半导体光子型探测器的性能在很大程度上取决于制备探测器所用的半导体材料。本征半导体材料比掺杂半导体材料更加有用。本征半导体材料既能用来制作光导型探测器，又能制做光伏型探测器；而掺杂半导体只能做成光导型探测器。截止波长较长的半导体光子型探测器，大多数必须在较低温度下工作，如77K，38K或4.2K。同一探测器在室温下的探测率明显低于低温下的探测率。为了保持半导体光子型探测器的正常工作，常把探测器置于低温容器（杜瓦瓶）中，或用微型致冷器使探测器达到较低的工作温度。光生载流子在雪崩区即高电场区发生雪崩倍增。广东雪崩光电探测器价格行情光子型探测器是有选择性响应波长的探测器件。只有当入射光子能量大于光敏材...

利用内光电效应制成的光子型探测器是用半导体材料制成的固态电子器件，主要包括光电导探测器和光伏型探测器等。光电导探测器具有光电导效应，是指由辐射引起被照射材料电导率改变的一种物理现象。当照射的光子能量hv等于或大于半导体的禁带宽度Eg时，光子能够将价带中的电子激发到导带，从而产生导电的电子、空穴对,这就是本征光电导效应。光伏型探测器通常由半导体PN结构成，其原理是利用PN结的内建电场将光生载流子（用光照射半导体时，若光子的能量等于或大于半导体的禁带宽度，则价带中的电子吸收光子后进入导带，产生电子-空穴对）扫出结区而形成信号。当探测器受到光照(辐照)、体内发生本征光吸收时，产生两种带相反电荷的光生...

雪崩光电二极管（APD）当二极管PN结上加上足够强的反向电压的时候，耗尽区存在一个很强的场，足够使强电场飘移的光生载流子获得充分的动能来通过晶格原子碰撞产生新的载流子，新的载流子再次碰撞形成更多载流子，这样就实现了雪崩式的载流子倍增。但这同时也会造成噪声的放大当入射光功率脚较小时，多采用APD，此时引入的噪声不大，在入射光功率较大时，雪崩增益引起的噪声贡献占主要优势，可能带来光电流的失真，采用APD带来的好处不大，采用PIN更为合适。利用外光电效应制成的光子型探测器是真空电子器件，如光电管、光电倍增管和红外变像管等。石岩50GHZ PIN光电探测器供应光电探测器件的应用选择，实际上是应用时的一...

光电探测器的光电转换特性必须和入射辐射能量相匹配。其中首先要注意器件的感光面要和照射光匹配好，因光源必须照到器件的有效位置，如光照位置发生变化，则光电灵敏度将发生变化。如光敏电阻是一个可变电阻，有光照的部分电阻就降低，必须使光线照在两电极间的全部电阻体上，以便有效地利用全部感光面。光电二极管、光电三极管的感光面只是结附近的一个极小的面积，故一般把透镜作为光的入射窗，要把透镜的焦点与感光的灵敏点对准。一定要使入射通量的变化中心处于检测器件光电特性的线性范围内，以确保获得良好的线性输出。对微弱的光信号，器件必须有合适的灵敏度，以确保一定的信噪比和输出足够强的电信号。光电探测器是光接收器的主要器件之...

固体光电探测器用途非常广。CdS光敏电阻因其成本低而在光亮度控制（如照相自动曝光）中得到采用；光电池是固体光电器件中具有比较大光敏面积的器件，它除用做探测器件外，还可作太阳能变换器；硅光电二极管体积小、响应快、可靠性高，而且在可见光与近红外波段内有较高的量子效率，因而在各种工业控制中获得应用。硅雪崩管由于增益高、响应快、噪声小，因而在激光测距与光纤通信中普遍采用。photoconductivedetector利用半导体材料的光电导效应制成的一种光探测器件。所谓光电导效应，是指由辐射引起被照射材料电导率改变的一种物理现象。光电导探测器在国民经济的各个领域有较广用途。在可见光或近红外波段主要用于射...

为了提高传输效率并且无畸变地变换光电信号，光电探测器不仅要和被测信号、光学系统相匹配，而且要和后续的电子线路在特性和工作参数上相匹配，使每个相互连接的器件都处于比较好的工作状态。现将光电探测器件的应用选择要点归纳如下：光电探测器必须和辐射信号源及光学系统在光谱特性上相匹配。如果测量波长是紫外波段，则选用光电倍增管或专门的紫外光电半导体器件；如果信号是可见光，则可选用光电倍增管、光敏电阻和Si光电器件；如果是红外信号，则选用光敏电阻，近红外选用Si光电器件或光电倍增管。APD适用于接收灵敏度要求高的长距离传输和高速率通信系统。广东2GHZ APD光电探测器供应光电导器件：利用具有光电导效应的半导...

