对于开关频率小于100kHz的信号一般取（400～500）kHz载波频率较好，变压器选用较高磁导如5K、7K等高频环形磁芯，其原边磁化电感小于约1毫亨左右为好。这种驱动电路只适合于信号频率小于100kHz的场合，因信号频率相对载波频率太高的话，相对延时太多，且所需驱动功率增大，UC3724和UC3725芯片发热温升较高，故100kHz以上...

MOSFET的特性和作用：MOS管导作用，MOS管的栅极G和源极S之间是绝缘的，由于SiO2绝缘层的存在，在栅极G和源极S之间等效是一个电容存在，电压VGS产生电场从而导致源source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认...

在1884年，爱迪生被授予了此项发明的专业技术。由于当时这种装置实际上并不能看出实用价值，这项专业技术更多地是为了防止别人声称较早发现了这一所谓“爱迪生效应”。20年后，约翰·弗莱明（爱迪生前雇员）发现了这一效应的实用价值，它可以用来制作精确检波器。1904年11月16日，头一个真正的热离子二极管——弗莱明管，由弗莱明在英国申请了专业技术...

对于PNP型三极管，分析方法类似，不同的地方就是电流方向跟NPN的刚好相反，因此发射极上面那个箭头方向也反了过来。电阻R1基极偏置用,电阻R2有限流作用,也是三极管集电极的负载电阻。发光二极管D指示作用,三极管T开关作用,电池E供电。三极管可以看成是2个PN结。测试其好坏只要测其PN结是否正常就行。其方法是,用电阻档测b,c极和b,e极的...

反向偏置（Reverse Bias），在阳极侧施加相对阴极负的电压，就是反向偏置，所加电压为反向偏置。这种情况下，因为N型区域被注入空穴，P型区域被注入电子，两个区域内的主要载流子都变为不足，因此结合部位的耗尽层变得更宽，内部的静电场也更强，扩散电位也跟着变大。这个扩散电位与外部施加的电压互相抵销，让反向的电流更难以通过。更多的细节请参阅...

三极管的性质以NPN三极管为例：电流： 从基极B出来的电子和从集电极C出来的电子较终都会回到发射极E，当作注入电子。即IE=IB+IC。UBE： 当基极与发射极间电压UBE0.7V时，IB激增，但是IB相对于IC来说还是很小。IC： 当UC的值低于0.7V时，集电极C和基极B的PN结正偏，此时IC会随着UCE的减小而减小。截止区： 当UB...

PIN二极管（P-intrinsic-N Diode），PN之间一层高电阻的半导体层，使少数载流子的积蓄效果增加，逆回复时间也较长。利用正向偏置时高频率信号较容易通过的性质，用于天线的频带切换以及高频率开关。耿效应二极管，应用于低功率微波振荡器。二极真空管，气体放电管整流器，针状电极和平板电极相向接近顶端放电。若把针状电极当做负极，比较低...

二极管的伏安特性，外加电压P->N，大于势垒电压，二极管导通；外加电压N->P，大于反向击穿电压，二极管击穿。二极管的相关应用：1整流，整流,就是把交流电变为直流电的过程。利用具有单向导电特性的器件,可以把方向和大小交变的电流变换为直流电。（1）半波整流电路；（2）全波整流电路。需要特别指出的是，二极管作为整流元件,要根据不同的整流方式和...

三级管作用是什么？主要是将较微弱的信号转变成较大幅度值的电信号。三极管的全称称为半导体三极管，也就是人们常说的双极型晶体管和晶体三极管，它主要是控制电流的一种半导体器件。三级管的工作状态是怎么样的？1、截止状态，当三极管中的发射结电压小于导通电压时，集电极与发射极之间的状态是属于断开的，因此称三极管处于截止状态。2、放大状态，当人们加大三...

三极管的应用：①稳压功能，三极管还具有稳压功能，可以用于稳定电压。通过调整三极管的工作状态，可以使电路的输出电压保持稳定。在稳压电源、电池充电器中应用较多。除了以上应用外，三极管还可以用于振荡器、调制解调器、电视机等电子设备中。总之，三极管作为一种重要的电子元件，在电子电路中的应用非常普遍。②开关控制，三极管可以通过控制输入信号的高低电平...

三极管的作用是通过电阻将三极管的电流放大作用转变为电压放大作用。1、半导体三极管(Bipolar Junction Transistor)，也称双极型晶体管、晶体三极管。双极性晶体管是电子学历史上具有革新意义的一项发明，其发明者威廉·肖克利、约翰·巴丁和沃尔特·布喇顿被授予了1956年的诺贝尔物理学奖。2、晶体三极管具有电流放大作用。常用...

我们经常看MOS管的PDF参数，MOS管制造商采用RDS(ON)参数来定义导通阻抗，对开关应用来说，RDS(ON)也是较重要的器件特性。数据手册定义RDS(ON)与栅极(或驱动)电压VGS以及流经开关的电流有关，但对于充分的栅极驱动，RDS(ON)是一个相对静态参数。一直处于导通的MOS管很容易发热。另外，慢慢升高的结温也会导致RDS(O...