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可控硅模块基本参数
  • 产地
  • 山东淄博
  • 品牌
  • 正高
  • 型号
  • 多种型号
  • 是否定制
可控硅模块企业商机

可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件,共有三个PN结,分析原理时,可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成。当阳极A加上正向电压时,BG1和BG2管均处于放大状态。此时,如果从控制极G输入一个正向触发信号,BG2便有基流ib2流过,经BG2放大,其集电极电流ic2=β2ib2。因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连,所以ib1=ic2。此时,电流ic2再经BG1放大,于是BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。这个电流又流回到BG2的基极,表成正反馈,使ib2不断增大,如此正向馈循环的结果,两个管子的电流剧增,可控硅使饱和导通。

 由于BG1和BG2所构成的正反馈作用,所以一旦可控硅导通后,即使控制极G的电流消失了,可控硅仍然能够维持导通状态,由于触发信号只起触发作用,没有关断功能,所以这种可控硅是不可关断的。

  由于可控硅只有导通和关断两种工作状态,所以它具有开关特性,这种特性需要一定的条件才能转化 淄博正高电气有限公司不断提高产品的质量。枣庄可控硅模块供应商

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您知道可控硅模块的导通条件是什么吗?

可控硅模块导通的条件是阳极承受正电压,只有当正向触发电压时,可控硅才能导通。由门级施加的正向触发脉冲的较小宽度应使阳极电流达到维持直通状态所需的较小的阳极电流,即高于电流IL。可控硅导通后的电压降很小。

接通可控硅模块的条件是将流过可控硅模块的电流减小到较小的值,即保持电流IH。有两种方法:

1.将正极电压降低至数值,或添加反向阳极电压。

2.增加负载电路中的电阻。

以上是可控硅模块的导通状态,希望能帮助您 天津双向可控硅模块厂家淄博正高电气有限公司生产的产品受到用户的一致称赞。

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一种以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件,创制于1957年,由于它特性类似于真空闸流管,所以国际上通称为硅晶体闸流管,简称晶闸管T。又由于晶闸管开始应用于可控整流方面所以又称为硅可控整流元件,简称为可控硅SCR。

在性能上,可控硅不仅具有单向导电性,而且还具有比硅整流元件(俗称“死硅”)更为可贵的可控性。它只有导通和关断两种状态。

可控硅能以毫安级电流控制大功率的机电设备,如果超过此频率,因元件开关损耗明显增加,允许通过的平均电流相降低,此时,标称电流应降级使用。

可控硅的优点很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍数高达几十万倍;反应极快,在微秒级内开通、关断;无触点运行,无火花、无噪音;效率高,成本低等等。

可控硅的弱点:静态及动态的过载能力较差;容易受干扰而误导通。

可控硅从外形上分类主要有:螺栓形、平板形和平底形。

可控硅模块散热条件的好坏直接关系到商品的运用寿数和短时过载才华,温度越低模块的输出电流越大,所以在运用中有必要装备散热器和风机,主张选用带有过热维护功用的商品,有水冷散热条件的优先挑选水冷散热。咱们经过严肃测算,断定了不一样类型的商品所大概装备的散热器类型,推荐选用厂家配套的散热器和风机,用户自备时按以下准则挑选:

1、轴流风机的风速应大于6m/s ;

2、有必要能确保模块正常作业时散热底板温度不大于80℃;

3、模块负载较轻时,可减小散热器的大小或选用天然冷却;

4、选用天然办法冷却时散热器周围的空气能结束对流并恰当增大散热器面积;

5、悉数紧固模块的螺钉有必要拧紧,压线端子联接强健,以削减次生热量的发生,模块底板和散热器之间有必要要涂敷一层导热硅脂或垫上一片底板大小的导热垫,以抵达良好散热作用。 淄博正高电气有限公司产品**国内。

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实际上,可控硅模块元件的结温不容易直接测量,因此不能用它作为是否超温的判据。通过控制模块底板的温度(即壳温Tc)来控制结温是一种有效的方法。由于PN结的结温Tj和壳温Tc存在着一定的温度梯度,知道了壳温也就知道了结温,而相当高壳温Tc是限定的,由产品数据表给出。借助温控开关可以很容易地测量到与散热器接触处的模块底板温度(温度传感元件应置于模块底板温度相当高的位置)。从温控天关测量到的壳温可以判断模块的工作是否正常。若在线路中增加一个或两个温度控制电路,分别控制风机的开启或主回路的通断(停机),就可以有效地保证晶闸管模块在额定结温下正常工作。

  需要指出的是,温控开关测量到的温度是模块底板表面的温度,易受环境、空气对流的影响,与模块和散热器的接触面上的温度Tc,还有一定的差别(大约低几度到十几度),因此其实际控制温度应低于规定的Tc值。用户可以根据实际情况和经验决定控制的温度。 淄博正高电气有限公司倾城服务,确保产品质量无后顾之忧。天津双向可控硅模块厂家

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可控硅模块规格的选择方法:考虑到可控硅产品一般为非正弦电流,存在导通角问题,负载电流存在一些波动和不稳定因素,晶闸管芯片抗电流冲击能力差,在选择模块电流规格时必须留出一定的裕度。

推荐选择方法可按照以下公式计算:I>K×I负载×U∕U实际

K :安全系数,阻性负载K= 1.5,感性负载K= 2;

I负载:负载流过的强大电流; U实际:负载上的小电压;

U强大 模块能输出的强大电压;(三相整流模块为输入电压的1.35倍,单相整流模块为输入电压的0.9倍,其余规格均为1.0倍);

I:需要选择模块的小电流,模块标称的电流必须大于该值。 枣庄可控硅模块供应商

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