陕西IGBT单管可控硅(晶闸管)Infineon全新原装
有三个不同电极、阳极A、阴极K和控制极G.可控硅在电路中能够实现交流电的无触点控制,以小电流控制大电流,并且不象继电器那样控制时有火花产生,而且动作快、寿命长、可靠性好。在调速、调光、调压、调温以及其他各种控制电路中都有它的身影。可控硅分为单向的和双向的,符号也不同。单向可控硅有三个PN结,由外层的P极和N极引出两个电极,分别称为阳极和阴极,由中间的P极引出一个控制极。双向可控硅有其独特的特点:当阳极接合,阳极接合或栅极的正向电压,但没有施加电压时,它不导通,并且同时连接到阳极和栅极的正向电压反向电压时,它将被关上。一旦开启,控制电压有它的作用失去了控制,无论控制电压极性怎么没有了,不管控制电...
发布时间:2024.09.27山东ABB可控硅(晶闸管)FUJI全新原装原装
且在门极伏安特性的可靠触发区域之内;④应有良好的抗干扰能力、温度稳定性及与主电路的电气隔离;⑤触发脉冲型式应有助于晶闸管元件的导通时间趋于一致。在高电压大电流晶闸管串联电路中,要求串联的元件同一时刻导通,宜采用强触发的形式。[1]晶闸管触发方式主要有三种:①电磁触发方式,将低电位触发信号经脉冲变压器隔离后送到高电位晶闸管门极。这种触发方式成本较低,技术比较成熟。但要解决多路脉冲变压器的输出一致问题,同时触发时的电磁干扰较大。②直接光触发方式,将触发脉冲信号转变为光脉冲,直接触发高位光控晶闸管。这种触发方式只适用于光控晶闸管,且该种晶闸管的成本较高,不适宜采用;③间接光触发方式,利用光纤通信的方...
发布时间:2024.09.27重庆高压igbt驱动模块可控硅(晶闸管)富士IGBT
采用电子线路进行保护等。目前常用的是在回路中接入吸收能量的元件,使能量得以消散,常称之为吸收回路或缓冲电路。(4)阻容吸收回路通常过电压均具有相对较高的频率,因此我们常用电容可以作为企业吸收作用元件,为防止出现振荡,常加阻尼电阻,构成阻容吸收回路。阻容吸收回路可接在控制电路的交流侧、直流侧,或并接在晶闸管的阳极与阴极保护之间。吸收进行电路设计好方法选用无感电容,接线应尽量短。(5)吸收电路由硒堆和变容器等非线性元件组成上述阻容吸收回路的时间常数RC是固定的,有时对时间短、峰值高、能量大的过电压来不及放电,抑制过电压的效果较差。因此,一般在变流装置的进出线端还并有硒堆或压敏电阻等非线性元件。硒堆...
发布时间:2024.09.27湖北IGBT驱动电路可控硅(晶闸管)Infineon全新原装
载流子雪崩式地增加,致使电流急剧增加,这种击穿称为雪崩击穿。无论哪种击穿,若对其电流不加限制,都可能造成PN结长久性损坏。[5]二极管反向电流反向电流是指二极管在常温(25℃)和高反向电压作用过二极管的反向电流。反向电流越小,管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系,大约温度每升高10℃,反向电流增大一倍。例如2AP1型锗二极管,在25℃时反向电流若为250uA,温度升高到35℃,反向电流将上升到500uA,依此类推,在75℃时,它的反向电流已达8mA,不失去了单方向导电特性,还会使管子过热而损坏。又如,2CP10型硅二极管,25℃时反向电流为5uA,温度升高到75℃...
发布时间:2024.09.27宁夏IGBT驱动电路可控硅(晶闸管)Infineon全新原装
而单向可控硅经触发后只能从其中阳极向阴极单方行为向导通,所以采用可控硅有单双向关系之分。电子生产中常用的SCR,单向MCR-100,双向TLC336等双向可控硅按象限来分,又分为四象三端双向可控硅、三象限双向可控硅;按包装:一般分为半塑料包装、外绝缘全塑料包装;按触发电流来分:分为微触型、高灵敏度型、标准触发型;按电压分:常规工作电压进行品种、高压品种。可控硅产品由于它在电路应用中的效率高、控制特性好、寿命长、体积小、功能强等优点,自上个世纪六十长代以来,获得了迅猛发展,并已形成了一门单独的学科。“晶闸管交流技术”。可控硅发展到,在工艺上已经非常成熟,质量更好,收率有了很大的提高,并向高压大电...