当光线照在物体上，使物体的电导率发生变化，或产生光生电动势的现象叫内光电效应。利用这种现象可以制成阴极射线管、光电倍增管和摄像管的光阴极等。半导体材料的价带与导带间有一个带隙，其能量间隔为Eg。一般情况下，价带中的电子不会自发地跃迁到导带，所以半导体材料的导电性远不如导体。但如果通过某种方式给价带中的电子提供能量，就可以将其激发到导带中，形成载流子，增加导电性。光照就是一种激励方式。当入射光的能量hν≥Eg(Eg为带隙间隔)时，价带中的电子就会吸收光子的能量，跃迁到导带，而在价带中下一个空穴，形成一对可以导电的电子——空穴对。这里的电子并未逸出形成光电子，但显然存在着由于光照而产生的电效应。因...

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光伏探测器基于光照产生电势差，用测电势差的原理。它分为光电池与光电二极管两种类型，光电池主要是把光能转换为电能的器件，目前有硒光电池、硅光电池、砷化镓及锗光电池等，但目前运用较广的是硅光电池。光电二级管分为P-N结光电二极管、PIN光电二级管、雪崩光电二极管、光电三级管等。PIN光电二极管又称快速光电二极管，与一般的光电二极管相比，它具有不的时间常量，并使光谱响应范转向长波方向移动，其峰值波长可移至1.04~1.06um而与YAG激光器的发射波长相对应。它具有灵敏度高的优点。它是由P型半导体和N型半导体之间夹了一层本征半导体构成的。因为本征半导体近似于介质，这就相当于增大了P-N结结电容两个电...

光通信虽然以光作为传播媒介，但归根结底还是基于电的。光载波需要使用电信号来进行调制，接收机接收到光信号也需要将其转换为电信号，才能获得所携带的信息。光的带宽暂且可以认为是无限的，但是电信号的带宽不可能无限提高。相对于低频信号，高频信号有着更高的损耗（包括导线损耗、介质损耗以及电磁辐射等），这就导致信号通路的频率响应是一条向下的曲线，高频成分的减少导致上升下降时间会比原来更长（因为高次谐波比低次谐波更为陡峭，这点很容易理解）。因此带宽的选择对时域波形的较短上升边有直接的影响。光电探测器的工作原理是基于光电效应。50GHZ PIN光电探测器推荐货源光电导器件：利用具有光电导效应的半导体材料做成的光...

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光伏探测器基于光照产生电势差，用测电势差的原理。它分为光电池与光电二极管两种类型，光电池主要是把光能转换为电能的器件，目前有硒光电池、硅光电池、砷化镓及锗光电池等，但目前运用较广的是硅光电池。光电二级管分为P-N结光电二极管、PIN光电二级管、雪崩光电二极管、光电三级管等。PIN光电二极管又称快速光电二极管，与一般的光电二极管相比，它具有不的时间常量，并使光谱响应范转向长波方向移动，其峰值波长可移至1.04~1.06um而与YAG激光器的发射波长相对应。它具有灵敏度高的优点。它是由P型半导体和N型半导体之间夹了一层本征半导体构成的。因为本征半导体近似于介质，这就相当于增大了P-N结结电容两个电...

固体光电探测器用途非常广。CdS光敏电阻因其成本低而在光亮度控制（如照相自动曝光）中得到采用；光电池是固体光电器件中具有比较大光敏面积的器件，它除用做探测器件外，还可作太阳能变换器；硅光电二极管体积小、响应快、可靠性高，而且在可见光与近红外波段内有较高的量子效率，因而在各种工业控制中获得应用。硅雪崩管由于增益高、响应快、噪声小，因而在激光测距与光纤通信中普遍采用。photoconductivedetector利用半导体材料的光电导效应制成的一种光探测器件。所谓光电导效应，是指由辐射引起被照射材料电导率改变的一种物理现象。光电导探测器在国民经济的各个领域有较广用途。在可见光或近红外波段主要用于射...

