IXYS艾赛斯MIEB101H1200EH

整流二极管模块是 Ixys 艾赛斯针对交流电转直流电场景开发的**器件，通过单路、双路或桥式整流结构，满足不同功率等级的整流需求。模块内部采用多芯片并联设计，配合优化的均流结构，确保大电流下各芯片电流分布均匀，避免局部过热。其正向电流承载能力从 50A 到 2000A 不等，反向耐压*高可达 6500V，且具备出色的浪涌电流耐受能力，能应对启动瞬间的电流冲击。在工业整流器、电镀电源、不间断电源（UPS）等设备中，该模块作为电能转换的前端**，为后续电路提供稳定的直流电源，保障系统可靠运行。Ixys艾赛斯可控硅模块的低触发电流特性，使得控制更加灵敏，能减少能源损耗，提高系统效率。IXYS艾赛斯MIEB101H1200EH

Ixys 艾赛斯雪崩二极管模块专为电路过压保护设计，利用二极管的雪崩击穿效应，在电路出现瞬时过压时快速导通，将过压能量泄放至地，保护后端器件免受损坏。模块采用强化的硅芯片结构与精确的掺杂工艺，实现了可控的雪崩击穿电压与稳定的击穿特性，击穿电压精度可控制在 ±5% 以内。其峰值脉冲功率耐受能力从数百瓦到数十千瓦不等，响应时间短至纳秒级，且具备重复雪崩工作能力。在电力电子系统的浪涌防护、IGBT 过压箝位等场景中，该模块能提供可靠的安全保障，降低系统因过压故障导致的停机风险。IXYS艾赛斯MIEB101H1200EH艾赛斯深耕功率半导体领域，致力于推动能源高效利用与绿色发展。

Ixys 艾赛斯作为功率半导体领域的**企业，其二极管模块延续了品牌在高效能、高可靠性上的技术基因，专为中高功率电力电子系统设计。不同于分立二极管，模块通过集成化封装将多颗二极管芯片组合，实现了更高的功率密度与更优的散热性能。**价值体现在对电能转换过程的精确调控 —— 无论是整流、续流还是箝位保护，都能凭借低正向压降、高反向耐压的特性降低能量损耗。从工业驱动到新能源发电，Ixys 二极管模块为各类系统提供了稳定的电流导向解决方案，是保障电力电子设备高效运行的关键器件。

Ixys 艾赛斯 IGBT 模块拥有极为丰富的产品系列，涵盖了***的电压和电流等级。电压方面，从标准的 0.6 - 1.2kV，到高电压的 1.2 - 1.7kV，甚至超高电压的 2.5 - 4kV，能够满足不同应用场景对耐压的需求。在电流等级上，集电极电流从 21A 到 200A 不等，脉冲集电极电流*高可达 1.5kA。这种多样化的电压与电流组合，无论是小型的电子设备，还是大型的工业装置，都能找到合适的 Ixys 艾赛斯 IGBT 模块，为各种电力电子系统的设计提供了极大的灵活性，确保系统在不同工况下都能稳定、高效运行。Ixys艾赛斯整流桥在开关电源中，其快速整流特性助力提升电源转换效率，减少能量损耗。

Ixys 艾赛斯碳化硅（SiC）MOS 管基于宽禁带半导体材料开发，彻底突破硅基器件的性能极限，具备耐高温（*高 225℃）、耐高压（可达 15kV）、低损耗的**优势。其导通电阻较同规格硅基 MOS 管降低 70%，开关速度提升 3 倍，且无反向恢复损耗，能适应极端高温与高频工况。采用专属的 SiC 芯片工艺与封装技术，解决了宽禁带材料的接触电阻与散热难题，封装形式涵盖 TO-247、MODULE 等。在新能源汽车主逆变器、光伏逆变器、航空航天电源等**场景中，SiC MOS 管可使系统效率突破 99%，体积缩小 40%，是未来高效电力电子系统的**方向。IXYS艾赛斯模块UPS系统中防反接，保障断电切换时电力连续。IXYS艾赛斯MIEB101H1200EH

Ixys艾赛斯场效应管采用先进沟槽工艺，导通电阻极低，能明显降低电路功率损耗。IXYS艾赛斯MIEB101H1200EH

不间断电源（UPS）在现代社会中至关重要，尤其是在数据中心、通信基站等对电力连续性要求极高的场所。Ixys 艾赛斯 IGBT 模块是 UPS 备用系统的**部件之一。当市电正常时，模块协助 UPS 对电池进行充电管理，确保电池处于良好状态；而当市电突然中断，模块能够迅速切换工作模式，将电池中的直流电转换为交流电，为负载提供持续稳定的电力供应。其快速的开关响应速度和高可靠性，保证了在市电中断的瞬间，负载设备不会因断电而受到损害，有效避免了数据丢失、通信中断等严重后果，保障了关键业务的连续性和稳定性。IXYS艾赛斯MIEB101H1200EH