发布时间:2024.09.26吉林可关断可控硅(晶闸管)semikron西门康全新原装现货
金属封装晶闸管又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种;塑封晶闸管又分为带散热片型和不带散热片型两种。晶闸管按电流容量可分为大功率晶闸管、率晶闸管和小功率晶闸管三种。通常,大功率晶闸管多采用陶瓷封装,而中、小功率晶闸管则多采用塑封或金属封装。晶闸管按其关断速度可分为普通晶闸管和快速晶闸管,快速晶闸管包括所有专为快速应用而设计的晶闸管,有常规的快速晶闸管和工作在更高频率的高频晶闸管,可分别应用于400HZ和10KHZ以上的斩波或逆变电路中。(备注:高频不能等同于快速晶闸管)晶闸管的作用与工作原理:我们分析晶闸管的作用与原理的时候可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成,其等效图解如上图所当阳极A...
发布时间:2024.09.26北京IGBT驱动电路可控硅(晶闸管)Infineon全新原装
晶闸管智能模块指的是一种特殊的模板,采用了采用全数字移相触发集成电路。中文名晶闸管智能模块特点三相交流模块输出对称性好等优点功耗低,效率高等适用温度-25℃~+45℃目录1模块特点2模块规格3注意事项4模块参数晶闸管智能模块模块特点编辑(1)本产品均采用全数字移相触发集成电路,实现了控制电路和晶闸管主电路集成一体化,使模块具备了弱电控制强电的电力调控作用。(2)采用进口方形芯片,模块压降小、功耗低,效率高;采用进口贴片元件,保证触发控制电路的可靠性;采用(DCB)陶瓷覆铜板,导热性能好,热循环负载次数高于国家标准近10倍;采用高级导热绝缘封装材料,绝缘、防潮性能优良。(3)触发控制电路、主电路...
发布时间:2024.09.26云南可关断可控硅(晶闸管)Mitsubishi三菱全新原装现货
可控硅模块从内部封装芯片上可以分为可控模块和整流模块两大类。从具体的用途上区分,可以分为:普通晶闸管模块(MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模块(MDC)、普通晶闸管、整流管混合模块(MFC)、快速晶闸管、整流管及混合模块(MKC\MZC)、非绝缘型晶闸管、整流管及混合模块(也就是通常所说的电焊机**模块MTG\MDG)、三相整流桥输出可控硅模块(MDS)、单相(三相)整流桥模块(MDQ)、单相半控桥(三相全控桥)模块(MTS)以及肖特基模块等;晶闸管工作条件为:加正向电压且门极有触发电流。云南可关断可控硅(晶闸管)Mitsubishi三菱全新原装现货可控硅(晶闸管)可控硅的工作原理...
发布时间:2024.09.25辽宁焊机igbt可控硅(晶闸管)原厂原盒
做出了能适应于高频应用的晶闸管,我们将它称为快速晶闸管。它具有关断时间(toff)短、导通速度快.能耐较高的电流上升率(dI/dt)、能耐较高的电压上升率(dv/dt)、抗干扰能力较好等特点。快速晶闸管的生产和应用都进展很快。目前,已有了电流几百安培、耐压1千余伏,关断时间为20微妙的大功率快速晶闸管,同时还做出了比较高工作频率可达几十千赫兹供高频逆变用的元件。其产品广应用于大功率直流开关、大功率中频感应加热电源、超声波电源、激光电源、雷达调制器及直流电动车辆调速等领域。3.逆导晶闸管以往的为了便于调速采用直流供电,用直流开关动作增加或减小电路电阻,改变电路电流来控制车辆的速度。但它有不能平滑...
发布时间:2024.09.25四川高压igbt驱动模块可控硅(晶闸管)宏微全新原装
晶闸管阳极与阴极间表现出很大的电阻,处于截止状态(称为正向阻断状态),简称断态。当阳极电压上升到某一数值时,晶闸管突然由阻断状态转化为导通状态,简称通态。阳极这时的电压称为断态不重复峰值电压(UDSM),或称正向转折电压(UBO)。导通后,元件中流过较大的电流,其值主要由限流电阻(使用时由负载)决定。在减小阳极电源电压或增加负载电阻时,阳极电流随之减小,当阳极电流小于维持电流IH时,晶闸管便从导通状态转化为阻断状态。由图可看出,当晶闸管控制极流过正向电流Ig时,晶闸管的正向转折电压降低,Ig越大,转折电压越小,当Ig足够大时,晶闸管正向转折电压很小,一加上正向阳极电压,晶闸管就导通。实际规定,...
