1、过流保护如果想得到较安全的过流保护，建议用户优先使用内部带过流保护作用的模块。另外还可采用外接快速熔断器、快速过电流继电器、传感器的方法。快速熔断器是**简单常用的方法，介绍如下：（1）快速熔断器的选择：①、熔断器的额定电压应大于模块输入端电压；②、熔断器的额定电流应为模块标称输入电流的，按照计算值选择相同电流或稍大一点的熔断器。模块输入、输出电流的换算关系参考本本博客有关文章。用户也可根据经验和试验自行确定熔断器的额定电流。（2）接线方法：快速熔断器接在模块的输入端，负载接输出端。2、过压保护晶闸管承受过电压的能力较差，当元件承受的反向电压超过其反向击穿电压时，即使时间很短，也会造成元件反向击穿损坏。如果正向电压超过晶闸管的正向转折电压，会引起晶闸管硬开通，它不仅使电路工作失常，且多次硬开通后元件正向转折电压要降低，甚至失去正向阻断能力而损坏。因此必须采用过电压保护措施用以晶闸管上可能出现的过电压。模块的过压保护，推荐采用阻容吸收和压敏电阻两种方式并用的保护措施。（1）阻容吸收回路晶闸管从导通到阻断时，和开关电路一样，因线路电感（主要是变压器漏感LB）释放能量会产生过电压。正高电气注重于产品的环保性能，将应用美学与环保健康结合起来。上海单相交流调压模块品牌
焊机晶闸管模块故障维修1、松下焊机晶闸管模块的型号及组成结构：松下焊机维修KR1系列焊机模块型号见下表;2、松下焊机模块的测量模块的阴阳极电阻一般为兆欧极，阴控极电阻为几欧至十几欧。测量方法如下图所示：KR1系列焊机模块阴控极阻值见下表：另外请注意：在焊机上测量模块阴控极电阻时，需将与其相连的触发信号线拔下：测量阴阳极的电阻时，也需将与其相连的主电缆拆掉。模块故障简介：（1）阴控极或阴阳极断路：如果某一组晶闸管的阴控极断路或阻值变**于几十欧），该组晶闸管就不能被触发：而某一组晶闸管的阴、阳极发生断路时，即便有触发信号，该组晶闸管也不能导通。以上两种情况会造成焊机输出缺相，所表现出的现象为：空载电压低，焊接时焊机发生振动，并发出很大的噪声。（2）阴控极或阴阳极断路：当某一组晶闸管的阴、控极发生短路时，会同时造成改组晶闸管的阴阳极击穿。如果*有一组晶闸管4穿，在交流接触器吸合但未进行焊接的情况下，主变压器次级会通过主电路中的电阻R2形成回路，此时主电路中有电流产生，电流表电压表有指示。如果一个模块中有两组以上的晶闸管击穿的话，会造成主变压器次级短路。当交流接触器吸合后。大功率晶闸管模块品牌正高电气竭诚为您服务，期待与您的合作，欢迎大家前来！
压接式和焊接式可控硅模块有哪些区别？可控硅模块属于一种使用模块封装形式，拥有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件，这种可控硅模块的体积非常的小，结构也十分的紧凑，对于维修与安装都有很大的作用，可控硅模块的类型非常的多，比方说压接式可控硅模块、焊接式可控硅模块等，很多人不是很清楚两者之间的差异，下面详细的进行区分一下。①从电流方面来讲，焊接式可控硅模块可以做到160A电流，同时压接式模块的电流就能够达到1200A，这就是讲低于160A的模块，不只是有焊接式的，同时也有压接式的。可控硅模块②从外形方面来讲，焊接式的可控硅模块远远没有压接式的外形比较好，压接式的属于一体成型，技术十分的标准，焊接式的局部地区可能有焊接的痕迹，但是在使用的时候是没有任何的影响的。③众所周知，压接式可控硅模块的市场占有率是非常大的，有不少的公司都会使用压接式可控硅模块，这其中的原因可能使由于其外形十分的美观，除此之外从价格方面来讲，焊接式可控硅模块的成本远远要比压接式可控硅模块的成本低。我公司的电力半导体器件有：全系列功率模块(MTC，MFC，MDC，MDQ，MDS)，普通整流管(ZP)，快速整流管(ZK)。
