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晶闸管智能模块基本参数
  • 产地
  • 山东淄博
  • 品牌
  • 正高
  • 型号
  • 多种型号
  • 是否定制
晶闸管智能模块企业商机

    可以自动调节负载阻抗的匹配,达到恒功率输出,可以制成“快速熔炼”的中频电源,达到节时、节电、提高网侧功率因数的目的(此功能也可被送掉)。逆变部分的主要电路均在QXPU-1大规模集成电路的内部,亦是数字电路。QXPU-1控制板全板*有7只集成电路、6只晶体管、6只微调电位器、32个引出端子,安装十分方便,适用于各种晶闸管并联谐振中频电源。MPU-2控制板在设计中征求了多方面的意见,采取了有效措施,使得调试极为方便,大多数参数的都由电路内部自动设定,需要用户调整的只有6只电位器的参数设定,所以具有极强的通用性和互换性。2、产品名称产品名称:恒功率晶闸管中频电源控制板3、适用装置适用于400HZ-10KHZ各种晶闸管并联谐振中频电源。4、正常使用条件。℃,不高于+40℃。比较大相对湿度不超过90%(20℃±5℃时)。,无腐蚀金属和破坏绝缘的气体或蒸汽。。5、主要技术参数:100V~660V(50HZ)(注意R3、R7、R11的匹配):单相17V/2A。:AC12V/15mA。:AC12V/5mA三相输入。:α=0~130°。:小于1°。:≥600μS、双窄、间隔60°。:触发脉冲峰值电压:≥12V触发脉冲峰值电流:≥1A触发脉冲前沿陡度:≥μS:400HZ~10KHZ。:1/16×逆变频率。我公司将以优良的产品,周到的服务与尊敬的用户携手并进!淄博MTDC1000晶闸管智能模块批发

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模块内部晶闸管主要参数

(1)正反向峰值耐压:≥1400V;

(2)di/dt:100A/μs;

(3)dv/dt:500V/μs

晶闸管智能模块的应用方法

模块的控制功能端口

模块可应用于各行各业需要对电力能量大小进行调整和变换的场合。如变压器调压;加热行业调温;金属加工行业的电镀、电解;电源行业电池充放电、电源稳压;电磁行业的励磁以及各行业使用的直流电机调速、交流电机软起动等。

模块如何使用?

模块的使用非常简单,只需用一个可调的电压或者电流信号即可对模块输出电压的大小进行平滑调节,从而实现弱电对强电的控制。

电压或电流信号可取自各种控制仪表、计算机D/A输出,电位器直接从直流电源分压等各种方法。控制信号可以有0~5V,0~10V,4~20mA,0~10mA四种形式。

+12V:外接 +12V直流电源正极。

GND:直流电源地线。

GND1: 控制信号地线,与GND 相通。

CON10V: 0~10V 控制信号输入

TESTE:检测电源,方便用户检测模块功能时用。可外接 4.7K~20K电位器,取出0~10V 信号。

CON20mA:4~20mA控制信号输入 山东MTAC20晶闸管智能模块生产厂家正高电气交通便利,地理位置优越。

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晶闸管智能模块工作原理

晶闸管智能模块用于电加热控制柜内,通过温控仪表的温度传感器来采集炉内温度,然后由恒温仪表来控制智能可控硅调压模块的输出电压,形成一个温度闭环系统,来保持炉内温度恒定。

晶闸管智能模块过压保护:

晶闸管智能模块工作时由导通到截止时或因雷击及其他原因都会产生能量较大,持续时间较长的过电压,此电压直接作用与晶闸管上会使晶闸管超过额定电压而击穿,为了保护晶闸管,常采用压敏电阻吸收与阻容吸收的方法来吸收过电压,有效避免晶闸管被击穿。