发布时间:2024.09.23黑龙江脉冲可控硅(晶闸管)Infineon英飞凌全新原装现货
故晶闸管的阳极电流Ia≈Ic0晶闸管处于正向阻断状态。当晶闸管在正向阳极电压下,从门极G流入电流Ig,由于足够大的Ig流经NPN管的发射结,从而提高其电流放大系数a2,产生足够大的极电极电流Ic2流过PNP管的发射结,并提高了PNP管的电流放大系数a1,产生更大的极电极电流Ic1流经NPN管的发射结。这样强烈的正反馈过程迅速进行。从图3,当a1和a2随发射极电流增加而(a1+a2)≈1时,式(1—1)中的分母1-(a1+a2)≈0,因此提高了晶闸管的阳极电流Ia.这时,流过晶闸管的电流完全由主回路的电压和回路电阻决定。晶闸管已处于正向导通状态。式(1—1)中,在晶闸管导通后,1-(a1+a2)...
发布时间:2024.09.23四川大功率igbt高压可控硅(晶闸管)semikron西门康全新原装现货
故晶闸管的阳极电流Ia≈Ic0晶闸管处于正向阻断状态。当晶闸管在正向阳极电压下,从门极G流入电流Ig,由于足够大的Ig流经NPN管的发射结,从而提高其电流放大系数a2,产生足够大的极电极电流Ic2流过PNP管的发射结,并提高了PNP管的电流放大系数a1,产生更大的极电极电流Ic1流经NPN管的发射结。这样强烈的正反馈过程迅速进行。从图3,当a1和a2随发射极电流增加而(a1+a2)≈1时,式(1—1)中的分母1-(a1+a2)≈0,因此提高了晶闸管的阳极电流Ia.这时,流过晶闸管的电流完全由主回路的电压和回路电阻决定。晶闸管已处于正向导通状态。式(1—1)中,在晶闸管导通后,1-(a1+a2)...
发布时间:2024.09.23陕西分立半导体模块可控硅(晶闸管)原装进口
WESTCODE英国西码晶闸管 脉冲可控硅 可关断可控硅 一、单向可控硅是一种可控整流电子元件,能在外部控制信号作用下由关断变为导通,但一旦导通,外部信号就无法使其关断,只能靠去除负载或降低其两端电压使其关断。单向可控硅是由三个PN结PNPN组成的四层三端半导体器件与具有一个PN结的二极管相比,单向可控硅正向导通受控制极电流控制;与具有两个PN结的三极管相比,差别在于可控硅对控制极电流没有放大作用。二、双向可控硅具有两个方向轮流导通、关断的特性。双向可控硅实质上是两个反并联的单向可控硅,是由NPNPN五层半导体形成四个PN结构成、有三个电极的半导体器件。由于主电极的构造是对称的(都...
发布时间:2024.09.23江西igbt驱动开关可控硅(晶闸管)MACMIC原装现货
晶闸管(SCR)是一种半导体开关器件。早在1956年,Moll等人就发表了这种开关器件的理论基础。尽管低功率器件在当***关领域已基本销声匿迹,并被高压双极结型晶体管(BJT)、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)及绝缘栅双极型晶体管(IGBT)等所取代,但它们在兆瓦级开关器件领域仍无可替代,例如2kA、1.2kV的SCR就被应用于机车驱动器中,或用来控制铝材生产厂中的电炉等; 在修理电视机及各种电器设备时,遇到元器件损坏应该采用相同型号的元件进行更换。但是,有时相同的元件手边没有,就要采用其他型号的进行代换,这样就要考虑到各方面的性能、参数、外形尺寸等,例如电视的里面的行输...
发布时间:2024.09.23安徽大功率igbt高压可控硅(晶闸管)Infineon英飞凌全新原装现货
按关断速度分类:可控硅按其关断速度可分为普通可控硅和高频(快速)可控硅。过零触发-一般是调功,即当正弦交流电交流电电压相位过零点触发,必须是过零点才触发,导通可控硅。 (1)可控硅一般做成螺栓形和平板形,有三个电极,用硅半导体材料制成的管芯由PNPN四层组成。 (2)可控硅由关断转为导通必须同时具备两个条件:(1〕受正向阳极电压;(2)受正向门极电压。(3)可控硅导通后,当阳极电流小干维持电流In时可控硅关断。(4)可控硅的特性主要是:(1)阳极伏安特性曲线,(2)门极伏安特性区。(5)应在额定参数范围内使用可控硅。 逆导晶闸管的关断时间几微秒,工作频率达几十千赫,优于快速晶闸...
