一般来说，它是一个去耦电容。或者数字电路通断时，对电源影响很大，造成电源波动，需要用电容去耦。通常，容量是芯片开关频率的倒数。如果频率为1MHz，选择1/1M，即1uF。你可以拿一个大一点的。比较好有芯片和去耦电容，电源处应该有，用的量还是蛮大的。在一般设计中，提到通常使用0.1uF和10uF、2.2uF和47uF进行电源去耦。在实际应用... 【查看详情】

电解电容器的寿命除了与电容器长期工作的环境温度有关，另一原因，电解电容器的寿命还与电容器长时间工作的交流电流与额定脉冲电流（一般是指在85℃的环境温度下测试值，但是有一些耐高温的电解电容器是在125℃时测试的数据）的比值有关。一般说来，这个比值越大，电解电容器的寿命越短，当流过电解电容器的电流为额定电流的3.8倍时，电解电容器一般都已经损... 【查看详情】

电解电容器的寿命与电容器长期工作的环境温度有直接关系，温度越高，电容器的寿命越短。普通的电解电容器在环境温度为90℃时已经损坏。但是现在有很多种类的电解电容器的工作环境温度已经很高在环境温度为90℃，通过电解电容器的交流电流和额定脉冲电流的比为0.5时，寿命仍然为10000h，但是如果温度上升到95℃时，电解电容器即已经损坏。因此，在选择... 【查看详情】

一般来说，它是一个去耦电容。或者数字电路通断时，对电源影响很大，造成电源波动，需要用电容去耦。通常，容量是芯片开关频率的倒数。如果频率为1MHz，选择1/1M，即1uF。你可以拿一个大一点的。比较好有芯片和去耦电容，电源处应该有，用的量还是蛮大的。在一般设计中，提到通常使用0.1uF和10uF、2.2uF和47uF进行电源去耦。在实际应用... 【查看详情】

I类陶瓷电容器按照美国电工协会(EIA)的标准，是C0G(数字0，不是字母O，部分文件笔误COG)或NP0(数字0，不是字母O，部分文件笔误NPO)，以及中国标准CC系列等各类陶瓷介质(温度系数为030ppm/)，极其稳定，温度系数极低，不会出现老化现象和损耗因子。这种介质非常适用于高频(特别是用于工业高频感应加热、高频无线传输等应用的高... 【查看详情】

引线结构的电解电容器：引线结构电解电容器也采用“负极标记”，即套管的“-”标记对应的引线为负极。还有就是根据引线的长度来识别，长引线为正，短引线为负。片式铝电解电容器片式铝电解电容器没有套管，所以容量、电压、正负极的信息都印在铝壳的底部。了解电解电容的判断方法。电解电容器常见的故障有容量降低、容量消失、击穿短路和漏电，其中容量变化是由于电... 【查看详情】

施加在电解电容器两端的电压不能超过其允许的工作电压。在设计实际电路时，应根据具体情况留有一定的余量。在设计稳压电源的滤波电容时，如果在交流电源电压为220~时，变压器二次的整流电压能达到22V，一般耐压为25V的电解电容就能满足要求。但如果交流电源电压波动较大，有可能上升到250V以上，比较好选择耐压30V以上的电解电容。电解电容器不应靠... 【查看详情】

DC偏置特性陶瓷电容器的另一个特性是其DC偏置特性。对于在陶瓷电容器中被归类为高电感系列的电容器(X5R、X7R特性),由于DC电压的施加，静电电容有时会与标称值不同，因此应特别注意。例如，施加到具有高介电常数的电容器的DC电压越大，其实际静电容量越低。6.常见问题6.1机械应力导致电容器故障陶瓷电容器较坑的故障是短路。陶瓷电容一旦短路，... 【查看详情】

铝电解电容器的击穿是由于阳极氧化铝介质膜破裂，导致电解液与阳极直接接触。氧化铝膜可能由于各种材料、工艺或环境条件而局部损坏。在外加电场的作用下，工作电解液提供的氧离子可以在受损部位重新形成氧化膜，从而对阳极氧化膜进行填充和修复。但如果受损部位有杂质离子或其他缺陷，使填充修复工作不完善，阳极氧化膜上会留下微孔，甚至可能成为通孔，使铝电解电容... 【查看详情】

软端电容（SoftTerminationCapacitor）是一种‌抗机械应力型多层陶瓷贴片电容（MLCC）‌，其重心设计在于端电极结构的柔性化，通过引入柔性导电材料或树脂缓冲层，减少电路板弯曲、振动或热冲击导致的内部陶瓷介质裂纹风险。‌结构特点‌：‌基础架构‌：由多层陶瓷介质（如氧化铝、钛酸钡基材料）与金属内电极交替堆叠，外覆金属端电极... 【查看详情】

电解电容器是开关电源中一次和二次回路滤波电路中较重要的器件之一。通常，电解电容器的等效电路可以认为是理想电容器与寄生电感、等效串联电阻的串联。众所周知，开关电源是当今信息家电设备的主要电源，为电子设备小型轻便化作出不可磨灭的贡献。开关电源不断的小型化、轻量化和高效率，在电子设备中使用量越来越大，普及率越来越高。相应的就要求电解电容器小型大... 【查看详情】

一般来说，它是一个去耦电容。或者数字电路通断时，对电源影响很大，造成电源波动，需要用电容去耦。通常，容量是芯片开关频率的倒数。如果频率为1MHz，选择1/1M，即1uF。你可以拿一个大一点的。比较好有芯片和去耦电容，电源处应该有，用的量还是蛮大的。在一般设计中，提到通常使用0.1uF和10uF、2.2uF和47uF进行电源去耦。在实际应用... 【查看详情】