磷酸铁锂保护芯片

解决方案概要 标称电压2.2～2.4V的锂二次电池和全固态电池具有以下特点，也适合于工业设备的备份用途、可穿戴设备及Smartcard等。 可使用LDO进行恒压充电可能。（无需的高价CV/CC充电IC） 耐过放电，可用于简单的放电检测 因为是电池，所以能长时间维持恒定电压 比起电压直线下降的Supercap，能更简单、有效地提取能量 也有70℃、105℃等高温对应产品 也有回流对应 / 热层压加工对应品 关于充电用LDO 因二次电池的大容量成为负载，所以低消耗稳压器适合于LDO。 充电时 可在充电状态下使用。 充电后，电池电压短期内上升到LDO的输出电压之后，会逐渐充电。 无需满充电检测，在满充电后，一般无需关闭稳压器。 使用时 可在充电状态下使用。 VIN没有电压时，为了不白白消耗储存在二次电池中的能量，需要防止回流到VIN及使LDO处于待机状态。 在本电路框中，在用SBD防止回流的同时，通过连接到SBD阳极侧的下拉电阻，成为LDO的CE=“L”，稳压器将处于待机状态。 由此，可从二次电池将消耗电流抑制为稳压器VOUT引脚的微小电流。（称为“VOUT SINK电流”）芯纳科技成立于2011年。专注代理电源芯片和电子元器件的销售服务。磷酸铁锂保护芯片

特瑞仕是专门用于电源IC的模拟類比CMOS专业集团。 发挥只只有专业厂商才具有的专门知识和灵活性，不间断地瞬时对应开发小型化、轻量化电子机器的需求。独特的超小型封装技术接二连三地带来乃至肉眼难于分辨的小型产品是我们的骄傲。 尽管尺寸极小，但给予世间的影响却无限大。从我们身边的智能手机、数码照相机、电脑等便携式机器、到汽车用导航系统、车载ETC设备、电动车窗等车载用品，及包括机器人在内的产业机械，其产品性能在所有领域都得到了高度评价。 特瑞仕拥有雄厚先进的技术能力，高度的市场影响力，并积极地对应环保要求，今后还将继续于电源IC领域。3730线性稳压器使用在其线性区域内运行的晶体管或 FET，减去超额的电压，产生经过调节的输出电压。

XA9107 是一款 1.0uA 电源电流和快速响应低压差稳压器，专为需要低静态电流、低压差电压和高电源纹波抑制的应用而设计。保证提供300mA的输出电流，并支持预设输出电压版本范围包括1.1V、1.2V、1.3V、1.5V、1.7V、1.8V、1.9V、2.0V、2.3V、2.5V、2.6V、2.7电压、2.8V、2.9V、3.0V、3.3V、3.6V。XA9107 具有针对温度、负载和线路变化的精确 ±2% 输出调节能力，并且XA9107 还集成了许多功能。热关断和过流限制功能可保护器件免受热过载和电流过载的影响。基于其低静态电流消耗和低于 0.1uA（典型值）的关断模式电流，此外，高电源抑制比使该器件能够很好地适应电池操作系统中通常遇到的低输入电压。使用小型陶瓷电容器（典型值为 1.0uF），稳压器即可保持稳定。

赛芯微XBL6015-SM二合一锂电保护，集成MOS，支持船运模式，关机电流低至1nA。 XB6015-SM的特点： 1.低功耗，工作电流0.4uA,关机电流1nA； 2.更贴近应用的保护电流，充电过流300mA，放电过流150mA，短路电路450mA； 3.高集成度，集成MOS，支持船运模式，集成虚焊保护功能； 4.高可靠性，支持充电器反接功能，支持带负载电芯防反接功能，ESD 8KV； 5.更好的匹配性，锂电保护无管压降，可以支持不同类型的充电芯片； 6.系列化，支持4.2-4.5V的电芯平台。性价比高，成本优；支持在线烧录；无需外加升压芯片，可直接升压至18V。

    锂离子电池到5号电池到处都是，玩具、家用电器、门禁等等，给我们带来了便携性，但也给我们留下了很多麻烦:-在使用耗电的玩具时，应经常更换电池;-废电池处置过程中的潜在污染危害;-可充电镍金属氢化物等电池，充电速度慢。广泛应用于手机、平板电脑、笔记本电脑甚至特斯拉汽车的锂离子电池具有优异的性能。与传统的，锂离子电池有以下特点:-容量相同，电池容量更大;-无召回效果，使用寿命更长;低污染;-充电速度更快;更低的价格;随着锂离子电池产业化的深入，其单位容量价格逐渐降低，资金优势现在优于传统的可充电干电池，所以5号电池内置锂离子电池，可以如下图，标准microUSB充电，兼容性好。但是如何解决锂离子电池充电的问题，如何解决锂离子电池的。5.电池，原理框图及实物样例如下。充电容量可达500mA,，支持小电感，输出电流。 在输入端的NTC热敏电阻，是靠充电器的输入电流来加热，降低电阻。XBL6032Q2SSM电源管理ICNTC充电管理

集成了同步开关电压变换器、快充协议控制器、 电池充放电管理、电池电量计，I2C 通信等功能模块。磷酸铁锂保护芯片

ESD（ Electrostatic Discharge）静电放电：在半导体芯片行业，根据静电产生方式和对电路的损伤模式不同，可以分为以下四种方式：人体放电模式（HBM：Human-body Model）、机器放电模式 （MM：Machine Model）、元件充电模式（CDM：Charge-Device Model）、电场感应模式（FIM：Field-Induced Model），但业界关注的HBM、MM、CDM。以上是芯片级ESD，不是系统级ESD； 芯片级ESD：HBM 大于2KV，较高的是8KV。 系统级ESD：接触ESD和空气ESD，指的是系统加上外置器件做的系统级的ESD，一般空气是15KV，接触是8KV。磷酸铁锂保护芯片