发布时间:2024.09.20西藏焊机igbt可控硅(晶闸管)starpowereurope原厂库存
[8]2.检测性能好坏。用万用表电阻挡测量红外接收二极管正、反向电阻,根据正、反向电阻值的大小,即可初步判定红外接收二极管的好坏。[8]二极管激光二极管按照检测普通二极管正、反向电阻的方法,即可将激光二极管的管脚排列顺序确定。但检测时要注意,由于激光二极管的正向压降比普通二极管要大,所以检测正向电阻时,万用表指针公略微向右偏转而已。[8]二极管主要应用编辑二极管电子电路应用几乎在所有的电子电路中,都要用到半导体二极管。半导体二极管在电路中的使用能够起到保护电二极管路,延长电路寿命等作用。半导体二极管的发展,使得集成电路更加优化,在各个领域都起到了积极的作用。二极管在集成电路中的作用很多,维持着...
发布时间:2024.09.20天津可关断可控硅(晶闸管)MACMIC原装现货
塑封晶闸管又分为带散热片型和不带散热片型两种。晶闸管晶闸管按电流容量可分为大功率晶闸管、**率晶闸管和小功率晶闸管三种。通常,大功率晶闸管多采用陶瓷封装,而中、小功率晶闸管则多采用塑封或金属封装。晶闸管按其关断速度可分为普通晶闸管和快速晶闸管,快速晶闸管包括所有专为快速应用而设计的晶闸管,有常规的快速晶闸管和工作在更高频率的高频晶闸管,可分别应用于400HZ和10KHZ以上的斩波或逆变电路中。(备注:高频不能等同于快速晶闸管)工作原理/晶闸管编辑晶闸管在工作过程中,它的阳极(A)和阴极(K)与电源和负载连接,组成晶闸管的主电路,晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸管的装置连接,组成晶闸管的控制电路...
发布时间:2024.09.20宁夏ABB可控硅(晶闸管)FUJI全新原装原装
对其在脉冲脉冲功率电源领域中的应用研究很少,尚处于试验探索阶段。[1]在大功率半导体开关器件中,晶闸管是具有**高耐压容量与**大电流容量的器件。国内外主要制作的大功率晶闸管都是应用在高压直流输电中。所制造出的大功率晶闸管,**大直径可达6英寸,单阀片耐压值**高可达11KV,的通流能力**高可达4500A。在该领域比较**的有瑞士的ABB以及国内的株洲南车时代。[1]为提高晶闸管的通流能力、开通速度、di/dt承受能力,国外在普通晶闸管的基础上研制出了两种新型的晶闸管:门极关断晶闸管GTO以及集成门极换流晶闸管IGCT。这两种器件都已经在国外投入实际使用。其中GTO的单片耐压可达,工况下通流...
发布时间:2024.09.20云南ABB可控硅(晶闸管)Infineon全新原装
定义/晶闸管编辑晶闸管导通条件为:加正向电压且门极有触发电流;其派生器件有:快速晶闸管,双向晶闸管,逆导晶闸管,光控晶闸管等。它是一种大功率开关型半导体器件,在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示(旧标准中用字母“SCR”表示)。晶闸管(Thyristor)是一种开关元件,能在高电压、大电流条件下工作,并且其工作过程可以控制、被应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中,是典型的小电流控制大电流的设备。1957年,美国通用电器公司开发出世界上***个晶闸管产品,并于1958年使其商业化。结构/晶闸管编辑晶闸管它是由一个P-N-P-N四层(4layers)半导体构成的,中...
发布时间:2024.09.20浙江igbt驱动开关可控硅(晶闸管)宏微全新原装
可控硅的工作原理是什么?可控硅分为单向可控硅、双向可控硅,两者原理分别是:单向可控硅:单向可控硅能在外部控制信号作用下由关断变为导通,但一旦导通,外部信号就无法使其关断,只能靠去除负载或降低其两端电压使其关断;工作原理:可控硅实际上就是一个大功率的二极管,它与普通二极管的不同之处在于它多了一个控制极.普通二极管是正向电压就导通,可控硅是可控硅整流元件的简称,是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件,一般由两晶闸管反向连接而成.它的功用不仅是整流,还可以用作无触点开关以快速接通或切断电路,实现将直流电变成交流电的逆变,将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电等等。其中,金属封装可控硅又分...
