电容：可分为无极性和有极性两类，无极性电容下述两类封装**为常见，即0805、0603；所以其温度稳定性以及精度都不是很高，而贴片元件由于其紧贴电路版，所以要求温度稳定性要高，所以贴片电容以钽电容为多，根据其耐压不同，贴片电容又可分为A、B、C、D四个系列，具体分类如下：类型封装形式耐压贴片电容的尺寸表示法有两种，一种是英寸为单位来表示，...

  自举：用在自举电路中的电容器称为自举电容，常用的OTL功率放大器输出级电路采用这种自举电容电路，以通过正反馈的方式少量提升信号的正半周幅度。分频：在分频电路中的电容器称为分频电容，在音箱的扬声器分频电路中，使用分频电容电路，以使高频扬声器工作在高频段，中频扬声器工作在中频段，低频扬声器工作在低频段。负载电容：是指与石英晶体谐振器一起决定负...

  陶瓷气体放电管的组成放电管是一个两边封有金属材料，中间一般为陶瓷，内部充有惰性气体的密封式圆形绝缘体，电极从两金属片上引出。根据放电管绝缘空间的大小，分成二级、三级或多级放电管，又以电压的高低分档。管壳多为Al2O3陶瓷，管内壁表面画有导电带（碳线），电极由Fe-Ni-Co合金、Fe-Ni合金或无氧铜（Oxygenfreecopper...

  1.激光二极管发射的激光有可能对人眼造成伤害。二极管工作时，严禁直接注视其端面，不能透过镜片直视激光，也不能透过反视镜观察激光。2.器件需要合适的驱动电源，瞬时反向电流不能超过2uA，反向电压不得超过3V,否则会损坏器件。驱动电源子在电源通断时，要防止浪涌电流的措施。用示波器测试驱动电路时，要先断开电源再连接示波器探头，若在通电情况下测试...

  全球铝电解电容供应市场日趋成熟，主要集中在日本、中国大陆、中国台湾地区以及韩国等地区。从近几年的行业总体竞争格局来看，日本的电解电容的生产量开始逐渐萎缩减产，取而代之的是走韩国企业，中国台湾企业，中国大陆企业。铝电解电容这种产品在1978年之前，在中国大陆当时算是高新技术产品，而经过三十多年的发展，铝电解电容这种产品对于国内铝电解电容的生...

  电容器主要分类：6．低频旁路：纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、涤纶电容器。7、滤波：铝电解电容器、纸介电容器、复合纸介电容器、液体钽电容器。8．调谐：陶瓷电容器、云母电容器、玻璃膜电容器、聚苯乙烯电容器。9．低耦合：纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、涤纶电容器、固体钽电容器。10．小型电容：金属化纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电...

  稳压二极管，英文名称Zenerdiode，又叫齐纳二极管。利用PN结反向击穿状态，其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象，制成的起稳压作用的二极管。[1]此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件.在这临界击穿点上，反向电阻降低到一个很小的数值，在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定，稳压二极管是根据击穿电压...

  激光二极管LD包括单异质结（SH）、双异质结（DH）和量子阱（QW）激光二极管。量子阱激光二极管具有阈值电流低，输出功率高的优点，是市场应用的主流产品。同激光器相比，激光二极管具有效率高、体积小、寿命长的优点，但其输出功率小（一般小于2mW），线性差、单色性不太好，使其在有线电视系统中的应用受到很大限制，不能传输多频道，高性能模拟信号。在...

  —稳定电压指稳压管通过额定电流时两端产生的稳定电压值。该值随工作电流和温度的不同而略有改变。由于制造工艺的差别，同一型号稳压管的稳压值也不完全一致。例如，2CW51型稳压管的Vzmin为,Vzmax则为。—反向漏电电流指稳压管产生稳定电压时通过该管的电流值。低于此值时，稳压管虽然也能稳压，但稳压效果会变差;高于此值时，只要不超过额定功率损...

  整流作用高压二极管击穿，会烧断高压保险丝。高压二极管内部烧断，会只有交流高压，没有直流高压。在阳极与阴极之间加上—定的直流电压，阴极发射的电子受阳极正电位影响而飞向阳极，另外再有磁铁的作用,在空间上存在方向与电场垂直的磁场，因而电子在磁场力和电场力作用下作轮摆运动。因阳极谐振腔内存在高频电场，因而就会形成绕阳极旋转的“电子云”；当旋转...

  防雷器的常见执行标准（各国要求不一样）：IEC61643-1 、GB18802.1-2002、UL1283Filter 、UL1449.2nd.Edition我国现在防雷系统现在实施的是中华人民共和国建设部2004年3月1日制定的：GB50343—2004《建筑物电子信息系统防雷技术规范》和中华人民共和国建设部2000年10月1号制定的：...

  现代通信技术和微电子技术推动半导体器件向微型化、高频高速、高集成度、微功耗方向发展，从而促进半导体材料和工艺的不断更新。具有良好高频特性的GaAsSiGeInGaPInP以及一些新型半导体化合物材料通常属于ESD高敏感材料:高集成度芯片内部的细引线、小间距、薄膜化使器件尺寸进一步缩小，氧化层进一步减薄，导致器件抗ESD能力越来越低高速数字...