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可控硅模块基本参数
  • 产地
  • 山东淄博
  • 品牌
  • 正高
  • 型号
  • 多种型号
  • 是否定制
可控硅模块企业商机

任何的东西都有其使用的寿命,可控硅也不例外,可控硅模块使用时间长了,它的温度就会升高,如果温度过高就容易损坏,并且降低使用寿命,这就需要大家来看看可控硅模块的升温方法:

1 可控硅模块环境温度的测定:在距被测可控硅模块表面1.5m处放置温度计,温度计测点距地面的高度与减速机轴心线等高,温度计的放置应不受外来辐射热与气流的影响,环境温度数值的读取与工作温度数值的读取应同时进行。

2 可控硅模块温升按下式计算:式中:Δt--可控硅模块的温升(℃)。

3 可控硅模块工作温度的测定:被测可控硅模块温升的测定,通常与减速机的承载能力及传动效率测定同时进行,也可单独进行,被测减速机在符合规定时,读取它在额定转速、额定输入功率下的工作温度

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可控硅模块的设备与维护

(1)在模块导热底板表面与散热器外表各均匀涂覆一层导热硅脂,然后用四个螺钉把模块固定于散热器上,固定螺钉不要一次拧紧,几个螺钉要顺次固定,用力要均匀,重复几回,直至强健,使模块底板与散热器外表严密触摸。

(2)把散热器和风机按需求安装好后,笔直固定于机箱合适方位。

(3)用接线端头环带将铜线扎紧,浸锡,然后套上绝缘热缩管,用热风加热缩短。将接线端头固定于模块电极上,并坚持超卓的平面压力触摸,阻止将电缆铜线直接压接在模块电极上。  

(4)为延伸商品运用寿数,主张每隔3-4个月维护一次,替换一次导热硅脂,铲除外表尘土,紧固各压线螺钉。 福建可控硅模块价格淄博正高电气有限公司提供周到的解决方案,满足客户不同的服务需要。

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可控硅模块的特性

单向晶闸管模块具有其独特的特性:当阳极连接到反向电压时,或阳极连接到正向电压时,但控制极不增加电压,则不会导通,当阳极和控制极同时连接到正向电压时,将变为接通状态。一旦接通,控制电压将失去控制作用。无论有无控制电压,无论控制电压的极性如何,都将始终处于接通状态。若要关闭,只能将阳极电压降到某个临界值或反向。

双向晶闸管模块的管脚大多按T1、T2和G的顺序从左到右排列(当电极管脚朝着带有字符的一侧向下时)。当改变施加到控制极G的触发脉冲的大小或时间时,其接通电流的大小可以改变。

选择可控硅模块时不能只看表面,应参考实际工作条件来选择,选用可控硅模块的额定电流时,除了考虑通过元件的平均电流外,还应注意正常工作时导通角的大小、散热通风条件等因素。在工作中还应注意管壳温度不超过相应电流下的允许值。


1.可控硅模块的冷却及环境条件:

(1)强迫风冷:风速≥6m/s,风温≤40℃;

(2)水冷:流量≥4L/mm,压强0.2±0.03Mpa。水温≤35℃. 水电阻率≥20KΩ.cm,HP值6—8;

(3)自冷和负冷环境温度—40℃—40℃.水冷以环境温度5℃—40℃;

(4)空气相对湿度≤85%;

(5)空气中无腐蚀性气体和破坏绝缘的尘埃;

(6)气压86—106Kpa;

(7)无剧烈震动或冲击;

(8)若有特殊场合,应进行相应的试验,证明工作可靠方可使用。 淄博正高电气有限公司以发展求壮大,就一定会赢得更好的明天。

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可控硅模块在应用电路中的作用体现在:

可控整流器:如二极管整流器,交流整流器整流为直流,在交流电压不变的情况下,可有效控制直流输出电压,实现交流/直流的转换。

无触点电源静态开关(固态开关):晶闸管模块作为电源开关元件,可在开关频率较高的场合替代接触器和继电器。

因此,可控硅模块普遍应用于各种电子设备和电子产品中,如可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。晶闸管模块广泛应用于家用电器的工业控制领域,如调光灯、调速风扇、空调、热水器、电视、冰箱、洗衣机、照相机、音响组合、语音控制电路、定时控制器、感应灯、圣诞灯控制器、自动门电路、玩具装置等。电动工具产品、无线电遥控电路、摄像机等领域都大量的使用了可控硅模块。 淄博正高电气有限公司以诚信为根本,以质量服务求生存。四川大功率可控硅模块哪家好

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可控硅元件在电气设备中发挥重大作用,但可控硅使用中必须要注意运行环境和相关指标,防止可控硅损坏而影响到设备的正常使用。对此,在选用可控硅的额定电压时,应参考实际工作条件下的峰值电压的大小,并留出一定的余量。

1、选用可控硅的额定电流时,除了考虑通过元件的平均电流外,还应注意正常工作时导通角的大小、散热通风条件等因素。在工作中还应注意管壳温度不超过相应电流下的允许值。

2、使用可控硅之前,应该用万用表检查可控硅是否良好。发现有短路或断路现象时,应立即更换。

3、严禁用兆欧表(即摇表)检查元件的绝缘情况。

4、电流为5A以上的可控硅要装散热器,并且保证所规定的冷却条件。为保证散热器与可控硅管心接触良好,它们之间应涂上一薄层有机硅油或硅脂,以帮于良好的散热。

5、按规定对主电路中的可控硅采用过压及过流保护装置。

6、要防止可控硅控制极的正向过载和反向击穿。

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