碳化硅（SiC）是第三代化合物半导体材料。半导体产业的基石是芯片，制作芯片的材料按照历史进程分为：代半导体材料（大部分为目前使用的高纯度硅），第二代化合物半导体材料（砷化镓、磷化铟），第三代化合物半导体材料（碳化硅、氮化镓）。碳化硅因其优越的物理性...

2023/04/17 查看详细

在功能陶瓷方面，其优异的耐高温性能作为感应加热管、耐火材料、发热元件使用。氧化锆陶瓷具有敏感的电性能参数，主要应用于氧传感器、固体氧化物燃料电池(Solid Oxide Fuel Cell, SOFC）和高温发热体等领域。ZrO2具有较高的折射率（N-21^2...

2023/04/16 查看详细

工业氧化铝的3项主要杂质成分中,Na2O及Fe2O3将降低氧化铝瓷件的电性能,Na2O的含量应<～,Fe2O3含量应<。另外,在电真空瓷件中,工业氧化铝不得含有氯化物、氟化物等,因为它们能侵蚀电真空装置。电熔刚玉电熔刚玉是以工业氧化铝或富含铝的原料...

2023/04/15 查看详细

氧化铝瓷球是一种以氧化铝材料为主加工生产的一种陶瓷填料，这类产品有多种规格尺寸和不同纯度，作为反应器内催化剂的覆盖支撑材料和塔填料。氧化铝瓷球它具有耐高温高压，吸水率低，化学性能稳定的特点。能经受酸、碱及其它有机溶剂的腐蚀，并能经受生产过程中出现的温度变...

2023/04/15 查看详细

试验设计在磨削过程中，磨削工艺参数对磨削效率有重要影响。通过单因素试验分析砂带线速度、磨削压力、工件进给速度对磨削效率的影响，电子秤称量工件磨削前后的质量，秒表记录磨削时间，采用单位时间内材料去除率为不同条件下的磨削效率；设计三因素三水平的正交试验方案，通过极...

2023/04/14 查看详细

氧化铝陶瓷二、氧化铝陶瓷低温烧结技术由于氧化铝熔点高达2050℃，导致氧化铝陶瓷的烧结温度普遍较高（参见表一中标准烧结温度），从而使得氧化铝陶瓷的制造需要使用高温发热体或高质量的燃料以及高级耐火材料作窑炉和窑具，这在一定程度上限制了它的生产和更的应用。因此，降...

2023/04/13 查看详细

由于电动汽车（EV）和其他系统的快速增长，对碳化硅（SiC）衬底和功率半导体的需求正在激增。由于需求量大，市场上SiC基板、晶圆和SiC基器件供应紧张，促使一些供应商在晶圆尺寸转换过程中增加晶圆厂产能。一些SiC器件制造商正在晶圆厂从4英寸晶圆过渡到6英寸晶圆...

2023/04/12 查看详细

为何半绝缘型与导电型碳化硅衬底技术壁垒都比较高？PVT方法中SiC粉料纯度对晶片质量具有较大影响。粉料中一般含有极微量的氮（N），硼（B）、铝（Al）、铁（Fe）等杂质，其中氮是n型掺杂剂，在碳化硅中产生游离的电子，硼、铝是p型掺杂剂，产生游离的空...

2023/04/12 查看详细

SiC有多种同质多型体，不同的同质多型体有不同的应用范围。典型的有3C-SiC、4H-SiC和6H-SiC，它们各有不同的应用范围。其中，3C-SiC是***具有闪锌矿结构的同质多型体，其电子迁移率比较高，再加上有高热导率和高临界击穿电场，非常适合...

2023/04/11 查看详细

碳化硅是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料，它与氮化镓（GaN）、氮化铝（AlN）、氧化镓（Ga2O3）等，因禁带宽度大于，在国内也称为第三代半导体材料。目前，以氮化镓、碳化硅为的第三代半导体材料及相关器件芯片已成为全球高技术领域竞争战略制...

2023/04/10 查看详细

现在，SiC材料正在大举进入功率半导体领域。一些**的半导体器件厂商，如罗姆（ROHM）株式会社、英飞凌科技公司、Cree、飞兆国际电子有限公司等都在开发自己的SiC功率器件。英飞凌科技公司在今年推出了第5代SiC肖特基势垒二极管，它结合了第3代产品的低容性电...

2023/04/09 查看详细

以碳化硅为的第三代半导体材料，被誉为继硅材料之后有前景的半导体材料之一，与硅材料相比，以碳化硅晶片为衬造的半导体器件具备高功率、耐高压/高温、高频、低能耗、抗辐射能力强等优点，可广泛应用于半导体功率器件和5G通讯等领域。按照衬底电学性能的不同，碳化...

2023/04/09 查看详细