发布时间:2024.09.20新疆分立半导体模块可控硅(晶闸管)Mitsubishi三菱全新原装现货
其产品***应用于大功率直流开关、大功率中频感应加热电源、超声波电源、激光电源、雷达调制器及直流电动车辆调速等领域。逆导晶闸管以往的城市电车和地铁机车为了便于调速采用直流供电,用直流开关动作增加或减小电路电阻,改变电路电流来控制车辆的速度。但它有不能平滑起动和加速。开关体积大、寿命短,而且低速运行时耗电大(减速时消耗在启动电阻上)等缺点。自有了逆导晶闸管,采用了逆导晶闸管控制、调节车速,不*克服了上述缺点,而且还降低了功耗,提高了机车可靠性。晶闸管晶闸管逆导晶闸管是在普通晶闸管上反向并联一只二极管而成(同做在一个硅片上。它的等效电路和符号如图1所示。它的特点是能反向导通大电流。由于它的阳极和阴...
发布时间:2024.09.20上海IGBT驱动电路可控硅(晶闸管)宏微全新原装
断态电压临界上升率du/dt:是指在额定结温、门极开路的情况下,不能使晶闸管从断态到通态转换的外加电压**大上升率。通态电流临界上升率di/dt:指在规定条件下,晶闸管能承受的**大通态电流上升率。如果di/dt过大,在晶闸管刚开通时会有很大的电流集中在门极附近的小区域内,从而造成局部过热而使晶闸管损坏。[1]触发技术晶闸管触发电路的作用是产生符合要求的门极触发脉冲,使得晶闸管在需要时正常开通。晶闸管触发电路必须满足以下几点要求:①触发脉冲的宽度应足够宽使得晶闸管可靠导通;②触发脉冲应有足够的幅度,对一些温度较低的场合,脉冲电流的幅度应增大为器件**大触发电流的3~5倍,脉冲的陡度也需要增加,...
发布时间:2024.09.19上海功率半导体igbt可控硅(晶闸管)MACMIC原装现货
晶闸管(SCR)是一种半导体开关器件。早在1956年,Moll等人就发表了这种开关器件的理论基础。尽管低功率器件在当***关领域已基本销声匿迹,并被高压双极结型晶体管(BJT)、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)及绝缘栅双极型晶体管(IGBT)等所取代,但它们在兆瓦级开关器件领域仍无可替代,例如2kA、1.2kV的SCR就被应用于机车驱动器中,或用来控制铝材生产厂中的电炉等; 在修理电视机及各种电器设备时,遇到元器件损坏应该采用相同型号的元件进行更换。但是,有时相同的元件手边没有,就要采用其他型号的进行代换,这样就要考虑到各方面的性能、参数、外形尺寸等,例如电视的里面的行输...
发布时间:2024.09.19上海高压igbt驱动模块可控硅(晶闸管)Infineon全新原装
600V西门康IGBT模块西门康(SEMIKRON)技术资料选型参考: SKM100GB063DSKM200GB063DSKM300GB063DGB 两单元:SKM145GB066DSKM195GB066DSKM300GB066DSKM400GB066DSKM600GB066D1200V 西门康IGBT模块GA一单元:SKM300GA123DSKM400GA123DSKM500GA123DSKM500GA123DSGB 两单元元:SKM50GB123DSKM75GB123DSKM100GB123DSKM150GB123DSKM200GB123DSKM300GB123...
发布时间:2024.09.19河南可关断可控硅(晶闸管)Infineon全新原装
可控硅有多种分类方法。按关断QS3861QG、导通及控制方式不同,可控硅可以分为普通单向可控硅、双向可控硅、特种可控硅,特种可控硅又分为逆导型可控硅、门极关断可控硅(GTO)、BTG可控硅、温控可控硅及光控可控硅等多种;按电流容量大小不同,可控硅可分为大功率可控硅、**率可控硅和小功率可控硅;按引脚和极性不同可控硅可分为二极可控硅、三极可控硅管和四极可控硅管;按封装形式不同,可控硅管可分为金属封装可控硅管、塑封可控硅管和陶瓷封装可控硅管三种类型(金属封装可控硅又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种,塑封可控硅又分为带散热片型和不带散热片型两种);按关断速度不同,可控硅管可分为普通可控硅管和高...
