晶圆运送机械吸臂基本参数
  • 产地
  • 深圳
  • 品牌
  • 德澳美
  • 型号
  • 齐全
  • 是否定制
晶圆运送机械吸臂企业商机

接下来是单晶硅生长,**常用的方法叫直拉法(CZ法)。如下图所示,高纯度的多晶硅放在石英坩埚中,并用外面围绕着的石墨加热器不断加热,温度维持在大约1400 ℃,炉中的气体通常是惰性气体,使多晶硅熔化,同时又不会产生不需要的化学反应。为了形成单晶硅,还需要控制晶体的方向:坩埚带着多晶硅熔化物在旋转,把一颗籽晶浸入其中,并且由拉制棒带着籽晶作反方向旋转,同时慢慢地、垂直地由硅熔化物中向上拉出。熔化的多晶硅会粘在籽晶的底端,按籽晶晶格排列的方向不断地生长上去。因此所生长的晶体的方向性是由籽晶所决定的,在其被拉出和冷却后就生长成了与籽晶内部晶格方向相同的单晶硅棒。注塑行业机械臂常称为注塑机机械手、塑料机机械手。本地晶圆运送机械吸臂价格

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本发明针对现有技术中的不足,提供了一种晶圆搬运机械手,本发明的机械手在传送过程中晶片中心始终保证直线运动,且角度不会发生改变。从而提高机械手整体刚度和承重能力,同时提高了重复定位精度。本发明结构合理性能稳定,维护方便,多功能集一身,可满足多种工艺设备要求,适用于各种半导体设备。


为了解决上述技术问题,本发明通过下述技术方案得以解决:一种晶圆搬运机械手,包括升降轴、旋转轴和伸展轴,其特征为,所述的伸展轴包括伸展电机、一级伸展臂、二级伸展臂和手指固定座,所述的一级伸展臂与所述伸展电机之间设置有一级关节,所述的一级伸展臂与所述的二级伸展臂之间设置有二级关节,所述的二级伸展臂和所述的手指固定座之间设置有三级关节,所述的伸展电机、所述的一级关节、所述的二级关节和所述的三级关节依次传动,所述的手指固定座始终保持直线运动。



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割抛光:

单晶棒将按适当的尺寸进行切割,然后进行研磨,将凹凸的切痕磨掉,再用化学机械抛光工艺使其至少一面光滑如镜,晶圆片制造就完成了。

二,晶圆制造步骤

晶圆镀膜:

通过物理或其他方式(如高温等)使晶圆上产生一层二氧化硅。二氧化硅为绝缘材料,但有杂质和特殊处理的二氧化硅有一定的导电性。二氧化硅在这里的作用是为了传导光。像是用二氧化硅做光导纤维是同一个道理。完成这步后就为后面光刻做好了准备。

光刻胶涂抹:

顾名思义,就是在晶圆表面覆盖上一层光刻胶,而对其技术要求是要做到平整和薄。

    区熔法分为两种:水平区熔法和立式悬浮区熔法。前者主要用于锗、GaAs等材料的提纯和单晶生长;后者主要用于硅。为什么有横着和竖着长的不同捏?这是由于硅的熔点高,化学性能活泼,容易受到异物的玷污,所以难以找到适合的器皿来盛方,自然水平区熔法不能用在硅的生长上啦。区熔法与直拉法比较大的不同之处在于:区熔法一般不使用坩锅,引入的杂质更少,生长的材料杂质含量也就更少。总而言之,单晶硅棒是圆柱形的,使用这种方法得到的单晶硅圆片自然也是圆形的了。就是下图这个样的——知道是两头的尖尖是如何造成的吗?Bingo,图左的尖尖是籽晶,图右的尖尖是晶棒长到***,从熔融态里出来后,由于复杂的流体力学原理,以及熔融态的硅迅速凝固而导致的。 而回转运动产生的误差是放大时的尺寸误差,当转角位置一定时,手臂伸出越长,其误差越大;

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图为单轴机械手臂。单轴机械手臂的组件化**降低了工业设计的成本.本地晶圆运送机械吸臂价格

进行光刻:

将设计好的电路掩模,置于光刻机的紫外射线下,然后再在它的下面放置Wafer,这一刻,Wafer上被光刻部分的光刻胶被融化掉,刻上了电路图。然后将光刻胶去除,光刻胶上的图案要与掩模上的图案一致,然后进行再次光刻。一般来说一个晶圆的电路要经过多次光刻。而随着技术革新,极紫光刻出现了,现阶段光刻的效率变得比以前更高,甚至于可以达到光刻一次完成。

注射:

在真空下,将导电材料注入晶圆的电路内部。其真空的标准比无菌室或ICU还要高出千万倍。 本地晶圆运送机械吸臂价格

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