    这两部分电路,R5、RP和C5构成阻容移相电路。合上电源开关S,交流电源电压通过R5、RP向电容器C5充电,当电容器C5两端的电压上升到略高于双向触发二极管ST的转折电压时,ST和双向晶闸管VS相继导通,负载RL得电工作。当交流电源电压过零瞬间,双向晶闸管自行关断,接着C5又被电源反向充电,重复上述过程。分析电路时,触发电路是工作在交流电路中的,交流电压的正、负半周分别会发出正、负触发脉冲送到双向晶闸管的控制极,使管子在正、负半周内对称地导通一次。改变RP的阻值,就改变了C5的充电速度,也就改变了双向晶闸管的导通角,相应地改变了负载RL上的交流电压,实现了交流调压。同是不是可以直接作交流调压器使用呢?一个简易型调压器,在要求不高的场合(如灯具调光)完全可以使用。这种调压器的缺点有两个:一是负载RL上的电压不能从零伏起调,比较低只能调到20V。当RP调到比较大值时,C5充电速度变得很慢,以致在交流电压的半个周期时间内,C5上的电压还来不及上升到双向触发二极管的转折电压,双向晶闸管就不能导通。为了克服这一缺点,增加了由R4、C4和R6组成的另一条阻容移相电路。当RP调到极限值以上时。C4上的电压可经R6向C5充电。正高电气倾城服务,确保产品质量无后顾之忧。

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    [1]单结管即单结晶体管,又称为双基极二极管,是一种具有一个PN结和两个欧姆电极的负阻半导体器件。常见的有陶瓷封装和金属壳封装的单结晶体管。[2]单结晶体管可分为N型基极单结管和P型基极单结管两大类。单结晶体管的文字符号为“VT”,图形符号如图所示。[3]单结晶体管的主要参数有:①分压比η,指单结晶体管发射极E至基极B1间的电压(不包括PN结管压降)在两基极间电压中所占的比例。②峰点电压UP,是指单结晶体管刚开始导通时的发射极E与基极B1的电压,其所对应的发射极电流叫做峰点电流IP。③谷点电压UV,是指单结晶体管由负阻区开始进入饱和区时的发射极E与基极B1间的电压,其所对应的发射极电流叫做谷点电流IV。[4]单结晶体管共有三个管脚,分别是:发射极E、基极B1和第二基极B2。图示为两种典型单结晶体管的管脚电极。[5]单结晶体管**重要的特性是具有负阻性,其基本工作原理如图示(以N基极单结管为例)。当发射极电压UE大于峰点电压UP时,PN结处于正向偏置,单结管导通。随着发射极电流IE的增加,大量空穴从发射极注入硅晶体,导致发射极与基极间的电阻急剧减小,其间的电位也就减小,呈现出负阻特性。[6]检测单结晶体管时,万用表置于“R×1k”挡。正高电气公司狠抓产品质量的提高,逐年立项对制造、检测、试验装置进行技术改造。山东MTAC20晶闸管智能模块生产厂家

正高电气设备的引进更加丰富了公司的设备品种,为用户提供了更多的选择空间。淄博MTDC1000晶闸管智能模块批发

    以具有自关断能力,使用方便,是理想的高压、大电流开关器件。GTO的容量及使用寿命均超过巨型晶体管(GTR),只是工作频纺比GTR低。目前,GTO已达到3000A、4500V的容量。大功率可关断晶闸管已用于斩波调速、变频调速、逆变电源等领域,显示出强大的生命力。可关断晶闸管也属于PNPN四层三端器件,其结构及等效电路和普通晶闸管相同,因此图1*绘出GTO典型产品的外形及符号。大功率GTO大都制成模块形式。尽管GTO与SCR的触发导通原理相同,但二者的关断原理及关断方式截然不同。这是由于普通晶闸管在导通之后即外于深度饱和状态,而GTO在导通后只能达到临界饱和,所以GTO门极上加负向触发信号即可关断。GTO的一个重要参数就是关断增益,βoff,它等于阳极比较大可关断电流IATM与门极比较大负向电流IGM之比,有公式βoff=IATM/IGMβoff一般为几倍至几十倍。βoff值愈大,说明门极电流对阳极电流的控制能力愈强。很显然,βoff与昌盛的hFE参数颇有相似之处。下面分别介绍利用万用表判定GTO电极、检查GTO的触发能力和关断能力、估测关断增益βoff的方法。1.判定GTO的电极将万用表拨至R×1档,测量任意两脚间的电阻,*当黑表笔接G极,红表笔接K极时,电阻呈低阻值。淄博MTDC1000晶闸管智能模块批发

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