半导体光子型探测器的性能在很大程度上取决于制备探测器所用的半导体材料。本征半导体材料比掺杂半导体材料更加有用。本征半导体材料既能用来制作光导型探测器，又能制做光伏型探测器；而掺杂半导体只能做成光导型探测器。截止波长较长的半导体光子型探测器，大多数必须在较低温度下工作，如77K，38K或4.2K。同一探测器在室温下的探测率明显低于低温下的探测率。为了保持半导体光子型探测器的正常工作，常把探测器置于低温容器（杜瓦瓶）中，或用微型致冷器使探测器达到较低的工作温度。光电探测器在光通信系统中实现将光转变成电的作用。飞博光电高带宽光电探测器现货当光线照在物体上，使物体的电导率发生变化，或产生光生电动势的现...

半导体光子型探测器的性能在很大程度上取决于制备探测器所用的半导体材料。本征半导体材料比掺杂半导体材料更加有用。本征半导体材料既能用来制作光导型探测器，又能制做光伏型探测器；而掺杂半导体只能做成光导型探测器。截止波长较长的半导体光子型探测器，大多数必须在较低温度下工作，如77K，38K或4.2K。同一探测器在室温下的探测率明显低于低温下的探测率。为了保持半导体光子型探测器的正常工作，常把探测器置于低温容器（杜瓦瓶）中，或用微型致冷器使探测器达到较低的工作温度。非相干接收：在接收设备中不用载波相位信息去检测就接收信号。雪崩光电探测器价格对比光电探测器是一种受光器件,具有光电变换功能。光敏器件的种类...

光通信虽然以光作为传播媒介，但归根结底还是基于电的。光载波需要使用电信号来进行调制，接收机接收到光信号也需要将其转换为电信号，才能获得所携带的信息。光的带宽暂且可以认为是无限的，但是电信号的带宽不可能无限提高。相对于低频信号，高频信号有着更高的损耗（包括导线损耗、介质损耗以及电磁辐射等），这就导致信号通路的频率响应是一条向下的曲线，高频成分的减少导致上升下降时间会比原来更长（因为高次谐波比低次谐波更为陡峭，这点很容易理解）。因此带宽的选择对时域波形的较短上升边有直接的影响。APD雪崩二极管在很多地方使用于雷达、通信、遥控、遥测、仪器仪表中。高灵敏度光电探测器型号相干光通信系统的基本结构如下图所...

在光照射下，半导体PN结中的原子因吸收光子而受到激发。光子能量大于禁带时会产生电子-空穴对的非平衡载流子，在内建电场的作用下空穴移向P区，电子移向N区，形成与内建电场方向相反的光生电场，于是在P区和N区间建立了光生电动势。这种光照无偏置的PN结所产生的光生电动势的现象称为光生伏特的效应，相当于在PN结两端施加正向电压。与光电导效应相反，光伏效应是一种少数载流子过程，少数载流子寿命通常短于多数载流子，也因此光伏效应的光电探测器通常比用相同材料制成的光电导探测器响应更快。当光在半导体中传输时，光波的能量随着传播会逐渐衰减。飞博光电PIN光电探测器工作原理雪崩光电二极管（APD）当二极管PN结上加上...

光伏探测器基于光照产生电势差，用测电势差的原理。它分为光电池与光电二极管两种类型，光电池主要是把光能转换为电能的器件，目前有硒光电池、硅光电池、砷化镓及锗光电池等，但目前运用较广的是硅光电池。光电二级管分为P-N结光电二极管、PIN光电二级管、雪崩光电二极管、光电三级管等。PIN光电二极管又称快速光电二极管，与一般的光电二极管相比，它具有不的时间常量，并使光谱响应范转向长波方向移动，其峰值波长可移至1.04~1.06um而与YAG激光器的发射波长相对应。它具有灵敏度高的优点。它是由P型半导体和N型半导体之间夹了一层本征半导体构成的。因为本征半导体近似于介质，这就相当于增大了P-N结结电容两个电...

光电探测器必须和光信号的调制形式、信号频率及波形相匹配，以保证得到没有频率失真的输出波形和良好的时间响应。这种情况主要是选择响应时间短或上限频率高的器件，但在电路上也要注意匹配好动态参数；光电探测器必须和输入电路在电特性上良好地匹配，以保证有足够大的转换系数、线性范围、信噪比及快速的动态响应等；为使器件能长期稳定可靠地工作，必须注意选择好器件的规格和使用的环境条件，并且要使器件在额定条件下才能使用。光电流在外部电路作用下形成电信号并输出。石岩50GHZ PIN光电探测器价格行情光电探测器必须和光信号的调制形式、信号频率及波形相匹配，以保证得到没有频率失真的输出波形和良好的时间响应。这种情况主要...

