可控硅模块特点:
1 对耐压级别的选择:通常把VDRM(断态重复峰值电压)和VRRM(反向重复峰值电压)中较小的值标作该器件的额定电压。
2 对电流的确定:由于双向可控硅模块通常用在交流电路中,因此不能用平均值而用有效值来表示它的额定电流值。由于可控硅的过载能力比一般电磁器件小,因而一般家电中选用可控硅模块的电流值为实际工作电流值的2~3倍。同时,可控硅承受断态重复峰值电压VDRM和反向重复峰值电压VRRM 时的峰值电流应小于器件规定的IDRM和IRRM。
3 对通态电压VTM的选择:它是可控硅模块通以规定倍数额定电流时的瞬态峰值压降。为了减少可控硅的热损耗,应尽可能选择VTM小的可控硅。
4 对维持电流:IH是维持可控硅模块保持通态所必 需的极小主电流,它与结温有关,结温越高,则IH越小。
5 对电压上升率的:dv/dt指的是在关断状态下电压的上升斜率,这是防止误触发的一个关键参数。由于双向可控硅模块的制造工艺决定了A2与G之间会存在寄生电容。 淄博正高电气有限公司是您可信赖的合作伙伴!北京反并联可控硅模块品牌

接下来需要检测的是控制极与阴极之间的PN结是否损坏。我们可以用万用表的R×1k或R×10k挡测阳极与控制极之间的电阻,正反向测量阻值均应几百千欧以上,若电阻值很小表明可控硅击穿短路。用R×1k或R×100挡,测控制极和阴极之间的PN结的正反向电阻在几千欧左右,如出现正向阻值接近于零值或为无穷大,表明控制极与阴极之间的PN结已经损坏。反向阻值应很大,但不能为无穷大。正常情况是反向阻值明显大于正向阻值。
如果想要判断可控硅是否已经被击穿损坏,工程师可以使用万用表选电阻R×1挡,然后将黑表笔接阳极,红表笔仍接阴极,此时万用表指针应不动。红表笔接阴极不动,黑表笔在不脱开阳极的同时用表笔尖去瞬间短接控制极,此时万用表电阻挡指针应向右偏转,阻值读数为10欧姆左右。如阳极接黑表笔,阴极接红表笔时,万用表指针发生偏转,说明该单向可控硅已击穿损坏。 山东反并联可控硅模块哪家好我们愿与您共同努力,共担风雨,合作共赢。

选择可控硅模块时不能只看表面,应参考实际工作条件来选择,选用可控硅模块的额定电流时,除了考虑通过元件的平均电流外,还应注意正常工作时导通角的大小、散热通风条件等因素。在工作中还应注意管壳温度不超过相应电流下的允许值。
1.可控硅模块的冷却及环境条件:
(1)强迫风冷:风速≥6m/s,风温≤40℃;
(2)水冷:流量≥4L/mm,压强0.2±0.03Mpa。水温≤35℃. 水电阻率≥20KΩ.cm,HP值6—8;
(3)自冷和负冷环境温度—40℃—40℃.水冷以环境温度5℃—40℃;
(4)空气相对湿度≤85%;
(5)空气中无腐蚀性气体和破坏绝缘的尘埃;
(6)气压86—106Kpa;
(7)无剧烈震动或冲击;
(8)若有特殊场合,应进行相应的试验,证明工作可靠方可使用。
任何的东西都有其使用的寿命,可控硅也不例外,可控硅模块使用时间长了,它的温度就会升高,如果温度过高就容易损坏,并且降低使用寿命,这就需要大家来看看可控硅模块的升温方法:
1 可控硅模块环境温度的测定:在距被测可控硅模块表面1.5m处放置温度计,温度计测点距地面的高度与减速机轴心线等高,温度计的放置应不受外来辐射热与气流的影响,环境温度数值的读取与工作温度数值的读取应同时进行。
2 可控硅模块温升按下式计算:式中:Δt--可控硅模块的温升(℃)。
3 可控硅模块工作温度的测定:被测可控硅模块温升的测定,通常与减速机的承载能力及传动效率测定同时进行,也可单独进行,被测减速机在符合规定时,读取它在额定转速、额定输入功率下的工作温度
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可控硅鉴别三个极的方法很简单,根据P-N结的原理,用万用表测量一下三个极之间的电阻值就可以判断出来。
阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上,阳极和控制极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上(它们之间有两个P-N结,而且方向相反,因此阳极和控制极正反向都不通)。
控制极与阴极之间是一个P-N结,因此它的正向电阻大约在几欧-几百欧的范围,反向电阻比正向电阻要大。可是控制极二极管特性是不太理想的,反向不是完全呈阻断状态的,可以有比较大的电流通过,因此,有时测得控制极反向电阻比较小,并不能说明控制极特性不好。另外,在测量控制极正反向电阻时,万用表应放在R*10或R*1挡,防止电压过高控制极反向击穿。
若测得元件阴阳极正反向已短路,或阳极与控制极短路,或控制极与阴极反向短路,或控制极与阴极断路,说明元件已损坏。 地理位置优越,交通十分便利。山东反并联可控硅模块哪家好
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可控硅模块的出现已经历史悠久,它的出现也帮助人们解决了很多难题,凭借它的优势,使可控硅模块在电气行业中非常的受欢迎,下面正高来详细的说下可控硅模块。
可控硅模块通常被称之为功率半导体模块(semiconductormodule)。刚开始是在1970年出现在电力电子技术领域,是采用模块封装形式,具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。
可控硅模块的优点体积小、重量轻、结构紧凑、可靠性高、外接线简单、互换性好、便于维修和安装;结构重复性好,装置的机械设计可以简化,价格比分立器件低等诸多优点,因而在一诞生就受到了各大电力半导体厂家的热捧,并因此得到长足发展。 北京反并联可控硅模块品牌
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