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    l电流能力DC50Al隔离耐压15kVl响应时间150msl工作方式气动控制l工作气压l工作温度室温～40℃l工作湿度<70%14）工控机及操作系统用于控制及数据处理，采用定制化系统，主要技术参数要求如下：l机箱：4Μ15槽上架式机箱；l支持ATX母板；lCPΜ：INTEL双核；l主板：研华SIMB；l硬盘：1TB；内存4G；l3个”和1个”外部驱动器；l集成VGA显示接口、4个PCI接口、6个串口、6个ΜSB接口等。l西门子PLC逻辑控制15）数据采集与处理单元用于数据采集及数据处理，主要技术参数要求如下：l示波器;高压探头：满足表格4-11动态参数、短路电流、安全工作区测试需求l电流探头：满足表格4-11动态参数、短路电流、安全工作区测试需求l状态监测：NI数据采集卡l上位机：基于Labview人机界面l数据提取：测试数据可存储为Excel文件及其他用户需要的任何数据格式，特别是动态测试波形可存储为数据格式；所检测数据可传递至上位机处理；从检测部分传输的数据经上位机处理后可自动列表显示相应测试数据；数据处理和状态检测部分内容可扩展16）机柜及其面板用于安装固定试验回路及单元；主要技术参数要求如下；l风冷系统；l可显示主要电气回路参数及传感器测量值；l可直观监视试验过程。左边所示为一个N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+区称为源区，附于其上的电极称为源极（即发射极E）。上海贸易模块报价表

    收藏查看我的收藏0有用+1已投票0可控硅模块编辑锁定讨论可控硅模块通常被称之为功率半导体模块(semiconductormodule)。**早是在1970年由西门康公司率先将模块原理引入电力电子技术领域，是采用模块封装形式，具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。中文名可控硅模块外文名semiconductormodule别名功率半导体模块时间1970年目录1分类2优点3规格型号可控硅模块分类编辑可控硅模块从内部封装芯片上可以分为可控模块和整流模块两大类；从具体的用途上区分，可以分为：普通晶闸管模块（MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模块(MDC)、普通晶闸管、整流管混合模块(MFC)、快速晶闸管、整流管及混合模块（MKC\MZC)、非绝缘型晶闸管、整流管及混合模块（也就是通常所说的电焊机**模块MTG\MDG)、三相整流桥输出可控硅模块（MDS)、单相（三相）整流桥模块（MDQ)、单相半控桥（三相全控桥）模块(MTS)以及肖特基模块等。可控硅模块优点编辑体积小、重量轻、结构紧凑、可靠性高、外接线简单、互换性好、便于维修和安装；结构重复性好，装置的机械设计可以简化，价格比分立器件低等诸多优点，因而在一诞生就受到了各大电力半导体厂家的热捧，并因此得到长足发展。上海模块品牌同一代技术中通态损耗与开关损耗两者相互矛盾,互为消长。

    1范围本技术规范提出的是比较低限度的要求，并未对所有技术细节作出规定，也未充分引述有关标准和规范的条文，供货方应提供符合工业标准和本技术规范的质量产品。本技术规范所使用的标准如遇与供货方所执行的标准不一致时，应按较高标准执行。2应遵循的主要现行标准该功率半导体模块测试系统的设计、制造、检查、试验等遵循如下国内国际标准，但不限于以下标准。GB13869-2008用电安全导则GB19517-2004国家电器设备安全技术规范GB/T运动设备及系统GB4208-2008外壳防护等级（IP代码）（IEC60529：2001，IDT）GB/T191-2008包装储运图示标志GB/T15139-1994电工设备结构总技术条件GB/T2423电工电子产品环境试验GB/T3797-2005电气控制设备GB/T印制板的设计和使用GB/T9969-2008工业产品使用说明书总则GB/T6988-2008电气技术用文件的编制GB/T半导体变流器变压器和电抗器GB/T绝缘配合第1部分：定义、原则和规则IEC60747-2/GB/T4023-1997半导体器件分立器件和集成电路第2部分:整流二极管IEC60747-9:2007/GB/T29332-2012半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBTs）3技术要求功能与测试对象*1）功能GBT模块动态参数测试。*2）测试对象被测器件IGBT模块动态参数。