光电探测器在光通信系统中实现将光转变成电的作用，这主要是基于半导体材料的光生伏特的效应，所谓的光生伏特X应是指光照使不均匀半导体或半导体与金属结合的不同部位之间产生电位差的现象。(光电导效应是指在光线作用下，电子吸收光子能量从键合状态过度到自由状态，而引起材料电导率的变化的象。即当光照射到光电导体上时，若这个光电导体为本征半导体材料，且光辐射能量又足够强，光电材料价带上的电子将被激发到导带上去，使光导体的电导率变大是指由辐射引起被照射材料电导率改变的一种物理现象，光子作用于光电导材料，形成本征吸收或杂质吸收，产生附加的光生载流子，从而使半导体的电导率发生变化，产生光电导效应。)线性度和灵敏度是...

光电探测器是一种受光器件,具有光电变换功能。光敏器件的种类繁多,有光敏电阻、光电二极管、光电三极管、光晶闸管、集成光敏器件等;有雪崩型的及非雪崩型的;有PN结型、PIN结型及异质结型的等。由于光电探测器的响应速度快，体积小,暗电流小,使之在光纤通讯系统、光纤测试系统、光纤传感器、光隔离器、彩电光纤传输、电视图象传输、快速光源的光探测器、微弱光信号的探测、激光测距仪的接收器件、高压电路中的光电测量及光电互感器、计算机数据传输、光电自动控制及光测量等方面得到了广泛应用。半导体光电探测器是用半导体材料制作的能接收和探测光辐射的器件。光照射到器件的光敏区时，它就能将光信号转变成电信号，是一种光电转换功...

雪崩效应只是APD的工作原理，和工作模式不是一个东西。APD工作模式分盖革模式和线型模式，区别在于线型模式偏置电压低于反向击穿电压，盖格模式偏置电压高于击穿电压。线性模式下APD就是一个增益高的普通光电二极管。盖格模式下APD接受到光子后就会进入并一直处于反向击穿状态，APD一直通过一个很大的反向电流。这时，通过外部电路使偏置电压暂时下降至击穿电压之下，APD从反向击穿模式恢复，等待下一个光子，所以盖格模式通常只适用与单光子计数应用。PIN缺点在于I层电阻很大管子的输出电流小，一般多为零点几微安至数微安。广东光电探测器价格行情器件灵敏度用一定偏压下每流明辐照所产生的光电流的大小来表示。例如一种...

PN结加正向电压时，产生多子电流，与光生电流方向相反，并且电流比光生电流大得多，此时无法作为光探测器。PN结处于反向偏压状态时，产生的光电子会被反向偏压迅速通过电场与电极收集，产生反向光电流，通过检测光电流大小即可得到光功率强度。处于零偏压的PN结可作为光电池使用。一个大面积的PN结，做好上下极的接触引线便构成一个光电池。一般光敏面做成梳齿状，可以减小光生载流子的复合以提高能量转换效率，减小串联电阻。对于光电池，负载电阻较大时，输出线性较差，可获得较大的输出电压，对于不同的入射光强，也会具有不同的最大输入功率，往往采用多个光电池的串-并联组合运用。光电探测器能把光信号转换为电信号。石岩50GH...

数字相干接收技术使得光传输系统具有足够的色散容限和偏振模容限，无需考虑线路传输上的色度色散和偏振模色散的影响，这给网络建设和运维带来一系列好处。工作原理在发送端，采用外调制方式将信号调制到光载波上进行传输。当信号光传输到达接收端时，首先与─本振光信号进行相干耦合，然后由平衡接收机进行探测。相干光通信根据本振光频率与信号光频率不等或相等，可分为外差检测和零差检测。前者光信号经光电转换后获得旳是中频信号，还需二次解调才能被转换成基带信号。后者光信号经光电转换后被直接转换成基带信号，不用二次解调，但它要求本振光频率与信号光频率严格匹配，并且要求本振光与信号光旳相位锁定。为了达到比较好的探测器的响应速...

