万用表的表针应有较大摆幅，可控硅模块的容质越大。摆动后，如果可控硅模块在电源接通的瞬间，则注明可控硅模块失效或断路若表针不停指示电源电压而不作摆动！评释可控硅模块已被击穿短路若表针摆动正常，但不返回零位，注明电容器有漏电景象。中高压固态软启动柜产品简介：主断路器、控制变压器、控制模块、可控硅模块、电动机保护模块、高压真空旁路接触器。软起动... 【查看详情】

可控硅智能调压模块过电压保护的主要原因是工作过电压和浪涌过电压，根据过电压保护的位置，可分为交流侧保护、直流侧保护和元件保护。可控硅智能调压模块的正电阻减小。在一般应用中，如果晶闸管长时间不使用且由于密封工艺不良而受到湿气影响，则容易减少具有正锁定技术能力的晶闸管元件，将晶闸管的正锁定能力降低到整流变压器的次级工作电压以下。我们不能等到触... 【查看详情】

并且其工作过程可以控制、被应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中，是典型的小电流控制大电流的设备。下面正高来详细讲解晶闸管模块的发展历史。半导体的出现成为20世纪现代物理学其中一项重大的突破，标志着电子技术的诞生。而由于不同领域的实际需要，促使半导体器件自此分别向两个分支快速发展，其中一个分支即是以集成电路为的微... 【查看详情】

微机电力谐振诊断消除装置利用高性能单片机作为检测、控制的中心元件。具有运算速度快，性能稳定，抗干扰能力强等优点。使用固态继电器，动作可靠，不易损坏，解决了使用电阻在大电流时易损坏的缺点。系统可以消除铁磁谐振，还可以区分过电压，单相接地故障。di/dt水平过高是晶闸管故障的主要原因之一。发生这种情况时，施加到半导体器件上的应力会较大超过额定... 【查看详情】

固态继电器是隔离的非接触式电子开关，其在开关过程期间不机械地接触电子元件。因此，固态继电器具有与电磁继电器相同的功能。此外，本发明还具有逻辑电路兼容性、抗振动、抗机械冲击、无限安装位置、良好的防潮、防霉、防腐、防爆和臭氧污染性能、低输入功率、高灵敏度和低控制功率、高电磁兼容性、低噪声和高工作频率。加温装置是控制恒温恒湿试验箱能否升温的一个... 【查看详情】

由于体积和重拉的限制，单台试验变压器额定电压不宜太高，为获得更高电压，可将几台变压器串联，构成串联试验变压器。带高压开关柜耐压仪工频高电压的产生主要高压试验变压器，试验变压器的工作原理和电力变压器相间，经过电磁耦合将较低电压升至所需高电压，试验变压器电压较高，容量相对较小，工作时问短，绝缘安全裕度较小，对输出波形畸变率及局部放电有严格要求... 【查看详情】

在这种情况下，可以考虑在控制回路中安装快速保险丝和空气开关以进行保护。因此，应选择具有输出保护，内置RC缓冲电路和MOV的固态继电器，可以吸收浪涌电压并提高dv/dt耐受性。在继电器输出端并联RC缓冲电路和MOV也是可行的，以实现输出保护。驱动芯片完全可以满足本设计对继电器和电机的驱动控制。市场上蓝牙通信模块种类较多，各种模块的功能也各不... 【查看详情】

这可用于检测过载情况和故障情况。然后宣布保护装置的跳闸命令。这些继电器已经发展成为微处理器系统以及固态电子设备。每当汲取极端电流时，该继电器就会停用设备。导纳继电器是常用的距离继电器。在试验方案中它是跳闸继电器，在步距方案中它是后备继电器。它的特性通过R-X图的原点，因此是有方向的。在机电设计中，它是圆形的，而在固态设计中，它的形状可以对... 【查看详情】

整流器可以分为两类：一是不可控整流器；二是可控硅整流器（也就是我们经常说的晶闸管）。在这里，正高就和大家聊一下晶闸管的基础知识。1、晶闸管模块介绍晶闸管模块是一种多层半导体，它与晶体管的构造相似。晶闸管是由三个部件（阳极、阴极、栅极）组成，它不像两端二极管（阳极、阴极）一样，无论二极管的阳极电压如何大于阴极电压，也不会受控制，晶闸管可以控... 【查看详情】

对于预充电回路设计在整流回路之前的，是采用可控硅半控或全控桥整流，测试结果应有一相与其他两相正反电阻测试值不相同，也就是说有一相实际是测试的二极管预充电回路的电阻值。对于6脉波触发的三相逆变桥原理也是利用每个逆变igbt模块内都并联一个续流二极管，静态下存在单向导电性，测量方法同整流桥检测方法相同。配套的还有数显式网带测速定位的装置，网带... 【查看详情】

经常发生事故的参数有：电压、电流、dv/dt、di/dt、漏电、开通时间、关断时间等，甚至有时控制极也可烧坏。由于晶闸管模块各参数性能的下降或线路问题会造成晶闸管模块烧损，从表面看来每个参数所造成晶闸管模块烧损的现象是不同的，因此通过解剖烧损的晶闸管模块就可以判断出是由哪个参数造成晶闸管模块烧坏的。一般情况下阴极表面或芯片边缘有一烧损的小... 【查看详情】

普遍应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变、变频等电子电路中。可控硅导通条件为：正电压下，门极触发电流；导通器件有：快速可控硅、双向可控硅、反向可控硅、光控可控硅等。这也是一类大功率电源的开关半导体器件，在电路当中用字母符号“V”表示，用VT表示（旧标准中用“SCR”表示）。可控可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变和变频等电子... 【查看详情】