F30包含的内容：集成光谱仪/光源装置光斑尺寸10微米的单点测量平台FILMeasure8反射率测量软件Si参考材料FILMeasure度力软件(用于远程数据分析)额外的好处：每台系统內建超过130种材料库,随着不同应用更超过数百种应用工程师可立刻提供帮助（周一-周五）网上的“手把手”支持(需要连接互联网)硬件升级计划型号厚度范围*波长范围F3-s980:10µm-1mm960-1000nmF3-s1310:15µm-2mm1280-1340nmF3-s1550:25µm-3mm1520-1580nm*取决于薄膜种类。F30样品层:分子束外延和金属有机化学气相沉积: 可以测量平滑和半透明的，或轻度吸收的薄膜。上海中芯国际膜厚仪
FSM8018VITE测试系列设备VITE技术介绍：VITE是傅里叶频域技术，利用近红外光源的相位剪切技术（Phasesheartechnology）设备介绍适用于所有可让近红外线通过的材料：硅、蓝宝石、砷化镓、磷化铟、碳化硅、玻璃、石英、聚合物…………应用:衬底厚度(不受图案硅片、有胶带、凹凸或者粘合硅片影响)平整度厚度变化(TTV)沟槽深度过孔尺寸、深度、侧壁角度粗糙度薄膜厚度不同半导体材料的厚度环氧树脂厚度衬底翘曲度晶圆凸点高度(bumpheight)MEMS薄膜测量TSV深度、侧壁角度...衬底膜厚仪推荐产品基本上所有光滑的、半透明的或低吸收系数的薄膜都可以测量。
非晶态多晶硅硅元素以非晶和晶体两种形式存在,在两级之间是部分结晶硅。部分结晶硅又被叫做多晶硅。非晶硅和多晶硅的光学常数(n和k)对不同沉积条件是独特的，必须有精确的厚度测量。测量厚度时还必须考虑粗糙度和硅薄膜结晶可能的风化。Filmetrics设备提供的复杂的测量程序同时测量和输出每个要求的硅薄膜参数，并且“一键”出结果。测量范例多晶硅被广范用于以硅为基础的电子设备中。这些设备的效率取决于薄膜的光学和结构特性。随着沉积和退火条件的改变，这些特性随之改变，所以准确地测量这些参数非常重要。监控晶圆硅基底和多晶硅之间，加入二氧化硅层，以增加光学对比，其薄膜厚度和光学特性均可测得。F20可以很容易地测量多晶硅薄膜的厚度和光学常数，以及二氧化硅夹层厚度。Bruggeman光学模型被用来测量多晶硅薄膜光学特性。
厚度测量产品：我们的膜厚测量产品可适用于各种应用。我们大部分的产品皆備有库存以便快速交货。请浏览本公司网页产品资讯或联系我们的应用工程师针对您的厚度测量需求提供立即协助。单点厚度测量：一键搞定的薄膜厚度和折射率台式测量系统。测量1nm到13mm的单层薄膜或多层薄膜堆。大多数产品都有库存而且可立即出货。F20全世界销量蕞hao的薄膜测量系统。有各种不同附件和波长覆盖范围。微米(显微)级别光斑尺寸厚度测量当测量斑点只有1微米（µm）时，需要用您自己的显微镜或者用我们提供的整个系统。适用于所有可让红外线通过的材料 硅、蓝宝石、砷化镓、磷化铟、碳化硅、玻璃、石 英、聚合物等。
F50系列自动化薄膜测绘FilmetricsF50系列的产品能以每秒测绘两个点的速度快速的测绘薄膜厚度。一个电动R-Theta平台可接受标准和客制化夹盘，样品直径可达450毫米。(耐用的平台在我们的量产系统能够执行数百万次的量测!)測绘圖案可以是极座標、矩形或线性的，您也可以创造自己的测绘方法，并且不受测量点数量的限制。內建数十种预定义的测绘圖案。不同的F50仪器是根据波长范围来加以区分的。标准的F50是很受欢迎的产品。一般较短的波长(例如，F50-UV)可用于测量较薄的薄膜，而较长的波长则可以用来测量更厚、更不平整以及更不透明的薄膜。 紫外光可测试的深度：有秀的薄膜（SOI 或 Si-SiGe）或者厚样的近表面局部应力。福建膜厚仪技术原理
测量SU-8 其它厚光刻胶的厚度有特别重要的应用。上海中芯国际膜厚仪
厚度标准：所有Filmetrics厚度标准都是得到验证可追溯的NIST标准。S-Custom-NIST：在客户提供的样品上定制可追溯的NIST厚度校准。TS-Focus-SiO2-4-3100SiO2-on-Si：厚度标准，外加调焦区和单晶硅基准，厚度大约3100A，4"晶圆。TS-Focus-SiO2-4-10000SiO2-on-Si：厚度标准，外加调焦区和单晶硅基准，厚度大约10000A，4"晶圆。TS-Hardcoat-4µm：丙烯酸塑料硬涂层厚度标准，厚度大约4um，直径2"。TS-Hardcoat-Trans：背面透明的硬涂层，可用于透射测量。TS-Parylene-4um：丙烯酸塑料上的聚对二甲苯厚度标准，厚度大约4um，直径2"。TS-Parylene-8um：硅基上的聚对二甲苯厚度标准，厚度大约8um，23mmx23mm。TS-SiO2-4-7200：硅基上的二氧化硅厚度标准，厚度大约7200A，4"晶圆。TS-SiO2-4-7200-NIST：可追溯的NISTSiO2-4-7200厚度标准。TS-SiO2-6-Multi：多厚度硅基上的二氧化硅标准:125埃米，250埃米，500埃米，1000埃米，5000埃米，和10000埃米(+/-10%误差)，6英寸晶圆。TS-SS3-SiO2-8000：專為SS-3样品平台設計之二氧化硅厚度标准片,厚度大约為8000A。上海中芯国际膜厚仪
岱美仪器技术服务（上海）有限公司坐落于金高路2216弄35号6幢306-308室，是集设计、开发、生产、销售、售后服务于一体，仪器仪表的贸易型企业。公司在行业内发展多年，持续为用户提供整套半导体工艺设备，半导体测量设备，光刻机 键合机，膜厚测量仪的解决方案。公司具有半导体工艺设备，半导体测量设备，光刻机 键合机，膜厚测量仪等多种产品，根据客户不同的需求，提供不同类型的产品。公司拥有一批热情敬业、经验丰富的服务团队，为客户提供服务。依托成熟的产品资源和渠道资源，向全国生产、销售半导体工艺设备，半导体测量设备，光刻机 键合机，膜厚测量仪产品，经过多年的沉淀和发展已经形成了科学的管理制度、丰富的产品类型。岱美仪器技术服务（上海）有限公司通过多年的深耕细作，企业已通过仪器仪表质量体系认证，确保公司各类产品以高技术、高性能、高精密度服务于广大客户。欢迎各界朋友莅临参观、 指导和业务洽谈。