发布时间:2024.09.18浙江脉冲可控硅(晶闸管)FUJI全新原装原装
二极管稳压管稳压管是一种特殊的面接触型半导体硅二极管,具有稳定电压稳压管的作用。稳压管与普通二极管的主要区别在于,稳压管是工作在PN结的反向击穿状态。通过在制造过程中的工艺措施和使用时限制反向电流的大小,能保证稳压管在反向击穿状态下不会因过热而损坏。[4]稳压管与一般二极管不一样,它的反向击穿是可逆的,只要不超过稳压管电流的允许值,PN结就不会过热损坏,当外加反向电压去除后,稳压管恢复原性能,所以稳压管具有良好的重复击穿特性。[4]二极管光电二极管光电二极管又称光敏二极管。它的管壳上备有一个玻璃窗口,光电二极管以便于接受光照。其特点是,当光线照射于它的PN结时,可以成对地产生自由电子和空穴,使...
发布时间:2024.09.18上海IGBT单管可控硅(晶闸管)Infineon英飞凌全新原装现货
1)断态重复峰值电压UDRM在控制极断路和晶闸管正向阻断的条件下,可以重复加在晶闸管两端的正向峰值电压,其数值比正向转折电压小100V。(2)反向重复峰值电压URRM在控制极断路时,可以重复加在晶闸管元件上的反向峰值电压,此电压数值规定比反向击穿电压小100V。通常把UDRM与URRM中较小的一个数值标作器件型号上的额定电压。由于瞬时过电压也会使晶闸管遭到破坏,因而在选用的时候,额定电压一个应该为正常工作峰值电压的2~3倍,作为安全系数。(3)额定通态平均电流(额定正向平均电流)IT在环境温度不大于40oC和标准散热即全导通的条件下,晶闸管元件可以连续通过的工频正弦半波电流(在一个周期内)的平...
发布时间:2024.09.18黑龙江igbt供应商可控硅(晶闸管)Infineon全新原装
可控硅有多种分类方法。按关断QS3861QG、导通及控制方式不同,可控硅可以分为普通单向可控硅、双向可控硅、特种可控硅,特种可控硅又分为逆导型可控硅、门极关断可控硅(GTO)、BTG可控硅、温控可控硅及光控可控硅等多种;按电流容量大小不同,可控硅可分为大功率可控硅、**率可控硅和小功率可控硅;按引脚和极性不同可控硅可分为二极可控硅、三极可控硅管和四极可控硅管;按封装形式不同,可控硅管可分为金属封装可控硅管、塑封可控硅管和陶瓷封装可控硅管三种类型(金属封装可控硅又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种,塑封可控硅又分为带散热片型和不带散热片型两种);按关断速度不同,可控硅管可分为普通可控硅管和高...
发布时间:2024.09.18江西分立半导体模块可控硅(晶闸管)富士IGBT
测量时黑表笔接阳极A,红表笔接阴极K,此时表针不动,显示阻值为无穷大(∞)。用镊子或导线将晶闸管的阳极A与门极短路(见图2),相当于给G极加上正向触发电压,此时若电阻值为几欧姆至几十欧姆(具体阻值根据晶闸管的型号不同会有所差异),则表明晶闸管因正向触发而导通。再断开A极与G极的连接(A、K极上的表笔不动,只将G极的触发电压断掉)。若表针示值仍保持在几欧姆至几十欧姆的位置不动,则说明此晶闸管的触发性能良好。特殊的晶闸管/晶闸管编辑双向晶闸管TRIAC晶闸管从外表上看,双向晶闸管和普通晶闸管很相似,也有三个电极。但是,它除了其中一个电极G仍叫做控制极外,另外两个电极通常却不再叫做阳极和阴极,而统称...
发布时间:2024.09.17新疆IGBT驱动电路可控硅(晶闸管)日本富士
4.可关断晶闸管可关断晶闸管亦称门控晶闸管。其主要特点是,当门极加负向触发信号时晶闸管能自行关断。它既保留了普通晶闸管耐压高、电流大等优点,以具有自关断能力,使用方便,是理想的高压、大电流开关器件。它的容量及使用寿命均超过巨型晶体管。目前,大功率可关断晶闸管已广用于斩波调速、变频调速、逆变电源等领域,显示出强大的生命力。5.光控晶闸管光控晶闸管又称光触发晶闸管,是一种光敏器件。由于其控制信号来自光的照射,没有必要再引出控制极,所以只有两个电极(阳极A和阴极K),结构与普通可控硅一样,是由四层PNPN器件构成。图2光控晶闸管符号图当在光控晶闸管的阳极加上正向电压,阴极加上负向电压时,控晶闸管可以...
发布时间:2024.09.17