F54包含的内容：集成光谱仪/光源装置MA-Cmount安装转接器显微镜转接器光纤连接线BK7参考材料TS-Focus-SiO2-4-10000厚度标准聚焦/厚度标准4",6"and200mm参考晶圆真空泵备用灯型号厚度范围*波长范围F54:20nm-40µm380-850nmF54-UV:4nm-30µm190-1100nmF54-NIR:40nm-100µm950-1700nmF54-EXR:20nm-100µm380-1700nmF54-UVX:4nm-100µm190-1700nm*取决于材料与显微镜额外的好处：每台系统內建超过130种材料库,随着不同应用更超过数百种应用工程师可立刻提供帮助（周一-周五）网上的“手把手”支持(需要连接互联网)硬件升级计划可见光可测试的深度，良好的厚样以及多层样品的局部应力。干涉膜厚仪技术支持
F30系列监控薄膜沉积，蕞强有力的工具F30光谱反射率系统能实时测量沉积率、沉积层厚度、光学常数(n和k值)和半导体以及电介质层的均匀性。样品层分子束外延和金属有机化学气相沉积:可以测量平滑和半透明的，或轻度吸收的薄膜。这实际上包括从氮化镓铝到镓铟磷砷的任何半导体材料。各项优点:极大地提高生产力低成本—几个月就能收回成本A精确—测量精度高于±1%快速—几秒钟完成测量非侵入式—完全在沉积室以外进行测试易于使用—直观的Windows™软件几分钟就能准备好的系统型号厚度范围*波长范围F30:15nm-70µm380-1050nmF30-EXR:15nm-250µm380-1700nmF30-NIR:100nm-250µm950-1700nmF30-UV:3nm-40µm190-1100nmF30-UVX:3nm-250µm190-1700nmF30-XT:0.2µm-450µm1440-1690nm测膜仪膜厚仪可以免税吗监测控制生产过程中移动薄膜厚度。高达100 Hz的采样率可以在多个测量位置得到。
光纤紫外线、可见光谱和近红外备用光纤。接触探头是相当坚固的，但是光纤不能经常被抽屉碰撞或者被椅子压过。该套件包括指令，以及简单的维修工具，新的和旧风格的探头。FO-PAT-SMA-SMA-200-22米长，直径200um的光纤，两端配备SMA接头。米长，分叉反射探头。通用附件携带箱等。手提电脑手提电脑预装FILMeasure软件、XP和Microsoft办公软件。电脑提箱用于携带F10、F20、F30和F40系统的提箱。ConflatFeedthrough真空穿通，"conflat、双出入孔SMA，并通过泄漏测试。LensPaper-CenterHole中间开孔镜头纸，用于保护面朝下的样品，5本各100张。
样品视频包括硬件和照相机的F20系统视频。视频实时显示精确测量点。 不包括SS-3平台。SampleCam-sXsX探头摄像机包含改装的sX探头光学配件，但不包含平台。StageBase-XY8-Manual-40mm8“×8” 样品平台，具有SS-3镜头与38mm的精密XY平移聚焦平台。能够升级成电动测绘与自动对焦。StageBase-XY10-Auto-100mm10“×10” 全电动样品平台。可以进行100mm高精度XY平移，包括自动焦距调节。SS-Microscope- UVX-1显微镜（15倍反射式物镜）及X-Y平台。 包含UV光源与照明光纤。SS-Microscope- EXR-1显微镜包含X- Y平台及照明光纤. 需另选购物镜. 通常使用显微镜内建照明。SS-Trans-Curved用于平坦或弯曲表面的透射平台，包括光纤，和 F10-AR 一起使用。 波长范围 250nm -2500nm。T-1SS-3 平台的透射测量可选件。包括光纤、平台转接器和平台支架。 用于平坦的样品。WS-300用于小于 300mm 样品的平移旋转平台。F30测厚范围：15nm-70µm；波长：380-1050nm。
电介质成千上万的电解质薄膜被用于光学，半导体，以及其它数十个行业, 而Filmetrics的仪器几乎可以测量所有的薄膜。常见的电介质有:二氧化硅 – 蕞简单的材料之一, 主要是因为它在大部分光谱上的无吸收性 (k=0)， 而且非常接近化学计量 (就是说，硅：氧非常接近 1:2)。 受热生长的二氧化硅对光谱反应规范，通常被用来做厚度和折射率标准。 Filmetrics能测量3nm到1mm的二氧化硅厚度。氮化硅 – 对此薄膜的测量比很多电介质困难，因为硅：氮比率通常不是3：4, 而且折射率一般要与薄膜厚度同时测量。 更麻烦的是，氧常常渗入薄膜，生成一定程度的氮氧化硅，增大测量难度。 但是幸运的是，我们的系统能在几秒钟内 “一键” 测量氮化硅薄膜完整特征!FSM413SP半自动机台人工取放芯片。Filmetrics膜厚仪液晶显示行业
可选粗糙度: 20 — 1000Å (RMS)。干涉膜厚仪技术支持
集成电路故障分析故障分析(FA)技术用来寻找并确定集成电路内的故障原因。故障分析中需要进行薄膜厚度测量的两种主要类型是正面去层(用于传统的面朝上的电路封装)和背面薄化(用于较新的覆晶技术正面朝下的电路封装)。正面去层正面去层的工艺需要了解电介质薄化后剩余电介质的厚度。背面故障分析背面故障分析需要在电路系统成像前移除大部分硅晶粒的厚度，并了解在每个薄化步骤后剩余的硅厚度是相当关键的。FilmetricsF3-sX是为了测量在不同的背面薄化过程的硅层厚度而专门设计的系统。厚度从5微米到1000微米能够很容易的测量，另外可选配模组来延伸蕞小测量厚度至0.1微米，同时具有单点和多点测绘的版本可供选择。测量范例現在我們使用我們的F3-s1550系统测量在不同的背面薄化过程的硅层厚度.具備特殊光學設計之F3-S1550利用比直徑更小於10μm的光斑尺寸得以測量拋光以及粗糙或不均勻表面的硅层厚度干涉膜厚仪技术支持
岱美仪器技术服务（上海）有限公司正式组建于2002-02-07，将通过提供以半导体工艺设备，半导体测量设备，光刻机 键合机，膜厚测量仪等服务于于一体的组合服务。业务涵盖了半导体工艺设备，半导体测量设备，光刻机 键合机，膜厚测量仪等诸多领域，尤其半导体工艺设备，半导体测量设备，光刻机 键合机，膜厚测量仪中具有强劲优势，完成了一大批具特色和时代特征的仪器仪表项目；同时在设计原创、科技创新、标准规范等方面推动行业发展。同时，企业针对用户，在半导体工艺设备，半导体测量设备，光刻机 键合机，膜厚测量仪等几大领域，提供更多、更丰富的仪器仪表产品，进一步为全国更多单位和企业提供更具针对性的仪器仪表服务。岱美仪器技术服务（上海）有限公司业务范围涉及磁记录、半导体、光通讯生产及测试仪器的批发、进出口、佣金代理（拍卖除外）及其相关配套服务，国际贸易、转口贸易，商务信息咨询服务 等多个环节，在国内仪器仪表行业拥有综合优势。在半导体工艺设备，半导体测量设备，光刻机 键合机，膜厚测量仪等领域完成了众多可靠项目。