在快速无功补偿和谐波滤波装置中，要用晶闸管投切电容器TSC，。执行元件晶闸管根据应用场合的不同，有饼式的、模块的和双向可控硅的不同结构型式。针对不同的主回路和不同的晶闸管型式，触发电路也不同。TSC要求在晶闸管电压过零点触发，确定晶闸管电压过零点的方法有两种，一种是从电网电压取得同步信号，另一种是从晶闸管的阳极和阴极取得过零信号。晶闸管投切电容器的原理晶闸管投切电容器组的关键技术是必须做到投切时无电流冲击。晶闸管投切电容器组的原理如图1所示。图1晶闸管投切电容器组的原理可控硅晶闸管模块产品优势特点1.电压过零触发，电流过零断开，无冲击电流；2.光电隔离，抗干扰能力强，响应时间＜15ms；3.德国经典触发及保护电路，全正弦波切换，运行安全无谐波；4.特有**散热片，无轴流风机，主动散热，运行无噪声，组件免维护，使用寿命长；5.内置过温（85℃）保护；6.三色LED信号灯分别显示开关通电状态、运行状态、故障状态；7.兼容性强，可与全球各种规格无功补偿控制器配套；8.导通压降低，开关损耗小，降低用户能耗。正高电气为企业打造高水准、高质量的产品。
红表笔接K极时，电阻呈低阻值，对其它情况电阻值均为无穷大。由此可迅速判定G、K极，剩下的就是A极。2．检查触发能力如图2(a)所示，首先将表Ⅰ的黑表笔接A极，红表笔接K极，电阻为无穷大；然后用黑表笔尖也同时接触G极，加上正向触发信号，表针向右偏转到低阻值即表明GTO已经导通；脱开G极，只要GTO维持通态，就说明被测管具有触发能力。3．检查关断能力现采用双表法检查GTO的关断能力，如图2(b)所示，表Ⅰ的档位及接法保持不变。将表Ⅱ拨于R×10档，红表笔接G极，黑表笔接K极，施以负向触发信号，如果表Ⅰ的指针向左摆到无穷大位置，证明GTO具有关断能力。4．估测关断增益βoff进行到第3步时，先不接入表Ⅱ，记下在GTO导通时表Ⅰ的正向偏转格数n1；再接上表Ⅱ强迫GTO关断，记下表Ⅱ的正向偏转格数n2。根据读取电流法按下式估算关断增益：βoff=IATM/IGM≈IAT/IG=K1n1/K2n2式中K1—表Ⅰ在R×1档的电流比例系数；K2—表Ⅱ在R×10档的电流比例系数。βoff≈10×n1/n2此式的优点是。不需要具体计算IAT、IG之值，只要读出二者所对应的表针正向偏转格数，即可迅速估测关断增益值。晶体闸流管注意事项编辑（1）在检查大功率GTO器件时，建议在R×1档外边串联一节′。正高电气材料竭诚为您服务，期待与您的合作！上海单相交流调压模块品牌
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下面描述中的附图**是本发明中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本发明的立式晶闸管模块的一具体实施方式的平面示意图。具体实施方式下面结合附图所示的各实施方式对本发明进行详细说明，但应当说明的是，这些实施方式并非对本发明的限制，本领域普通技术人员根据这些实施方式所作的功能、方法、或者结构上的等效变换或替代，均属于本发明的保护范围之内。如图1所示，本发明的立式晶闸管模块包括：外壳1、盖板2、铜底板3、形成于所述盖板2上的接头4、第二接头5和第三接头6、封装于所述外壳1内部的晶闸管单元和第二晶闸管单元。其中，任一所述接头均可与电力系统中一路电路相连接，并在晶闸管单元的控制下对所在电路进行投切控制。所述晶闸管单元包括：压块7、门极压接式组件8、导电片9、第二导电片10、瓷板11。其中，所述压块7设置于所述门极压接式组件8上，并通过所述门极压接式组件8对所述导电片9、第二导电片10、瓷板11施加压合作用力，所述导电片9、第二导电片10、瓷板11依次设置于所述铜底板3上。为了实现所述导电片9、第二导电片10、瓷板11与铜底板3的固定连接。上海单相交流调压模块品牌
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