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ESD（ Electrostatic Discharge）静电放电：在半导体芯片行业，根据静电产生方式和对电路的损伤模式不同，可以分为以下四种方式：人体放电模式（HBM：Human-body Model）、机器放电模式 （MM：Machine Model）、元件充电模式（CDM：Charge-Device Model）、电场感应模式（FIM：Field-Induced Model），但业界关注的HBM、MM、CDM。以上是芯片级ESD，不是系统级ESD； 芯片级ESD：HBM 大于2KV，较高的是8KV。 系统级ESD：接触ESD和空气ESD，指的是系统加上外置器件做的系统级的ESD，一般空气是15KV，接触是8KV。锂电池转1.5V锂可充SOC。2j1Ha

DC/DC转换器在高效率地转换能量方面属于有效的电源，但因为线圈必须具有磁饱和特性和防止烧毁的特性，使得实现超薄化较为困难。一般情况下只得在成平面形状的电路板上安装IC、线圈及电容，这种解决方案不利于产品的小型化。 为了解决以上的问题，进行了以下几种思考和设计。首先是在硅晶圆上形成线圈的方法，为了确保作为DC/DC转换器时具有足够的电感值，半导体工艺变得极为复杂，使得成本上升。实际上只停留在高频滤波器方面的应用。其次是把线圈和DC/DC转换器IC封入一个塑料模压封装组件中的方法，因为只是单纯地装入元器件缩小不了太多的安装面积，不能带来大程度的改善。 进而出现了不是平面地放置各种元器件，而是把包括IC的元器件叠在一起的设计方案,实际上也出现的几种这样的产品。但是这种方案要么需要在线圈上印制布线用的图案，要么需要CSP（芯片尺寸级封装）型IC,要么在封装IC时必须实施模压工程，使得制作工程复杂，带来了产生成本上升的课题。XBR5152QS电源管理ICNTC充电管理XF5131是赛芯推出的一款集成充电管理、锂电池保护、低功耗二合一芯片。

随着技术的不断进步，电源管理芯片呈现出一些明显的发展趋势。首先是集成度越来越高，将更多的功能集成在单个芯片上，减小系统尺寸和成本。其次是朝着更高效率和更低功耗的方向发展，以满足绿色能源和节能的需求。再者，智能化程度不断提高，能够自适应地调整电源参数，适应不同的工作负载和环境条件。另外，对于高频和高功率密度的追求也在持续，以满足日益增长的性能要求。同时，在新材料和新工艺的推动下，电源管理芯片的性能和可靠性将不断提升。

DS6036B集成NTC功能，可检测电池温度。DS6036B工作的时候，在NTC引脚产生一个恒流源，与外部NTC电阻来产生电压。芯片内部通过检测NTC引脚的电压来判断当前电池的温度。DS6036B刚刚接入电池时，显示全部点亮5s，在非充电状态，当电池电压过低触发低电关机，DS6036B会进入锁定状态。DS6036B为了降低静态功耗，在电池低电锁定状态下，DS6036B不支持负载插入检测功能，此时按键动作无法开启升降压输出，只能用于查看电量。DS6036B在锁定状态，必须要有充电动作才能使能芯片功能。放电过程中，利用内部的高精度 ADC，实时监测流经采样电阻的电流。

电源管理芯片是一种在电子设备中负责管理和优化电源供应的集成电路。它在现代电子系统中起着举足轻重的作用。电源管理芯片的主要任务是将输入电源（如电池、市电等）转换为各种不同的电压和电流，以满足电子设备中不同组件的特定需求。例如，将电池的直流电转换为处理器所需的特定电压，或者将市电降压并整流为适合手机充电的电流。其重要性不可忽视。它能够确保电子设备在不同工作条件下都能获得稳定、可靠且高效的电源，从而保障设备的正常运行。如果没有高效的电源管理芯片，电子设备可能会出现性能不稳定、电池寿命缩短甚至硬件损坏等问题。降压型 C+CA 多口快充 SOC。XB6061I2电源管理IC芯纳科技

适用范围：适用于标称电压3.7V，充满电压4.2V的锂电池。2组电池的容量/内阻越接近越好!2j1Ha

低压差线性稳压器原理上与一般的线性直流稳压器基本相同，区别在于低压差稳压器输出端的功率由NPN晶体管共集极架构改为PNP集电极开路架构(以使用双极性晶体管以言)。这种架构下，功率晶体管的控制极只要利用对地的电压差就能让晶体管处于饱和导通状态，因此输入端只需高出输出端多于功率晶体管的饱和电压，稳压器就能运作，稳定输出电压。 这类设计在保持稳定性方设计难度较高，因为输出级的阻抗较大，较易不稳定或起振。 低压差稳压器所使用的功率晶体管可以是双极性晶体管或场效晶体管。 双极性晶体管因为基极电流的关系，会耗用额外的电流，增加功耗，在相对高输出电压、低输出电流、低输出输入电压差的情况下尤其明显。 场效晶体管没有双极性晶体管的功耗问题，但其所需导通的闸极电压限制了其在低输出电低的应用，而且场效晶体管管的成本较高。随着半导体技术的进步，这两方面的问题都得以改善。2j1Ha