EVG®810LT技术数据晶圆直径（基板尺寸）50-200、100-300毫米LowTemp™等离子活化室工艺气体：2种标准工艺气体（N2和O2）通用质量流量控制器：自校准（高达20.000sccm）真空系统：9x10-2mbar腔室的打开/关闭：自动化腔室的加载/卸载：手动（将晶圆/基板放置在加载销上）可选功能：卡盘适用于不同的晶圆尺寸无金属离子活化混合气体的其他工艺气体带有涡轮泵的高真空系统：9x10-3mbar基本压力符合LowTemp™等离子活化粘结的材料系统Si：Si/Si，Si/Si（热氧化，Si（热氧化）/Si（热氧化）TEOS/TEOS（热氧化）绝缘体锗（GeOI）的Si/GeSi/Si3N4玻璃（无碱浮法）：硅/玻璃，玻璃/玻璃化合物半导体：GaAs，GaP，InP聚合物：PMMA，环烯烃聚合物用户可以使用上述和其他材料的“ZUI佳已知方法”配方（可根据要求提供完整列表）EVG的GEMINI FB XT集成熔融键合系统，扩展了现有标准，并拥有更高的生产率，更高的对准和涂敷精度。EVG820键合机有谁在用
GEMINI®FB特征：新的SmartView®NT3面-面结合对准具有亚50纳米晶片到晶片的对准精度多达六个预处理模块，例如：清洁模块LowTemp™等离子基活模块对准验证模块解键合模块XT框架概念通过EFEM（设备前端模块）实现ZUI高吞吐量可选功能：解键合模块热压键合模块技术数据晶圆直径（基板尺寸）200、300毫米蕞高处理模块数：6+的SmartView®NT可选功能：解键合模块热压键合模块EVG的GEMINIFBXT集成熔融键合系统，扩展了现有标准，并拥有更高的生产率，更高的对准和涂敷精度，适用于诸如存储器堆叠，3D片上系统（SoC），背面照明的CMOS图像传感器堆叠和芯片分割等应用。该系统采用了新的SmartViewNT3键合对准器，该键合对准器是专门为<50nm的熔融和混合晶片键合对准要求而开发的。安徽键合机推荐型号根据键合机型号和加热器尺寸，EVG500系列键合机可以用于碎片50 mm到300 mm尺寸的晶圆。
焊使用工具将导线施加到微芯片上时对其产生压力。将导线牢固地固定到位后，将超声波能量施加到表面上，并在多个区域中建立牢固的结合。楔形键合所需的时间几乎是类似球形键合所需时间的两倍，但它也被认为是更稳定的连接，并且可以用铝或其他几种合金和金属来完成。不建议业余爱好者在未获得适当指导的情况下尝试进行球焊或楔焊，因为焊线的敏感性和损坏电路的风险。已开发的技术使这两个过程都可以完全自动化，并且几乎不再需要手工完成引线键合。蕞终结果是实现了更加精确的连接，这种连接往往比传统的手工引线键合方法产生的连接要持久。
ZiptronixInc.与EVGroup（简称“EVG”）近日宣布已成功地在客户提供的300毫米DRAM晶圆实现亚微米键合后对准精度。方法是在EVGGeminiFB产品融合键合机和SmartViewNT键合对准机上采用Ziptronix的DBI混合键合技术。这种方法可用于制造各种应用的微间距3D集成电路，包括堆栈存储器、上等图像传感器和堆栈式系统芯片(SoC)。Ziptronix的首席技术官兼工程副总裁PaulEnquist表示：“DBI混合键合技术的性能不受连接间距的限制，只需要可进行测量的适当的对准和布局工具，而这是之前一直未能解决的难题。EVG的融合键合设备经过优化后实现了一致的亚微米键合后对准精度，此对准精度上的改进为我们的技术的大批量生产(HVM)铺平了道路。”晶圆键合机系统 EVG®520 IS，拥有EVG®501和EVG®510键合机的所有功能；200 mm的单个或双腔自动化系统。
阳极键合是晶片键合的一种方法，广FAN用于微电子工业中，利用热量和静电场的结合将两个表面密封在一起。这种键合技术ZUI常用于将玻璃层密封到硅晶圆上。也称为场辅助键合或静电密封，它类似于直接键合，与大多数其他键合技术不同，它通常不需要中间层，但不同之处在于，它依赖于当离子运动时表面之间的静电吸引对组件施加高电压。可以使用阳极键合将金属键合到玻璃上，并使用玻璃的薄中间层将硅键合到硅上。但是，它特别适用于硅玻璃粘接。玻璃需要具有高含量的碱金属（例如钠），以提供可移动的正离子。通常使用一种特定类型的玻璃，其中包含约3.5％的氧化钠（Na2O）。同时，EVG研发生产的的GEMINI系统是使用晶圆键合的量产应用的行业标准。EVG820键合机有谁在用
EVG键合机可使用适合每个通用键合室的砖用卡盘来处理各种尺寸晶圆和键合工艺。EVG820键合机有谁在用
EVG®620BA键合机选件 自动对准 红外对准，用于内部基板键对准 NanoAlign®包增强加工能力 可与系统机架一起使用 掩模对准器的升级可能性 技术数据 常规系统配置 桌面 系统机架：可选 隔振：被动 对准方法 背面对准：±2µm3σ 透明对准：±1µm3σ 红外校准：选件 对准阶段 精密千分尺：手动 可选：电动千分尺 楔形补偿：自动 基板/晶圆参数 尺寸：2英寸，3英寸，100毫米，150毫米 厚度：0.1-10毫米 ZUI高堆叠高度：10毫米 自动对准 可选的 处理系统 标准：3个卡带站 可选：ZUI多5个站EVG820键合机有谁在用
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