n型多晶硅条和p型多晶硅条通过金属结构串联，第三金属层还包括位于多晶硅层外侧两端的第二金属结构，用于引出温度传感器的输出端子。继续参见图和图，在多晶硅层上淀积第三金属层，第三金属层包括金属结构...

p型多晶硅可为在多晶硅内部掺杂ⅲ族元素形成导电类型为p型的多晶硅，且其内部掺杂均匀。n型多晶硅条和p型多晶硅条形状相同，在本方案中，n型多晶硅条和p型多晶硅条为长条型，多晶硅条平行设置，具有相...

测温单元形成于空腔上方的氧化硅薄膜后得到的温度传感器性能较好。在其中一个实施例中，所述测温单元包括：金属层，所述金属层为金属铂层，所述金属铂层呈连续弓字形结构；和第二金属层，位于所述金属铂层外...

半导体两端的温差不同时，所产生的电动势不同。在本方案中。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司经营范围包括：一般经营项目是：电子产品及其配件的技术开发与销售；国内贸易等。本...

深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司经营范围包括：一般经营项目是：电子产品及其配件的技术开发与销售；国内贸易等。本公司主营推广销售AD（亚德诺）,LINEAR（凌特）以及...

需要在对应温度传感器引出端子处开设通孔，通过通孔可引出输出端子。在本实施例中，是在外侧多晶硅端部的金属铝上方的钝化层开设通孔。钝化层可为氧化硅层或氮化硅层，也可为叠设的氧化硅层和氮化硅层。上述...

产品广泛应用于：汽车、通信、消费电子、工业控制、医疗器械、仪器仪表、安防监控等领域。步骤s：在多晶硅层上淀积第三金属层，第三金属层包括位于相邻多晶硅条之间的金属结构，n型多晶硅条和p型多晶硅条...

从硅片上方垂直向下开设若干并列的沟槽形成沟槽阵列。在一实施例中，先在硅片上形成具有阵列图案的光刻胶层，再以光刻胶作为掩膜版对硅片进行刻蚀形成若干沟槽。在本实施例中，刻蚀可为常规的干法刻蚀，具体...

提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容更加透彻。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为...

再在高温环境下进行退火，由于高温环境下硅原子会发生迁移，硅原子发生迁移后硅片内部的结构会发生改变，之前的若干沟槽会相互连通以在硅片内部形成一空腔结构。氧化空腔上部的硅片部分可以得到所需的氧化硅...

在所述金属铂层外侧两端各淀积一层第二金属层，用于引出所述温度传感器的输出端子。在其中一个实施例中，在所述氧化硅薄膜上形成测温单元具体为：在所述氧化硅薄膜上淀积一层多晶硅层，所述多晶硅层包括并排...

在所述金属铂层外侧两端各淀积一层第二金属层，用于引出所述温度传感器的输出端子。在其中一个实施例中，在所述氧化硅薄膜上形成测温单元具体为：在所述氧化硅薄膜上淀积一层多晶硅层，所述多晶硅层包括并排...