Drain和backgate之间的PN结反向偏置，所以只有很小的电流从drain流向backgate，如果GATE电压超过了阈值电压，在GATE电介质下就出现了channel。这个channel就像一薄层短接drain和source的N型硅，由电子组成的电流从source通过channel流到drain，总的来说，只有在gate 对sou...

耗尽型场效应管与增强型截然不同，其初始状态下沟道内就已存在导电载流子，仿佛一条已经有水流的河道。当施加栅源电压时，就如同调节河道的宽窄，可灵活地增加或减少沟道载流子浓度，从而精细控制电流大小。在模拟电路的偏置电路设计中，它扮演着至关重要的角色。以音频功率放大器为例，要将微弱的音频信号放大到能够驱动扬声器发出响亮、清晰的声音，需要稳定的偏置...

三级管作用是什么？主要是将较微弱的信号转变成较大幅度值的电信号。三极管的全称称为半导体三极管，也就是人们常说的双极型晶体管和晶体三极管，它主要是控制电流的一种半导体器件。三级管的工作状态是怎么样的？1、截止状态，当三极管中的发射结电压小于导通电压时，集电极与发射极之间的状态是属于断开的，因此称三极管处于截止状态。2、放大状态，当人们加大三...

二极管的英文是diode。二极管的正.负二个端子,一端称为阳极,一端称为阴极。电流只能从阳极向阴极方向移动。二极管是由半导体组成的器件。半导体无论哪个方向都能流动电流。二极管（英语：Diode），电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过。许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管（Varicap Diode）则用来当...

三极管顾名思义具有三个电极。二极管是由一个PN结构成的，而三极管由两个PN结构成，共用的一个电极成为三极管的基极(用字母B表示——B取自英文Base，基本的、基础的)，其他的两个电极分别称为集电极(用字母C表示——C取自英文Collector，收集)和发射极(用字母E表示—— E取自英文Emitter，发射)。基区和发射区之间的结成为发射...

晶体管的分类 晶体管的种类很多，按照不同的标准可分为多种类型：按导电方式分有npn型晶体管和 pnp型晶体管；按结构形式分有双极性管（bjt）和三极型晶体管等；按工作电流分有小功率管（小于1a）、大功率管（1~10a）等； 按照用途来分则有普通型和特种型之分：普通型的特点是价格便宜量多且工艺成熟可靠性强应用范围广但随着集成技术的发展它的价...

可以通过手动调节晶体表面上的导线，以获得较佳的信号。这个较为麻烦的设备在20世纪20年代由热离子二极管所取代。20世纪50年代，高纯度的半导体材料出现。因为新出现的锗二极管价格便宜，晶体收音机重新开始被大规模使用。贝尔实验室还开发了锗二极管微波接收器。20世纪40年代中后期，美国电话电报公司在美国四处新建的微波塔上开始应用这种微波接收器，...

三极管其作用是把微弱信号放大成辐值较大的电信号，也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的主要元件。接下来小编为大家介绍三极管的作用及三极管工作原理。三极管的作用：电流放大，三极管的作用之一就是电流放大，这也是其较基本的作用。以共发射极接法为例，一旦由基极输入一个微小的电流，在集电极输出的电流大小...

对于PNP型三极管，分析方法类似，不同的地方就是电流方向跟NPN的刚好相反，因此发射极上面那个箭头方向也反了过来。电阻R1基极偏置用,电阻R2有限流作用,也是三极管集电极的负载电阻。发光二极管D指示作用,三极管T开关作用,电池E供电。三极管可以看成是2个PN结。测试其好坏只要测其PN结是否正常就行。其方法是,用电阻档测b,c极和b,e极的...

在汞弧阀（具有冷阴极的汞蒸气离子阀）中，一种难熔的导电阳极与一池作为阴极的液态汞之间会形成电弧，电压单位可达数百千瓦，这对高压直流输电的发展起到了促进作用。一些小型的热离子整流器有时候也用汞蒸气填充，以减少他们的正向压降并增加这种热离子强真空器件的电流额定值。因此近年来，在音响发烧友和录音棚所用的音频设备中，应用真空二极管的老式音频设备有...

三极管具有三个工作状态，分别为：截止区、放大区、饱和区。在模拟电路中可以用这些特性实现不一样的功能，在数字电路中，只有0和1两个状态，所以数字电路中三极管主要用作电子开关来使用，这时候三极管工作在截止和饱和状态，即要么导通，要么断开，就相当于一个开关。三极管的原理，三极管的工作原理相对比较复杂，这里不做详细讲解，用一个图来意会一下，记住这...

静态电特性：注①：Vgs（off）其实就是开启电压Vgs（th），只不过这里看的角度不一样。注②：看完前文的读者应该知道为什么这里两个Rds（on）大小有差异，不知道的回去前面重新看。动态点特性：注①：Ciss = Cgs + Cgd ；Coss = Cds ；Crss = Cgd；注②：MOS管开启速度较主要关注的参数是Qg，也就是形成...