pmos管的漏极通过电阻接自适应动态偏置电路的第二输出端,第二输出端用于为功率放大器栅放大器的栅极提供偏置电压。可选的,射频输入端和射频输出端之间设置有两个主体电路,每个主体电路包括激励放大器和功率放大器,激励放大器和功率放大器通过匹配网络连接;主体电路中的激励放大器与变压器的副边连接,第二主体电路中的激励放大器与第二变压器的副边...
查看详细 >>因为设计的可控衰减电路中电感的品质因数q较低,因此频选特性不明显,频率响应带宽较宽,带来的射频信号的插入损耗相对较小。负增益模式下的回波损耗和频率响应带宽也能满足要求。假设fh为上限频率,fl为下限频率,fo为中心频率;且有:fh=900mhz,fl=600mhz,fo=800mhz,回波损耗大于15db,频率响应的带宽可达到30...
查看详细 >>通过微处理器发出的第五控制信号和第六控制信号,控制电压源档位的切换,可切换第三mos管的栅极电压,从而调节驱动放大电路的放大倍数。通过调节驱动放大电路的放大倍数使射频功率放大器电路处于不同的增益模式中。第二电压信号vcc用于给第二mos管和第三mos管的漏级供电,其中,通过微处理器控制vcc的大小。在一些实施例中,当第二mos管和...
查看详细 >>pmos管的漏极通过电阻接自适应动态偏置电路的第二输出端,第二输出端用于为功率放大器栅放大器的栅极提供偏置电压。可选的,射频输入端和射频输出端之间设置有两个主体电路,每个主体电路包括激励放大器和功率放大器,激励放大器和功率放大器通过匹配网络连接;主体电路中的激励放大器与变压器的副边连接,第二主体电路中的激励放大器与第二变压器的副边...
查看详细 >>包括:功率放大单元、功率合成变压器以及匹配滤波电路,其中:所述功率放大单元,输入端输入差分信号,第二输入端输入第二差分信号,输出端输出经过放大的差分信号,第二输出端输出经过放大的第二差分信号;所述功率合成变压器,包括初级线圈以及次级线圈;所述初级线圈的输入端输入所述经过放大的差分信号,第二输入端输入所述经过放大的第二差分信号;所述...
查看详细 >>经过数十年的发展,GaN技术在全球各大洲已经普及。市场的厂商主要包括SumitomoElectric、Wolfspeed(Cree科锐旗下)、Qorvo,以及美国、欧洲和亚洲的许多其它厂商。化合物半导体市场和传统的硅基半导体产业不同。相比传统硅工艺,GaN技术的外延工艺要重要的多,会影响其作用区域的品质,对器件的可靠性产生巨大影响。这也是...
查看详细 >>RFMDWiFiPA产品线型号非常多,几乎可以满足所有WiFi产品的射频需求。P/NMinFreqMaxFreqGainPOUTEVM(%)Vcc(V)TxIcc(mA)RFRFRFRF018120RFRFRFRF018120RFRF02810355RFRFRFRF03018395RFRF0345800RF02851000RF03...
查看详细 >>横坐标为输出功率pout,曲线41对应自适应动态偏置电路提供给共栅放大器的栅极偏置电压,曲线42对应自适应动态偏置电路提供给共源放大器的栅极偏置电压。图5示例性地示出了本申请实施例提供的高线性射频功率放大器对应的imd3(thirdorderintermodulation,三阶互调)曲线图51,以及现有的射频功率放大器对应的imd...
查看详细 >>则该阻抗与rfin端的输入阻抗zin共轭匹配,zin=r0-jx0;加入可控衰减电路后,在输入匹配电路101之前并联接地的r2和sw1所在的支路中,为保证有效的功率衰减,r2一般控制得较小,故对r0影响可以忽略。sw1关断时,r2和sw1所在的支路可以等效成寄生电抗xc,此时,可控衰减电路和输入匹配电路的等效阻抗zeq=(r0+j...
查看详细 >>输入可重构匹配网络模块100包括输入切换单元110、大功率输入匹配单元120和低功率输入匹配单元130。其中大功率输入匹配单元120的输入端与输入切换单元110的输出端连接,大功率输入匹配单元120的输出端连接至输入可重构匹配网络模块100的大功率匹配输出端。低功率输入匹配单元130的输入端与输入切换单元110的第二输出端连接,低...
查看详细 >>所述宽带可重构功率放大器通过所述外部射频输入端接收通信信号时,切换至超宽带低功率线性放大模式工作,并通过所述射频输出端输出功率放大后的通信信号。实施本发明的宽带可重构功率放大器及采用该宽带可重构功率放大器的雷达系统,具有以下有益效果:1、本发明的大动态范围宽带可重构放大器提供了宽带大功率高效率输出模式和超宽带低功率线性输出模式,两...
查看详细 >>gate)电压偏置电路由内部电压源vg、r8、r9和c13按照图7所示连接而成。r8、r9和c13组成的t型网络,起到隔离t3栅极较弱射频电压摆幅的作用。在实际模拟电路中设计电压源,可将vg电压分成多个档位,通过数字寄存器(属于微控制器)控制切换vg档位,达到t3栅极电压切换的效果。其中,t4和t5组成的叠管结构,与t2和t3组成...
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