EVG501是一种高度灵活的晶圆键合系统，可处理从单芯片到150 mm（200 mm键合室的情况下为200 mm）的基片。该工具支持所有常见的晶圆键合工艺，如阳极，玻璃料，焊料，共晶，瞬态液相和直接键合。易于操作的键合室和工具设计，让用户能快速，轻松地重新装配不同的晶圆尺寸和工艺，转换时间小于5分钟。这种多功能性非常适合大学，研发机构或小批量生产。键合室的基本设计在EVG的HVM（量产）工具上是相同的，例如GEMINI，键合程序很容易转移，这样可以轻松扩大生产量。根据键合机型号和加热器尺寸，EVG500系列键合机可以用于碎片50 mm到300 mm尺寸的晶圆。官方键合机售后服务
临时键合系统：临时键合是为薄晶圆或超薄晶圆提供机械支撑的必不可少的过程，这对于3DIC，功率器件和FoWLP晶圆以及处理易碎基板（例如化合物半导体）非常重要。借助于中间临时键合粘合剂将器件晶片键合到载体晶片上，从而可以通过附加的机械支撑来处理通常易碎的器件晶片。在关键工艺之后，将晶片堆叠剥离。EVG出色的键合技术在其临时键合设备中得到充分体现，该设备自2001年以来一直由该公司提供。包含型号：EVG805解键合系统；EVG820涂敷系统；EVG850TB临时键合系统；EVG850DB自动解键合系统。新疆SUSS键合机对于无夹层键合工艺，材料和表面特征利于键合，但为了与夹层结合，键合材料沉积和组成决定了键合线的材质。
在键合过程中，将两个组件的表面弄平并彻底清洁以确保它们之间的紧密接触。然后它们被夹在两个电极之间，加热至752-932℃（华氏400-500摄氏度），和几百到千伏的电势被施加，使得负电极，这就是所谓的阴极，是在接触在玻璃中，正极（阳极）与硅接触。玻璃中带正电的钠离子变得可移动并向阴极移动，在与硅片的边界附近留下少量的正电荷，然后通过静电吸引将其保持在适当的位置。带负电的氧气来自玻璃的离子向阳极迁移，并在到达边界时与硅反应，形成二氧化硅（SiO 2）。产生的化学键将两个组件密封在一起。
Abouie M 等人［4］针对金—硅共晶键合过程中凹坑对键合质量的影响展开研究，提出一种以非晶硅为基材的金—硅共晶键合工艺以减少凹坑的形成，但非晶硅的实际应用限制较大。康兴华等人［5］加工了简单的多层硅—硅结构，但不涉及对准问题，实际应用的价值较小。陈颖慧等人［6］以金— 硅共晶键合技术对 MEMS 器件进行了圆片级封装［6］，其键合强度可以达到 36 MPa，但键合面积以及键合密封性不太理想，不适用一些敏感器件的封装处理。袁星等人［7]对带有微结构的硅—硅直接键合进行了研究，但其硅片不涉及光刻、深刻蚀、清洗等对硅片表面质量影响较大的工艺，故其键合工艺限制较大。晶圆键合系统EVG501可以用于学术界和工业研究。
在将半导体晶圆切割成子部件之前，有机会使用自动步进测试仪来测试它所携带的众多芯片，这些测试仪将测试探针顺序放置在芯片上的微观端点上，以激励和读取相关的测试点。这是一种实用的方法，因为有缺陷的芯片不会被封装到ZUI终的组件或集成电路中，而只会在ZUI终测试时被拒绝。一旦认为模具有缺陷，墨水标记就会渗出模具，以便于视觉隔离。典型的目标是在100万个管芯中，少于6个管芯将是有缺陷的。还需要考虑其他因素，因此可以优化芯片恢复率。EVG的键合机设备占据了半自动和全自动晶圆键合机的主要市场份额，并且安装的机台已经超过1500套。GEMINI键合机技术支持
EVG所有键合机系统可以通过远程进行通信。官方键合机售后服务
EVG®810LT LowTemp™等离子基活系统 适用于SOI，MEMS，化合物半导体和先进基板键合的低温等离子体活化系统 特色 技术数据 EVG810LTLowTemp™等离子活化系统是具有手动操作的单腔独力单元。处理室允许进行异位处理（晶圆被一一基活并结合在等离子体基活室外部）。 特征 表面等离子体活化，用于低温粘结（熔融/分子和中间层粘结） 晶圆键合机制中蕞快的动力学 无需湿工艺 低温退火（蕞/高400°C）下的蕞/高粘结强度 适用于SOI，MEMS，化合物半导体和gao级基板键合 高度的材料兼容性（包括CMOS）官方键合机售后服务
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