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膜厚仪基本参数
  • 产地
  • 美国
  • 品牌
  • Frontier Semiconductor (FSM)
  • 型号
  • FSM 413EC, FSM 413MOT,FSM 413SA DP FSM 413C2C, FSM
  • 是否定制
膜厚仪企业商机

光纤紫外线、可见光谱和近红外备用光纤。接触探头是相当坚固的,但是光纤不能经常被抽屉碰撞或者被椅子压过。该套件包括指令,以及简单的维修工具,新的和旧风格的探头。FO-PAT-SMA-SMA-200-22米长,直径200um的光纤,两端配备SMA接头。米长,分叉反射探头。通用附件携带箱等。手提电脑手提电脑预装FILMeasure软件、XP和Microsoft办公软件。电脑提箱用于携带F10、F20、F30和F40系统的提箱。ConflatFeedthrough真空穿通,"conflat、双出入孔SMA,并通过泄漏测试。LensPaper-CenterHole中间开孔镜头纸,用于保护面朝下的样品,5本各100张。厚度变化 (TTV) ;沟槽深度;过孔尺寸、深度、侧壁角度。Profilm3D膜厚仪原理

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镜头组件Filmetrics提供几十种不同镜头配置。订制专门用途的镜片一般在几天之内可以完成。LA-GL25-25-30-EXR用于60-1000mm工作距离的直径1"镜头组件,30mm焦距镜头。KM-GL25用于直径1"镜头的简化动力支架。可以在两个轴上斜向调节。8-32安装螺纹。KM-F50用于直径0.5"镜头的简化动力支架。还可以用于F50。可提供不同的镜头组合。LA-F50/SS-13-20-UVX小光斑(200um)选项,可见光,近红外或紫外线。如果您想要了解更多的信息,请联系我们岱美仪器。液晶显示膜厚仪服务为先F3-sX系列使用近红外光来测量薄膜厚度,即使有许多肉眼看来不透光(例如半导体)。

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集成电路故障分析故障分析(FA)技术用来寻找并确定集成电路内的故障原因。故障分析中需要进行薄膜厚度测量的两种主要类型是正面去层(用于传统的面朝上的电路封装)和背面薄化(用于较新的覆晶技术正面朝下的电路封装)。正面去层正面去层的工艺需要了解电介质薄化后剩余电介质的厚度。背面故障分析背面故障分析需要在电路系统成像前移除大部分硅晶粒的厚度,并了解在每个薄化步骤后剩余的硅厚度是相当关键的。FilmetricsF3-sX是为了测量在不同的背面薄化过程的硅层厚度而专门设计的系统。厚度从5微米到1000微米能够很容易的测量,另外可选配模组来延伸蕞小测量厚度至0.1微米,同时具有单点和多点测绘的版本可供选择。测量范例現在我們使用我們的F3-s1550系统测量在不同的背面薄化过程的硅层厚度.具備特殊光學設計之F3-S1550利用比直徑更小於10μm的光斑尺寸得以測量拋光以及粗糙或不均勻表面的硅层厚度

F40系列将您的显微镜变成薄膜测量工具F40产品系列用于测量小到1微米的光斑。对大多数显微镜而言,F40能简单地固定在c型转接器上,这样的转接器是显微镜行业标准配件。F40配备的集成彩色摄像机,能够对测量点进行准确监控。在1秒钟之内就能测定厚度和折射率。像我们所有的台式仪器一样,F40需要连接到您装有Windows计算机的USB端口上并在数分钟内完成设定。F40:20nm-40µm400-850nmF40-EXR:20nm-120µm400-1700nmF40-NIR:40nm-120µm950-1700nmF40-UV:4nm-40µm190-1100nmF40-UVX:4nm-120µm190-1700nm产品型号:FSM 413EC, FSM 413MOT,FSM 413SA DP FSM 413C2C, FSM 8108 VITE C2C。

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电介质成千上万的电解质薄膜被用于光学,半导体,以及其它数十个行业, 而Filmetrics的仪器几乎可以测量所有的薄膜。常见的电介质有:二氧化硅 – 蕞简单的材料之一, 主要是因为它在大部分光谱上的无吸收性 (k=0), 而且非常接近化学计量 (就是说,硅:氧非常接近 1:2)。 受热生长的二氧化硅对光谱反应规范,通常被用来做厚度和折射率标准。 Filmetrics能测量3nm到1mm的二氧化硅厚度。氮化硅 – 对此薄膜的测量比很多电介质困难,因为硅:氮比率通常不是3:4, 而且折射率一般要与薄膜厚度同时测量。 更麻烦的是,氧常常渗入薄膜,生成一定程度的氮氧化硅,增大测量难度。 但是幸运的是,我们的系统能在几秒钟内 “一键” 测量氮化硅薄膜完整特征!适用于所有可让红外线通过的材料 硅、蓝宝石、砷化镓、磷化铟、碳化硅、玻璃、石 英、聚合物等。授权膜厚仪用途是什么

测量方式: 红外干涉(非接触式)。Profilm3D膜厚仪原理

F30系列监控薄膜沉积,蕞强有力的工具F30光谱反射率系统能实时测量沉积率、沉积层厚度、光学常数(n和k值)和半导体以及电介质层的均匀性。样品层分子束外延和金属有机化学气相沉积:可以测量平滑和半透明的,或轻度吸收的薄膜。这实际上包括从氮化镓铝到镓铟磷砷的任何半导体材料。各项优点:极大地提高生产力低成本—几个月就能收回成本A精确—测量精度高于±1%快速—几秒钟完成测量非侵入式—完全在沉积室以外进行测试易于使用—直观的Windows™软件几分钟就能准备好的系统型号厚度范围*波长范围F30:15nm-70µm380-1050nmF30-EXR:15nm-250µm380-1700nmF30-NIR:100nm-250µm950-1700nmF30-UV:3nm-40µm190-1100nmF30-UVX:3nm-250µm190-1700nmF30-XT:0.2µm-450µm1440-1690nmProfilm3D膜厚仪原理

岱美仪器技术服务(上海)有限公司发展规模团队不断壮大,现有一支专业技术团队,各种专业设备齐全。EVG,Filmetrics,MicroSense,Herz,Herzan,Film Sense,Polyteknik,4D,Nanotronics,Subnano,Bruker,FSM,SHB是岱美仪器技术服务(上海)有限公司的主营品牌,是专业的磁记录、半导体、光通讯生产及测试仪器的批发、进出口、佣金代理(拍卖除外)及其相关配套服务,国际贸易、转口贸易,商务信息咨询服务 公司,拥有自己**的技术体系。公司坚持以客户为中心、磁记录、半导体、光通讯生产及测试仪器的批发、进出口、佣金代理(拍卖除外)及其相关配套服务,国际贸易、转口贸易,商务信息咨询服务 市场为导向,重信誉,保质量,想客户之所想,急用户之所急,全力以赴满足客户的一切需要。自公司成立以来,一直秉承“以质量求生存,以信誉求发展”的经营理念,始终坚持以客户的需求和满意为重点,为客户提供良好的半导体工艺设备,半导体测量设备,光刻机 键合机,膜厚测量仪,从而使公司不断发展壮大。

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