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4寸碳化硅衬底导电
随着电力电子变换系统对于效率和体积提出更高的要求，SiC（碳化硅）将会是越来越合适的半导体器件。尤其针对光伏逆变器和UPS应用，SiC器件是实现其高功率密度的一种非常有效的手段。由于SiC相对于Si的一些独特性，对于SiC技术的研究，可以追溯到上世...
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2023/01 -
深圳氧化硅陶瓷加工
在水泥企业，许多人都错误的认为：“陶瓷球应用没什么技术，不就是把球磨机尾仓的钢锻倒出来、换上陶瓷球吗？”实际上，这么做的后果，就只能把粉磨系统的台时产量一降再降。原因很简单，不降低产量，出磨物料中合格的水泥成品含量太少，要保证水泥产品质量（细度、比...
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2023/01 -
北京6寸碳化硅衬底
的中端功率半导体器件是IGBT，它结合了MOSFET和双极晶体管的特性。IGBT用于400伏至10千伏的应用。问题是功率MOSFET和IGBT正达到其理论极限，并遭受不必要的能量损失。一个设备可能会经历能量损失，原因有两个：传导和开关。传导损耗是由于器件中的电...
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2023/01 -
进口led碳化硅衬底半绝缘
SiC电子器件是微电子器件领域的研究热点之一。SiC材料的击穿电场有4MV/cm，很适合于制造高压功率器件的有源层。而由于SiC衬底存在缺点等原因，将它直接用于器件制造时，性能不好。SiC衬底经过外延之后，其表面缺点减少，晶格排列整齐，表面形貌良好，比衬底大为...
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2023/01 -
广东碳化硅衬底进口6寸sic
从衬底的下游晶圆与器件来看，大量生产厂家仍然位于日本、欧洲与美国；但国内生产厂家在衬底领域已经拥有了一定的市场份额。根据Yole数据，在2020年半绝缘型碳化硅衬底市场中，贰陆公司（II-IV）、科锐公司（Cree）以及天岳先进依次占据甲的位置，市场份额分别为...
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2023/01 -
广东氧化锆陶瓷厂家
采用特殊烧成工艺降低瓷体烧结温度，采用热压烧结工艺，在对坯体加热的同时进行加压，那么烧结不*是通过扩散传质来完成，此时塑性流动起了重要作用，坯体的烧结温度将比常压烧结低很多，因此热压烧结是降低Al2O3陶瓷烧结温度的重要技术之一。目前热压烧结法中有压力烧结法和...
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2023/01 -
江苏铈稳定氧化锆陶瓷球厂家
氧化铝球在不同领域中表现的特性。1、石英粉：由于其颜色非常白，石英粉也白，所以在研磨的过程中不会对石英粉造成污染。石英粉硬度比较高，所以需要硬度比较高的氧化铝球，氧化铝球的硬度跟氧化铝含量有关，一般采用高含量氧化铝球进行研磨。2、玻璃研磨玻璃粉也是...
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2023/01 -
江苏精密氧化锆陶瓷板
干压成型可成型形状复杂的陶瓷制品，尺寸精度高，几乎不需要后续加工，是制作异形陶瓷制品的主要成型工艺；特别适宜于各种截面厚度较小的陶瓷制品制备，如陶瓷密封环、陶瓷水阀片、陶瓷衬板、陶瓷内衬等。成型好的坯体经过干燥或脱脂后装入窑炉进行烧结。根据氧化铝含量的不同制定...
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2023/01 -
北京精密氧化锆陶瓷基板
热压铸、轧膜的原料处理方式主要是干法研磨，注浆、干压和等静压的原料处理方式主要是湿法研磨。热压铸、轧膜和凝胶注模等成型方法在处理好的粉料里还要混入有机物，干压和等静压的粉料经湿法研磨后还要进行造粒处理，现在的造粒设备主要有压力式喷雾干燥塔和离心式喷...
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2023/01 -
广东高温氧化锆陶瓷内衬
如何检验氧化锆陶瓷零件的产品质量?氧化锆陶瓷零件是一些结构件以及异形件的统称，它一般形状各异，可以根据客户要求定制打造，那么该如何确保氧化锆陶瓷零件的产品质量呢?下面一起来看下。一、首先观察氧化锆陶瓷零件硬度是否达到标准，以及耐磨性能好不好，还有就是热导率的大...
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2023/01 -
广州纳米氧化锆陶瓷垫片
氧化锆陶瓷的生产要求制备高纯、分散性能好、粒子超细、粒度分布窄的粉体，氧化锆超细粉末的制备方法很多，氧化锆的提纯主要有氯化和热分解法、碱金属氧化分解法、石灰熔融法、等离子弧法、沉淀法、胶体法、水解法、喷雾热解法等。粉体加工方法有共沉淀法、溶胶一凝胶法、蒸发法、...
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2023/01 -
东莞透明氧化锆陶瓷研磨球
热压铸、轧膜的原料处理方式主要是干法研磨，注浆、干压和等静压的原料处理方式主要是湿法研磨。热压铸、轧膜和凝胶注模等成型方法在处理好的粉料里还要混入有机物，干压和等静压的粉料经湿法研磨后还要进行造粒处理，现在的造粒设备主要有压力式喷雾干燥塔和离心式喷...
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2023/01
新闻中心
