积（蕞大输出200W）去离子水流量：蕞高1.5升/分钟有效的清洁区域：三角形，确保每次旋转时整个晶片的辐射均匀性材质：不锈钢和蓝宝石刷子材质：PVA可编程参数：刷子和晶圆速度（rpm）可调参数（刷压缩，介质分配）陕西晶圆键合机我们在不需重新配置硬件的情况下，EVG键合机可以在真空下执行SOI / SDB（硅的直接键合）预键合。
EVG®510晶圆键合机系统：用于研发或小批量生产的晶圆键合系统-与大批量生产设备完全兼容。特色：EVG510是一种高度灵活的晶圆键合系统，可以处理从碎片到200mm的基板尺寸。该工具支持所有常见的晶圆键合工艺，例如阳极，玻璃粉，焊料，共晶，瞬态液相和直接法。易于使用的键合腔室和工具设计允许对不同的晶圆尺寸和工艺进行快速便捷的重新工具化，转换时间不到5分钟。这种多功能性非常适合大学，研发机构或小批量生产应用。EVG大批量制造工具（例如EVGGEMINI）上的键合室设计相同，键合程序易于转移，可轻松扩大生产规模。
ZiptronixInc.与EVGroup（简称“EVG”）近日宣布已成功地在客户提供的300毫米DRAM晶圆实现亚微米键合后对准精度。方法是在EVGGeminiFB产品融合键合机和SmartViewNT键合对准机上采用Ziptronix的DBI混合键合技术。这种方法可用于制造各种应用的微间距3D集成电路，包括堆栈存储器、上等图像传感器和堆栈式系统芯片(SoC)。Ziptronix的首席技术官兼工程副总裁PaulEnquist表示：“DBI混合键合技术的性能不受连接间距的限制，只需要可进行测量的适当的对准和布局工具，而这是之前一直未能解决的难题。EVG的融合键合设备经过优化后实现了一致的亚微米键合后对准精度，此对准精度上的改进为我们的技术的大批量生产(HVM)铺平了道路。”晶圆键合系统EVG501是适用于学术界和工业研究的多功能手动晶圆键合机。
长久键合系统 EVG晶圆键合方法的引入将键合对准与键合步骤分离开来，立即在业内掀起了市场**。利用高温和受控气体环境下的高接触力，这种新颖的方法已成为当今的工艺标准，EVG的键合机设备占据了半自动和全自动晶圆键合机的主要市场份额，并且安装的机台已经超过1500个。EVG的晶圆键合机可提供蕞/佳的总拥有成本（TCO），并具有多种设计功能，可优化键合良率。针对MEMS，3D集成或gao级封装的不同市场需求，EVG优化了用于对准的多个模块。下面是EVG的键合机EVG500系列介绍。EVG键合机跟应用相对应，键合方法一般分类页是有或没有夹层的键合操作。福建键合机供应商家
晶圆级涂层、封装，工程衬底知造，晶圆级3D集成和晶圆减薄等用于制造工程衬底，如SOI（绝缘体上硅）。辽宁键合机联系电话
EVG®850SOI的自动化生产键合系统 自动化生产键合系统，适用于多种熔融/分子晶圆键合应用 特色 技术数据 SOI晶片是微电子行业有望生产出更快，性能更高的微电子设备的有希望的新基础材料。晶圆键合技术是SOI晶圆制造工艺的一项关键技术，可在绝缘基板上实现高质量的单晶硅膜。借助EVG850 SOI生产键合系统，SOI键合的所有基本步骤-从清洁和对准到预键合和红外检查-都结合了起来。因此，EVG850确保了高达300mm尺寸的无空隙SOI晶片的高产量生产工艺。EVG850是wei一在高通量，高产量环境下运行的生产系统，已被确立为SOI晶圆市场的行业标准。辽宁键合机联系电话
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