设备制造商之间的一场大战正在牵引逆变器领域展开，尤其是纯电池电动汽车。一般来说，混合动力车正朝着48伏电池的方向发展。对于动力发明家来说，SiC对于混合动力车来说通常太贵了，尽管有例外。与混合动力一样...

碳化硅被誉为下一代半导体材料，因为其具有众多优异的物理化学特性，被广泛应用于光电器件、高频大功率、高温电子器件。本文阐述了SiC研究进展及应用前景，从光学性质、电学性质、热稳定性、化学性质、硬度和耐磨...

工件进给速度的优水平为2mm/s，所以A2B3C1为各试验因素的优水平组合，即砂带线速度30m/s、磨削压力55N、工件进给速度2mm/s，此时电镀金刚石砂带对氧化铝陶瓷的磨削效率比较高。(3)砂带结...

不同的SiC多型体在半导体特性方面表现出各自的特性。利用SiC的这一特点可以制作SiC不同多型体间晶格完全匹配的异质复合结构和超晶格，从而获得性能较好的器件．其中6H-SiC结构**为稳定，适用于制造...

氧化铝陶瓷具有机械强度高,绝缘电阻大,硬度高,耐磨、耐腐蚀及耐高温等一系列优良性能,其广泛应用于陶瓷、纺织、石油、化工、建筑及电子等各个行业,是目前氧化物陶瓷中用途广、产销量比较大的陶瓷新...

目前，多孔氧化铝陶瓷的制备工艺主要有添加造孔剂法、有机泡沫浸渍法、发泡法、颗粒堆积工艺、冷冻干燥法和凝胶注模法。1、添加造孔剂法添加造孔剂法是制备多孔氧化铝陶瓷较为简单、经济的方法，该工艺是在氧化铝陶...

作为陶瓷原料主要成分之一的氧化铝在地壳中含量非常丰富,在岩石中平均含量为,是自然界中次于SiO2存量的氧化物。一般应用于陶瓷工业的氧化铝主要有2大类,一类是工业氧化铝,另一类是电熔刚玉。工...

高真空烧结是一种在高度真空状态下对陶瓷坯体进行烧结的烧结技术。真空烧结因具有降低升温速率、抑制晶粒异常长大、减少不规则气孔率等优势在制备低气孔率、小尺寸晶粒陶瓷方面受到许多学者的重视。髙真空烧结不仅可...

多孔氧化铝陶瓷不仅具有氧化铝陶瓷耐高温、耐腐蚀性好，同时具有多孔材料比表面积大、热导率低等优良特点，现已应用于净化分离、固定化酶载体、吸声减震和传感器材料等众多领域，在航天航空、能源、石油等领域中也具...

碳化硅（Silicon Carbide）是C元素和Si元素形成的化合物，目前已发现的碳化硅同质异型晶体结构有200多种，其中六方结构的4H型SiC（4H-SiC）具有高临界击穿电场、高电子迁移率的优势...

由于氧化铝陶瓷基板的使用，柴油机瞬间快速起动将变得可能。二、氧化铝陶瓷基板在汽车传感器上的应用对汽车用传感器的要求是能长久适用于汽车特有的恶劣环境(高温、低温、振动、加速、潮湿、噪声、废气)，并应当具...

经过数十年不懈的努力，目前，全球只有少数的大学和研究机构研发出了碳化硅晶体生长和加工技术。在产业化方面，只有以美国Cree为**的少数几家能够提供碳化硅晶片，国内的碳化硅晶片的需求全赖于进口。...