碳化硅衬底主要有导电型及半绝缘型两种。其中，在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层制得碳化硅外延片，可进一步制成碳化硅功率器件，应用于新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网、航空航天等领域；在半绝缘型...

碳化硅是技术密集型行业，对研发人员操作经验、资金投入有较高要求。国际巨头半导体公司研发早于国内公司数十年，提前完成了技术积累工作。因此，国内企业存在人才匮乏、技术水平较低的困难，制约了半导体行业的产业...

氧化锆陶瓷的弹性变形特征是怎么样?氧化锆陶瓷呈白色，含杂质时呈黄色或灰色，一般含有HfO2，不易分离。弹性变形是指材料在外力作用下发生一定量的变形,外力去除后,材料能够恢复原来形状的变形，那么氧化锆陶...

惰性氧化铝瓷球生产流程1、配方研磨：惰性氧化铝瓷球和惰性瓷球的生产流程上一致，首先是要确定客户对瓷球有什么要求然后进行瓷球泥料配方，以达到成品能满足客户要求。2、制泥成形：研磨后用压滤机和真空练泥机把...

工件进给速度的优水平为2mm/s，所以A2B3C1为各试验因素的优水平组合，即砂带线速度30m/s、磨削压力55N、工件进给速度2mm/s，此时电镀金刚石砂带对氧化铝陶瓷的磨削效率比较高。(3)砂带结...

由于氧化铝陶瓷基板的使用，柴油机瞬间快速起动将变得可能。二、氧化铝陶瓷基板在汽车传感器上的应用对汽车用传感器的要求是能长久适用于汽车特有的恶劣环境(高温、低温、振动、加速、潮湿、噪声、废气)，并应当具...

热膨胀系数是考评印制电路板时常提到的数据，它的缩写是CTE，主要描述物体受热或者冷却时形变的百分率。世界上每种材料都会随着温度的变化产生膨胀或者收缩，这种变化可能并不能由人们直接看到，但确实存在。虽然...

碳化硅衬底可分为两类：一类是具有高电阻率（电阻率≥105Ω·cm）的半绝缘型碳化硅衬底，另一类是低电阻率（电阻率区间为15～30mΩ·cm）的导电型碳化硅衬底。国内供需仍存缺口，有效产能不足。我国20...

相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比，其尺寸可大幅减小至原来的1/10，导通电阻可至少降低至原来的1/100。相同规格的碳化硅基MOSFET较硅基IGBT的总能量损耗可降低70%。碳化...

碳化硅（SIC）是半导体界公认的“一种未来的材料”，是新世纪有广阔发展潜力的新型半导体材料。预计在今后5～10年将会快速发展和有***成果出现。促使碳化硅发展的主要因素是硅（SI）材料的负载量已到达极...

碳化硅SiC的应用前景由于SiC具有上述众多优异的物理化学性质，不*能够作为一种良好的高温结构材料，也是一种理想的高温半导体材料。近20年，伴随薄膜制备技术的高速发展，SiC薄膜已经被***应用于保护...

SiC电子器件是微电子器件领域的研究热点之一。SiC材料的击穿电场有4MV/cm，很适合于制造高压功率器件的有源层。而由于SiC衬底存在缺点等原因，将它直接用于器件制造时，性能不好。SiC...