企业商机
碳化硅衬底基本参数
  • 产地
  • 苏州
  • 品牌
  • 豪迈瑞
  • 型号
  • 4
  • 是否定制
碳化硅衬底企业商机

    下游市场需求强劲,碳化硅衬底市场迎来黄金成长期导电型碳化硅衬底方面,受益于新能源汽车逆变器的巨大需求,将保持高速增长态势,根据中国宽禁带功率半导体及应用产业联盟的数据显示,预计2020-2025年国内市场的需求,4英寸逐步从10万片市场减少到5万片,6英寸晶圆将从8万片增长到20万片;2025~2030年:4英寸晶圆将逐渐退出市场,6英寸晶圆将增长至40万片。半绝缘型碳化硅衬底方面,受下游5G基站强劲需求驱动,碳化硅基氮化镓高频射频器件将逐步加强市场渗透,市场空间广阔,预计2020-2025年国内市场的需求,4英寸逐步从5万片市场减少到2万片,6英寸晶圆将从5万片增长到10万片;2025~2030年:4英寸晶圆将逐渐退出市场,保守估计6英寸晶圆将增长至20万片。 碳化硅作衬底的LED器件亮度更高、能耗更低、寿命更长、单位芯片面积更小。河南碳化硅衬底进口n型

随着全球电子信息及太阳能光伏产业对硅晶片需求量的快速增长,硅晶片线切割用碳化硅微粉的需求量也正在迅速增加。以碳化硅(SiC)及GaN为**的宽禁带材料,是继Si和GaAs之后的第三代半导体。与Si及GaAs相比,SiC具有宽禁带、高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率、化学性能稳定等优点。所以,SiC特别适合于制造高温、高频、高功率、抗辐射、抗腐蚀的电子器件。此外,六方SiC与GaN晶格和热膨胀相匹配,也是制造高亮度GaN发光和激光二极管的理想衬底材料。SiC晶体目前主要应用于光电器件如蓝绿光发光二极管以及紫外光激光二极管和功率器件包括大功率肖托基二极管,MES晶体管微波器件等。苏州碳化硅衬底半绝缘SiC的机械强度、热学性能、抗腐蚀性、耐磨性等方面具有明显的优势且与IC工艺兼容。

    经过数十年不懈的努力,目前,全球只有少数的大学和研究机构研发出了碳化硅晶体生长和加工技术。在产业化方面,只有以美国Cree为**的少数几家能够提供碳化硅晶片,国内的碳化硅晶片的需求全赖于进口。目前,全球市场上碳化硅晶片价格昂贵,一片2英寸碳化硅晶片的国际市场价格高达500美元(2006年),但仍供不应求,高昂的原材料成本占碳化硅半导体器件价格的百分之四十以上,碳化硅晶片价格已成为第三代半导体产业发展的瓶颈。因而,采用技术的碳化硅晶体生长技术,实现规模化生产,降低碳化硅晶片生产成本,将促进第三代半导体产业的迅猛发展,拓展市场需求。

    降低碳化硅衬底的成本的三个方法:1)做大尺寸:衬底的尺寸越大,边缘的浪费就越小,有利于进一步降低芯片的成本。6英寸衬底面积为4英寸衬底的,相同的晶体制备时间内衬底面积的倍数提升带来衬底成本的大幅降低,与此同时,单片衬底上制备的芯片数量随着衬底尺寸增大而增多,单位芯片的成本也即随之降低。2)提高材料使用效率:由于技术限制,长晶时间很难缩短,而单位时间内长晶越厚成本越低,因此可以设法增加晶锭厚度;另一方面,目前的切割工艺很容易造成浪费,可以通过激光切割或其他技术手段减少切割损耗。3)提高良率:以山东天岳为例,碳化硅衬底产品良率逐年提升,综合良率由30%提升至38%,国内厂商良率情况普遍在40%左右,若能提升至60%-70%,碳化硅衬底生产成本将得到进一步下降。 苏州质量好的碳化硅衬底的公司。

从衬底的下游晶圆与器件来看,大量生产厂家仍然位于日本、欧洲与美国;但国内生产厂家在衬底领域已经拥有了一定的市场份额。根据Yole数据,在2020年半绝缘型碳化硅衬底市场中,贰陆公司(II-IV)、科锐公司(Cree)以及天岳先进依次占据甲的位置,市场份额分别为35%、33%和30%,市场高度集中。从资金来看,国内第三代半导体投资力度高企,力争追赶国际厂商。根据CASA披露的数据显示,2018年至今,国内厂商始终加强布局第三代半导体产业,2020年共有24笔投资扩产项目,增产投资金额超过694亿元,其中碳化硅领域共17笔、投资550亿元。碳化硅衬底的类别一般有哪些?碳化硅衬底4寸n型

SiC的热稳定性比较高。在常压下不会熔化。河南碳化硅衬底进口n型

    碳化硅之所以引人注目,是因为它是一种宽带隙技术。与传统的硅基器件相比,SiC的击穿场强是硅基器件的10倍,导热系数是硅基器件的3倍,非常适合于高压应用,如电源、太阳能逆变器、火车和风力涡轮机。在另一个应用中,碳化硅用于制造LED。比较大的增长机会是汽车,尤其是电动汽车。基于SiC的功率半导体用于电动汽车的车载充电装置,而该技术正在该系统的关键部件牵引逆变器中取得进展。牵引逆变器向电机提供牵引力以推进车辆。对于这种应用,特斯拉正在一些车型中使用碳化硅动力装置,而其他电动汽车制造商正在评估这项技术。”当人们讨论碳化硅功率器件时,汽车市场无疑是焦点。“丰田(Toyota)和特斯拉(Tesla)等先驱者的SiC活动给市场带来了很多兴奋和噪音。”SiCMOSFET在汽车市场上具有潜力。但也存在一些挑战,如成本、长期可靠性和模块设计。 河南碳化硅衬底进口n型

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