纳米硅磨石地坪基本参数
  • 品牌
  • 奥林格灵
  • 型号
  • /
  • 类别
  • 耐高温防火地坪
  • 按溶剂类型分
  • 水性漆
纳米硅磨石地坪企业商机

    在各种利好政策的影响下,2014年至今我国新能汽车产业迎来了爆发性的增长,将带动上游锂离子电池及负极材料市场规模的大幅提升,而纳米硅碳负极材料高能量密度的特点将颇具竞争优势。便携式消费电子领域也将是纳米硅碳负极材料大规模应用的另一个重要领域。随着全球4G移动通讯技术、互联网、数字化娱乐便携设备应用的逐步普及,手机、笔记本电脑、平板电脑、游戏机、可穿戴式智能设备、移动电源等数码类电子产品领域的需求将保持持续增长,其中智能手机、平板电脑、可穿戴式智能设备及移动电源的市场前景为广阔。目前智能手机已成为锂离子电池比较大的应用领域。根据Gartner统计,2015年全球手机销量为19亿部,其中智能手机销量达到14亿部,较2014年增长。由于智能手机等也对锂离子电池的能量密度等提出了更高的要求,所以也将成为高比容量纳米硅碳负极材料的广阔市场。 天津本地纳米硅磨石地坪供应商家。广东节能纳米硅磨石地坪设备工程

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    环氧水磨石地坪适用范围会展中心、博物馆、图书馆、商场、酒店、娱乐场所等场所。环氧水磨石地坪产品特性1、可根据设计要求,配制成为理想的花色造型。2、它具有抗渗,光而不滑,易保洁。3、整体成型,脚感舒适。4、无放射性元素,绿色环保型产品。环氧水磨石地坪对素地的基本要求1、基础要有防水工程处理(水份低于4%)。用电子水分测试仪或1M×1M薄膜法测试。2、混凝土标号要达到C30以上,且表面修光平整,不能有空壳现象3、平整度检验标准是其表面水平用2米直靠尺检查时偏差≤2mm4、新施工的混凝土基面养护期30天以上5、旧地面无空鼓、无开裂、无脱落、无凹坑、无油;环氧水磨石地坪骨料采用组合骨料,即以天然骨料和人工骨料配合使用,美观、耐磨、耐用、安全、易清洁。 绍兴节能纳米硅磨石地坪怎么样品牌纳米硅磨石地坪设备工程。

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在中试放大方面,项目组于2014年6月与江西紫宸科技有限公司正式开展合作,并搭建了硅碳负极材料的中试生产线,开始进行公斤级的小批量生产。到2015底,已经可以生产批次稳定性较高的吨级碳包覆纳米硅材料。到2016年底,已经可以提供百公斤级的碳包覆氧化亚硅材料;目前,该中试线已经可以提供不同类型与规格的纳米硅碳负极材料,并且有很多新型工艺以及当前工艺的改进路线正在积极研发和试验中。同时,该中试线的规模也在不断扩大,预计到2017年底将实现不同种类的纳米硅碳负极材料吨级至百吨级生产。另外,项目组拥有多项纳米硅碳负极材料在国内的早期核心专利,具有一定的竞争优势

产品性能1.高纯纳米硅粉是黄色粉末的外观,具有无毒、无味、活性好的特点。2.纯度高、粒径小、分布均匀、比表面大、高表面活性、松装密度低。3.纳米硅粉是新一代的光电半导体材料,具有较宽的间隙能半导体,纳米晶活性强、烧结温度低、强韧性高、介电损耗强,也是高功率的光源材料4.作为锂电池负极材料纯度高、球形度高、分散性能好、电化学性好承载能力强、粒径小、分布均匀,比表面积大、高表面活性,松装密度低,活性好等特点优势。5.纳米硅粉在燃料电池里可替代纳米碳粉,降低了成本。6.在密封的干燥阴凉的环境下,不宜长时间的暴露在空气下,防止受潮而发生团聚,影响分散性能和使用效果,还要避免与氧化剂接触。纳米硅磨石地坪如何设计?

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常见硅碳负极材料分类目前比较常见的硅碳负极材料主要有以下几类:①碳包覆纳米硅(nano-Si@C);②氧化亚硅碳复合材料(SiO@C);③硅纳米线(Sinanowire/SS);④变氧型氧化亚硅碳复合材料(SiOx@C);⑤无定形硅合金(amorphousSiM)。碳包覆纳米硅是以纳米硅为原材料,表面包覆碳层的结构。其中硅材料的粒径为30~200nm,碳层多采用沥青高温碳化处理后形成的软碳。其单体容量一般为400~2000mA·h/g,成本较低,首效较高,但电池膨胀较大,长循环稳定性较差。纳米硅磨石地坪材料区别。嘉兴品牌纳米硅磨石地坪利润

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    纳米硅磨石地坪:通过改变富硅量、退火条件等,控制氧化硅中硅纳米晶的尺寸及密度。文献认为出现硅纳米晶的临界温度是1000oC,而我们通过试验确定出现纳米晶的临界退火温度为900oC。经900oC退火富硅量约为30%富硅氧化硅的高分辨电镜象。可以清楚硅纳米晶。(2)观察到Au/(Ge/SiO2)超晶格/p-Si结构的电致发光。四周期Ge/SiO2超晶格的高分辨电镜图。其中亮线为SiO2,厚度为,Ge层厚为。(3)在硅衬底上用磁控溅射技术生长了纳米SiO2/Si/SiO2双势垒(NDB)单势阱三明治结构,实现Au/NDB/p-Si结构的可见电致发光。发现电致发光的峰位、强度随纳米硅层厚度(W)的改变作同步振荡。进一步试验和分析证明,振荡周期等于1/2载流子的deBroglie波长。用我们组提出的电致发光模型作了解释。(4)在用磁控溅射生长的SiO2:Si:Er薄膜的基础上实现了波长为μm(光通讯窗口)的Er电致发光。(5)在热处理ITO/自然氧化硅/p-Si中获得低阈值电压的360nm的紫外电致发光,是已报道的短波长的硅基电致发光。 广东节能纳米硅磨石地坪设备工程

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