TS - 1855 作为目前市面上导热率比较高的导电银胶,其导热率高达 80W/mK,在众多银胶产品中脱颖而出。这一有效的导热性能使得它能够在电子封装中迅速将热量传递出去,有效降低电子元件的温度,从而提高电子设备的性能和稳定性 。在汽车功率半导体模块中,TS - 1855 能够快速将芯片产生的高热量传导至散热片,确保功率半导体在高负载运行时的温度始终处于安全范围内,避免因过热导致的性能下降和故障。除了高导热率,TS - 1855 还具有出色的附着力。它对各种模具尺寸的金属化表面都能保持良好的粘附能力,在 260℃、14MPa 的条件下,其 DSS(Die Shear Strength,芯片剪切强度)表现优异。TS - 9853G 优化 EBO,连接更可靠。常规的高导热银胶需求

烧结银胶的烧结原理是基于固态扩散机制和液态烧结辅助机制。在固态扩散机制中,当烧结温度升高到一定程度时,银原子获得足够的能量开始活跃,银粉颗粒之间通过原子的扩散作用逐渐形成连接。在烧结初期,银粉颗粒之间先是通过点接触开始形成烧结颈,随着原子不断扩散,颗粒间距离缩小,表面自由能降低,颈部逐渐长大变粗并形成晶界,晶界滑移带动晶粒生长 ,坯体中的颗粒重排,接触处产生键合,空隙变形、缩小。在烧结中期,颗粒和颗粒开始形成致密化连接,扩散机制包括表面扩散、表面晶格扩散、晶界扩散和晶界晶格扩散等,颗粒间的颈部继续长大,晶粒逐步长大并且颗粒之间的晶界逐渐形成连续网络,气孔相互孤立,并逐渐形成球形,位于晶粒界面处或晶粒结合点处。各国高导热银胶量大从优TS - 9853G 抗 EBO,连接稳固。

对于不同型号的银胶,其导热率对电子设备散热的影响也各不相同。以高导热银胶、半烧结银胶和烧结银胶为例,高导热银胶的导热率一般在 10W - 80W/mK 之间,适用于一般的电子设备散热需求,如普通的集成电路封装。半烧结银胶的导热率通常在 80W - 200W/mK 之间,在一些对散热要求较高,但又需要兼顾工艺和成本的应用中表现出色,如汽车电子的功率模块。烧结银胶的导热率则可达到 200W/mK 以上,主要应用于对散热性能要求极高的品牌电子设备,如航空航天领域的电子器件。
在特定领域的应用中,TS - 985A - G6DG 在汽车电子的功率模块封装中发挥着关键作用。随着新能源汽车的快速发展,汽车电子系统的功率密度不断提高,对散热材料的要求也越来越苛刻。在新能源汽车的逆变器功率模块中,TS - 985A - G6DG 用于芯片与基板之间的连接,其高导热性能能够迅速将芯片产生的大量热量导出,保证逆变器在高功率运行下的稳定性和可靠性。其出色的耐腐蚀性,能够抵御汽车发动机舱内复杂的化学环境和高温、高湿等恶劣条件,确保功率模块在汽车的整个使用寿命周期内都能正常工作。在航空航天领域,对于电子设备的可靠性和性能要求极高,TS - 985A - G6DG 凭借其优异的性能,也被应用于一些关键的电子部件封装中,为航空航天设备的稳定运行提供了可靠的保障 。TS - 1855 银胶,高效散热典范。

高导热银胶是一种以银粉为主要导电填料,有机树脂为基体,通过特定配方和工艺制备而成的具有高导热性能的胶粘剂。根据银粉的形态和粒径,可分为微米级银粉高导热银胶和纳米级银粉高导热银胶。微米级银粉高导热银胶具有成本较低、制备工艺相对简单的优点,广泛应用于对成本敏感的消费电子领域,如手机、平板电脑等的芯片封装。纳米级银粉高导热银胶由于银粉粒径小,比表面积大,与有机树脂的结合更加紧密,能够形成更高效的导热通路,导热性能更为优异,常用于对散热要求极高的品牌电子设备,如高性能服务器、人工智能芯片等的封装 。新能源汽车,TS - 1855 保障功率模块。针对不同温度高导热银胶产品介绍
高导热银胶,助力电子设备高效散热。常规的高导热银胶需求
除了高导热率,TS - 1855 还具有出色的附着力。它对各种模具尺寸的金属化表面都能保持良好的粘附能力,在 260℃、14MPa 的条件下,其 DSS(Die Shear Strength,芯片剪切强度)表现优异。这意味着在高温和高压的工作环境下,TS - 1855 能够可靠地将电子元件与基板连接在一起,确保电子设备在复杂工况下的稳定运行 。在射频功率设备中,即使设备在高频振动和温度变化的环境中工作,TS - 1855 凭借其强大的附着力,依然能够保证芯片与基板之间的紧密连接,维持设备的正常运行。常规的高导热银胶需求