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晶闸管智能模块基本参数
  • 产地
  • 山东淄博
  • 品牌
  • 正高
  • 型号
  • 多种型号
  • 是否定制
晶闸管智能模块企业商机

    当C5上的电压上升到氛管的导通电压时,双向晶闸管就会被触发导通。另一种是用两个NPN型三极管反向串联(基极开路)代替双向触发二极管,调压效果还不错。再有一种是用RC电路取代双向触发二极管,调压效果要差一些,在对调压器性能要求不高的情况下可以使用。双向晶闸管能不能也采用单结晶体管张弛振荡器组成的触发电路呢?双向晶闸管的特点是不论给它的控制极加上正的或负的触发脉冲都能使它导通,所以,单结晶体管张弛振荡器同样可以作为双向晶闸管的触发电路。这种触发电路调压效果很好,只是电路比较复杂。由于单结晶体管张弛振荡器必须由直流电源供电,所以应用桥式整流电路得到全波脉动直流电压,再经过稳压管VD削波成为梯形波电压,为张弛振荡器供电。为什么使用梯形波电压而不用滤波电容器得到平滑的直流电压呢?一定要用梯形波电压,不能使用平滑的直流电压。这是为了能使触发脉冲与交流电源同步。经过全波整流、稳压管削波后得到的梯形波电压与主电路电压是同步变化的,即二者同时经过零值,同时上升,同时下降。这样,当晶闸管上承受的主电压过零时。正高电气倾城服务,确保产品质量无后顾之忧。MTDC55晶闸管智能模块批发

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    使设备进入稳态运行。若一次起动不成功,即自动调频电路没有抓住中频电压反馈信号,此时,它激信号便会一直扫描到比较低频率,重复起动电路一旦检测到它激信号进入到比较低频段,便进行一次再起动,把它激信号再推到比较高频率,重新扫描一次,直至起动成功,重复起动的周期约为。由CON2-1和CON2-2输入的中频电压信号,经IC1A转换成方波信号,输入到IC6的30角,由IC6的15P、16P输出的逆变触发信号。经IC7A隔离放大后,驱动逆变触发CMOS晶体管Q5、Q6。IC4B和IC4C构成逆变压控时钟,输入到IC6的33脚CLOK2;同时又由IC7B进行频压转换后用于驱动频率表。W6微调电位器用于设定压控时钟的比较高频(即逆变它激信号的比较高频率),W5微调电位器用于整定外接频率表的读数。另外,当发生过电压保护时,IC6内部的过电压保护振荡器起振,输出2倍于比较高逆变频率的触发脉冲,使逆变桥的4只晶闸管均导通。IC4A为起动失败检测器,其输出控制IC6内部重复起动电路。过电流保护信号经Q3倒相后,送到IC6的20P,整流触发脉冲:驱动“”LED批示灯亮和驱动报警继电器。过电流触发器动作后,只有通过复位信号或通过关机后再开机进行“上电复位”,方可再次运行。MTDC55晶闸管智能模块批发正高电气过硬的产品质量、质量的售后服务、认真严格的企业管理,赢得客户的信誉。

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晶闸管模块的应用方法

1、模块的控制功能端口定义

+12V:   外接 +12V直流电源正极。

GND:   直流电源地线。

GND1:    控制信号地线,与GND 相通。

CON10V:  0~10V 控制信号输入。

TESTE: 检测电源,可外接 4.7K~20K电位器,取出0~10V 信号。

CON20mA:4~20mA控制信号输入。

2、模块的控制端口与控制线

模块控制端接口有5脚、9脚和15脚三种形式,分别对应于5芯、9芯、15芯的控制线。采用电压信号的产品只用**脚端口,其余为空脚,采用电流信号的9脚为信号输入,控制线的屏蔽层铜线应焊接到直流电源地线上,连接时注意不要同其它的端子短路,以免不能正常工作或可能烧坏模块。

    过流保护如果想得到较安全的过流保护,建议用户优先使用内部带过流保护功能的模块。另外还可采用外接快速熔断器、快速过电流继电器、传感器的方法。快速熔断器是**简单常用的方法,介绍如下:(1)快速熔断器的选择:①、熔断器的额定电压应大于模块输入端电压;②、熔断器的额定电流应为模块标称输入电流的,按照计算值选择相同电流或稍大一点的熔断器。模块输入、输出电流的换算关系参考本本博客有关文章。用户也可根据经验和试验自行确定熔断器的额定电流。(2)接线方法:快速熔断器接在模块的输入端,负载接输出端。2、过压保护晶闸管承受过电压的能力较差,当元件承受的反向电压超过其反向击穿电压时,即使时间很短,也会造成元件反向击穿损坏。如果正向电压超过晶闸管的正向转折电压,会引起晶闸管硬开通,它不仅使电路工作失常,且多次硬开通后元件正向转折电压要降低,甚至失去正向阻断能力而损坏。因此必须采用过电压保护措施用以晶闸管上可能出现的过电压。模块的过压保护,推荐采用阻容吸收和压敏电阻两种方式并用的保护措施。(1)阻容吸收回路晶闸管从导通到阻断时,和开关电路一样,因线路电感(主要是变压器漏感LB)释放能量会产生过电压。正高电气公司狠抓产品质量的提高,逐年立项对制造、检测、试验装置进行技术改造。

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    晶闸管(可控硅)两端为什么并联电阻和电容在实际晶闸管(可控硅)电路中,常在其两端并联RC串联网络,该网络常称为RC阻容吸收电路。我们知道,晶闸管(可控硅)有一个重要特性参数-断态电压临界上升率dlv/dlt。它表明晶闸管(可控硅)在额定结温和门极断路条件下,使晶闸管(可控硅)从断态转入通态的比较低电压上升率。若电压上升率过大,超过了晶闸管(可控硅)的电压上升率的值,则会在无门极信号的情况下开通。即使此时加于晶闸管(可控硅)的正向电压低于其阳极峰值电压,也可能发生这种情况。因为晶闸管(可控硅)可以看作是由三个PN结组成。在晶闸管(可控硅)处于阻断状态下,因各层相距很近,其J2结结面相当于一个电容C0。当晶闸管(可控硅)阳极电压变化时,便会有充电电流流过电容C0,并通过J3结,这个电流起了门极触发电流作用。如果晶闸管(可控硅)在关断时,阳极电压上升速度太快,则C0的充电电流越大,就有可能造成门极在没有触发信号的情况下,晶闸管(可控硅)误导通现象,即常说的硬开通,这是不允许的。因此,对加到晶闸管(可控硅)上的阳极电压上升率应有一定的限制。为了限制电路电压上升率过大,确保晶闸管(可控硅)安全运行,常在晶闸管(可控硅)两端并联RC阻容吸收网络。选择正高电气,就是选择质量、真诚和未来。MTDC55晶闸管智能模块批发

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晶闸管智能模块工作原理

晶闸管智能模块用于电加热控制柜内,通过温控仪表的温度传感器来采集炉内温度,然后由恒温仪表来控制智能可控硅调压模块的输出电压,形成一个温度闭环系统,来保持炉内温度恒定。

晶闸管智能模块过压保护:

晶闸管智能模块工作时由导通到截止时或因雷击及其他原因都会产生能量较大,持续时间较长的过电压,此电压直接作用与晶闸管上会使晶闸管超过额定电压而击穿,为了保护晶闸管,常采用压敏电阻吸收与阻容吸收的方法来吸收过电压,有效避免晶闸管被击穿。 MTDC55晶闸管智能模块批发

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