企业商机
TVS基本参数
  • 品牌
  • 晶导微电子,意昇
  • 型号
  • 5.0SMDJ
  • 半导体材料
  • 芯片类型
  • 双极型,单极性
  • 封装形式
  • 贴片型,轴向引线型
  • 封装方式
  • 塑料封装
TVS企业商机

比较大箝拉电压VC和比较大峰值脉冲电流IPP当持续时间为20微秒的脉冲峰值电流IPP流过TVS时,在其两极间出现的比较大峰值电压为VC。它是串联电阻上和因温度系数两者电压上升的组合。VC、IPP反映TVS器件的浪涌抑制能力。VC与VBR之比称为箝位因子,一般在1.2~1.4之间。电容量C电容量C是TVS雪崩结截面决定的、在特定的1MHZ频率下测得的。C的大小与TVS的电流承受能力成正比,C过大将使信号衰减。因此,C是数据接口电路选用TVS的重要参数。。。。TVS的结电容与TVS的功率成正比,相同电压下功率越大,结电容也越大。湖北圆形TVS选型

根据PN结的材料、掺杂分布、几何结构和偏置条件的不同,利用其基本特性可以制造多种功能的晶体二极管。如利用PN结单向导电性可以制作整流二极管、检波二极管和开关二极管,利用击穿特性制作稳压二极管和雪崩二极管;利用高掺杂PN结隧道效应制作隧道二极管;利用结电容随外电压变化效应制作变容二极管。使半导体的光电效应与PN结相结合还可以制作多种光电器件。如利用前向偏置异质结的载流子注入与复合可以制造半导体激光二极管与半导体发光二极管;利用光辐射对PN结反向电流的调制作用可以制成光电探测器;利用光生伏***应可制成太阳电池。此外,利用两个PN结之间的相互作用可以产生放大,振荡等多种电子功能。PN结是构成双极型晶体管和场效应晶体管的**,是现代电子技术的基础。在二级管中广泛应用。山东80KATVS辉光电压TVS具有超快的响应速度,一般可达到皮秒级。

TVS的瞬态功率一般以8/20us或10/1000us的波形来衡量。8/20us是雷击浪涌的一种波形通常以内阻2欧姆的一个短路电流波形,上升前沿在8uS,峰值电流下降沿1/2处保持在20uS.即充电1KV输出500A的电流波形.现在较多的已经是组合波模式,即短路电流波形为8/20uS,开路电压波形为1.2/50uS..10/1000uS也是一种浪涌波形,以现在执行的标准是短路电流波形与开路电压波形都需要符合前沿时间10uS半值时间1000uS,内阻10欧姆.即充电1KV输出100A的电压及电流波形。

对于接口电路来说,为了保护我们的内部电路,都会在信号进入到电路板的连接器处增加TVS,而TVS是由二极管构成的,是二极管就会有结电容,结电容的大小会对信号造成一定的影响,特别是高速信号,而这里给出了建议的结电容大小,以使对信号的影响尽可能的降低,保证能正常的通信。以下对各接口的结电容建议:GPIO接口结电容<30pF,pushbutton<30pF,Audio<10pF,USB2.0<2.5pF,USB3.0<0.5pF,USB3.1 gen2<0.3pF,HDMI1.4<0.7pF,HDMI2.0<0.5pF,天线<0.2pF。200W功率的TVS产品一般采用SOD-123或SOD-123FL封装。

引发 TVS 短路的**典型的原因是管芯与内引线组件、底座铜片烧结不良,在烧结界面出现大面积空洞,空洞可能是由于焊料不均匀或粘结界面各层材料玷污、氧化使焊料沾润不良,造成烧焊时焊料与芯片或金属电极没有良好的熔合焊接引起的。空洞面积较大时,电流在烧结点附近汇聚,管芯散热困难,造成热电应力集中,产生局部热点,严重时引起热奔,使器件烧毁。对这些烧毁的器件。进行解剖分析,可以看到有芯片局部较深的熔融:空洞面积较小时,可加速焊料热疲劳,使焊料层会产生疲劳龟裂,引起器件热阻增大,**终导致器件。过热烧毁。1500W功率的TVS贴片一般采用SMC封装,插件一般采用DO-201封装。北京B32TVS防雷等级

在通信速率较高的电路中,要考虑TVS的结电容对电路是否有影响。湖北圆形TVS选型

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