除了高导热率,TS - 1855 还具有出色的附着力。它对各种模具尺寸的金属化表面都能保持良好的粘附能力,在 260℃、14MPa 的条件下,其 DSS(Die Shear Strength,芯片剪切强度)表现优异。这意味着在高温和高压的工作环境下,TS - 1855 能够可靠地将电子元件与基板连接在一起,确保电子设备在复杂工况下的稳定运行 。在射频功率设备中,即使设备在高频振动和温度变化的环境中工作,TS - 1855 凭借其强大的附着力,依然能够保证芯片与基板之间的紧密连接,维持设备的正常运行。烧结银胶,适应恶劣环境散热。特种TANAKA田中销售电话

银胶的导电性是其实现电子元件电气连接的重要性能。在电子设备中,良好的导电性能够确保电流高效传输,降低电阻带来的能量损耗。例如,在集成电路中,银胶作为连接芯片与基板的材料,其导电性直接影响着信号的传输速度和稳定性。如果银胶的导电性不佳,会导致信号传输延迟、失真,甚至出现电路故障。不同银胶的导电性在实际应用中表现各异。高导热银胶虽然主要强调导热性能,但也需要具备一定的导电性,以满足电子元件的电气连接需求。半烧结银胶由于添加了有机树脂,其导电性可能会受到一定影响,但通过合理的配方设计和工艺控制,仍然能够保持较好的导电性能。烧结银胶以其高纯度的银连接层,具有优异的导电性,能够满足对电气性能要求极高的应用场景 。应用TANAKA田中哪里有卖的LED 照明行业,TS - 1855 助力。

烧结银胶是指通过高温烧结工艺,使银粉之间发生原子扩散和融合,形成致密的银连接层的材料。根据烧结工艺的不同,可分为无压烧结银胶和有压烧结银胶。无压烧结银胶在烧结过程中无需施加外部压力,工艺简单,成本较低,适用于大面积的电子封装,如 LED 照明灯具的基板与芯片连接。有压烧结银胶在烧结时需要施加一定的压力,能够使银粉之间的结合更加紧密,提高烧结体的致密度和性能,常用于对连接强度和性能要求极高的航空航天电子设备封装,如卫星通信模块的芯片封装 。
高导热银胶导热率在 10W - 80W/mK,满足一般电子设备散热需求,其导电性和可靠性也能满足常规电子元件的电气连接和稳定工作要求 。半烧结银胶导热率处于 80W - 200W/mK 之间,在具备较高导热性能的同时,对 EBO 进行了优化,如 TS - 9853G 半烧结银胶符合欧盟 PFAS 要求,为其在环保要求较高的市场应用提供了优势 。烧结银胶导热率可达 200W/mK 以上,具有高可靠性和在高温下的稳定性,像 TS - 985A - G6DG 高导热烧结银胶在航空航天等极端环境应用中表现优异 。烧结银胶,极端条件散热保障。

到了烧结后期,由于晶界滑移导致的颗粒聚合特别迅速,使得颗粒间的致密化程度进一步提高,较终形成致密的金属结构 。在一些烧结银体系中,可能会存在少量液相,例如在某些含添加剂的银膏烧结过程中,添加剂在加热时可能会形成液相,液相的存在有助于银原子的扩散,促进颗粒的重排和融合,加快烧结进程,使烧结体更加致密。不过,这种液相的量需要精确控制,以避免对烧结体性能产生不利影响。在电子封装中,烧结银胶通过烧结形成的高导热、高导电的银连接层,能够为芯片提供高效的散热和电气连接,确保电子设备在高温、高功率等恶劣条件下稳定运行 。TS - 9853G 银胶,符合欧盟 PFAS 要求。如何发展TANAKA田中常见问题
高导热银胶,优化电子设备性能。特种TANAKA田中销售电话
半烧结银胶则是在传统银胶和烧结银胶之间的一种创新材料。它结合了银胶的良好工艺性和烧结银胶的部分高性能特点,在保持一定粘接强度和导电性的同时,具有相对较高的导热率。这种材料在一些对散热要求较高,但又需要兼顾工艺复杂性和成本的应用场景中,展现出独特的优势。例如,在汽车电子中的功率模块封装,半烧结银胶既能满足其对散热和可靠性的要求,又能在一定程度上降低封装成本和工艺难度。它不仅能够实现电子元件之间的电气连接,还能有效地传递热量,对提高电子设备的稳定性和使用寿命起着关键作用。特种TANAKA田中销售电话