在数字传输系统中，DPSK和DQPSK的使用已经非常普遍，这就标志着采用相位敏感的编码和传输技术将成为一种趋势。而检测灵敏度和频谱效率是这种趋势的关键所在。其他影响选择检测方案的因素还包括物理层的安全可靠性和网络的自适应性，两者都可得益于采用相干光技术的幅度，频率和偏振编码。相干模拟传输与非相干传输相比，也同样具有很大的优势，其中在动态范围方面较为很大。虽然模拟通信不及数字通信应用较广，但是模拟传输在很多特殊环境应用上有很重要的作用。PIN适用于中、短距离和中、低速率系统，尤以PIN/FET 组件使用较多。飞博光电相干接收机光电探测器推广在光通信领域，更大的带宽、更长的传输距离、更高的接收灵敏...

利用内光电效应制成的光子型探测器是用半导体材料制成的固态电子器件，主要包括光电导探测器和光伏型探测器等。光电导探测器具有光电导效应，是指由辐射引起被照射材料电导率改变的一种物理现象。当照射的光子能量hv等于或大于半导体的禁带宽度Eg时，光子能够将价带中的电子激发到导带，从而产生导电的电子、空穴对,这就是本征光电导效应。光伏型探测器通常由半导体PN结构成，其原理是利用PN结的内建电场将光生载流子（用光照射半导体时，若光子的能量等于或大于半导体的禁带宽度，则价带中的电子吸收光子后进入导带，产生电子-空穴对）扫出结区而形成信号。当探测器受到光照(辐照)、体内发生本征光吸收时，产生两种带相反电荷的光生...

雪崩光电二极管（APD）当二极管PN结上加上足够强的反向电压的时候，耗尽区存在一个很强的场，足够使强电场飘移的光生载流子获得充分的动能来通过晶格原子碰撞产生新的载流子，新的载流子再次碰撞形成更多载流子，这样就实现了雪崩式的载流子倍增。但这同时也会造成噪声的放大当入射光功率脚较小时，多采用APD，此时引入的噪声不大，在入射光功率较大时，雪崩增益引起的噪声贡献占主要优势，可能带来光电流的失真，采用APD带来的好处不大，采用PIN更为合适。激光就是─种相干光。飞博光电雪崩光电探测器订制价格现代光电子系统非常复杂，但它的基本组成可用待传送信号经过编码器编码后加到调制器上去调制光源发出的光，被调制后的光...

利用内光电效应制成的光子型探测器是用半导体材料制成的固态电子器件，主要包括光电导探测器和光伏型探测器等。光电导探测器具有光电导效应，是指由辐射引起被照射材料电导率改变的一种物理现象。当照射的光子能量hv等于或大于半导体的禁带宽度Eg时，光子能够将价带中的电子激发到导带，从而产生导电的电子、空穴对,这就是本征光电导效应。光伏型探测器通常由半导体PN结构成，其原理是利用PN结的内建电场将光生载流子（用光照射半导体时，若光子的能量等于或大于半导体的禁带宽度，则价带中的电子吸收光子后进入导带，产生电子-空穴对）扫出结区而形成信号。当探测器受到光照(辐照)、体内发生本征光吸收时，产生两种带相反电荷的光生...

在光通信领域，更大的带宽、更长的传输距离、更高的接收灵敏度，永远都是科研者的追求目标。尽管波分复用（WDM）技术和掺铒光纤放大器（EDFA）的应用已经极大的提高了光通信系统的带宽和传输距离，但是近十年来伴随着视频会议等通信技术的应用和互联网的普及产生的信息快速式增长，对作为整个通信系统基础的物理层提出了更高的传输性能要求。目前光通信系统采用强度调制/直接检测(IM/DD)即发送端调制光载波强度，接收机对光载波进行包络检测。尽管这种结构具有简单、容易集成等优点，但是由于只能采用ASK调制格式，其单路信道带宽很有限。因此这种传统光通信技术势必会被更先进的技术所代替。然而在通信泡沫破灭的现在，新的光...

响应速度可以用光生载流子的渡越时间表示，载流子的渡越时间外在的频率响应的表现就是探测器的带宽。光生载流子的渡越时间在光生电流变化中表现为两部分：上升时间和下降时间。通常取上升时间和下降时间中的较大者衡量探测器的响应速度。决定探测器响应速度的因素主要有：⑴、耗尽区载流子渡越时间：载流子的渡越时间是影响探测器响应速度的很重要因素，当耗尽区电场强度达到比较大时，Wd表示载流子的比较大漂移速度，W表示耗尽区宽度，那么载流子的渡越时间为：t=W/Vd⑵耗尽区外载流子扩散时间：载流子扩散的速度较慢，同时大多数产生于耗尽区之外的载流子的寿命非常短，复合发生速度快。所以扩散运动只对距离耗尽区范围较近的载流子才...