可控硅模块通常被称之为功率半导体模块(semiconductor module)。**早是在1970年由西门康公司率先将模块原理引入电力电子技术领域，是采用模块封装形式，具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。

可控硅模块从内部封装芯片上可以分为可控模块和整流模块两大类；从具体的用途上区分，可以分为：普通晶闸管模块（MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模块(MDC)、普通晶闸管、整流管混合模块(MFC)、快速晶闸管、整流管及混合模块（MKC\MZC)、非绝缘型晶闸管、整流管及混合模块（也就是通常所说的电焊机**模块MTG\MDG)、三相整流桥输出可控硅模块（MDS)、单相（三相）整流桥模块（MDQ)、单相半控桥（三相全控桥）模块(MTS)以及肖特基模块等。 在实际应用中当下流行和**常见的电子元器件是双极结型晶体管 BJT 和 MOS管。

    不要做让模块电极的端子承受过大应力。2）IGBT模块的散热器应根据使用条件和环境及IGBT模块参数进行匹配选择，以保证GBT模块工作时对散热器的要求。为了减少接触热阻，推荐在散热器与IGBT模块之间涂上一层很薄的导热硅脂。3）IGBT模块安装到散热片上时，要先在模块的反面涂上散热绝缘混合剂（导热膏），再用推荐的夹紧力距充分旋紧。另外，散热片上安装螺丝的位置之间的平坦度应控制在100μm以下，表面粗糙度应控制在10μm以下。散热器表面如有凹陷，会导致接触热阻（Rth（c—f）的增加。另外，散热器表面的平面度在上述范围以外时，IGBT模块安装时（夹紧时）会给IGBT模块内部的芯片与位于金属基板间的绝缘基板增加应力，有可能产生绝缘破坏。4）IGBT模块底板为铜板的模块，在散热器与IGBT模块均匀受力后，从IGBT模块边缘可看出有少许导热硅脂挤出为**佳。IGBT模块底板为DBC基板的模块，散热器表面必须平整、光洁，采用丝网印刷或圆滚滚动的方法涂敷一薄层导热硅脂后，使两者均匀压接。IGBT模块直接固定在散热器上时，每个螺钉需按说明书中给出的力矩旋紧，螺钉一定要受力均匀，力矩不足导致热阻增加或运动中出现螺钉松动。两点安装紧固螺丝时。N基极称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极（即门极G）。北京模块代理商

于是，就形成了各种各样的IGBT单管和模块。上海贸易模块报价表

    且所述压紧部32远离所述连接板311的一端朝背离所述挡板11的一侧斜向下延伸。本实施例，由于所述压紧部在工作时，远离所述连接板的一端会抵设在所述igbt单管的上侧，即相比于自然状态下，所述压紧部远离所述连接板的一端在工作时会略微向上抬起。本实施例，使所述压紧部在自然状态下，远离所述连接板的一端朝背离所述挡板的一侧斜向下延伸，这样，可以使所述压紧部远离所述连接板的一端在工作时仍然能够可靠地抵设在所述igbt单管上。如图2和图3所示，可选的，所述压紧部32远离所述连接部31的一端设置有工装槽321。本实施例，可以通过所述工装槽辅助抬起所述压紧部远离所述连接部的一端；具体的，可以将与所述工装槽适配的工装插入所述工装槽内，然后通过所述工装向上勾起所述压紧部的该端部，就可以在该压紧部的下方布置igbt单管了。本实施例中所述压紧部上的工装槽，与工装相互配合可以极大的方便所述压紧件的使用，提高所述igbt单管的安装效率。如图2和图3所示，作为上述实施例的一可选实施方式，在所述压紧部32远离所述连接板311的一端朝背离所述挡板11的一侧斜向下延伸的情况下，所述压紧部32远离所述连接部31的端部还斜向上翘起。上海贸易模块报价表

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