安徽激光干涉仪仪器

薄膜型半导体应变片

这种应变片是利用真空沉积技术将半导体材料沉积在带有绝缘层的试件上或蓝宝石上制成的。它通过改变真空沉积时衬底的温度来控制沉积层电阻率的高低，从而控制电阻温度系数和灵敏度系数。因而能制造出适于不同试件材料的温度自补偿薄膜应变片。薄膜型半导体应变片吸收了金属应变片和半导体应变片的优点，并避免了它的缺点，是一种较理想的应变片。

外延型半导体应变片

这种应变片是在多晶硅或蓝宝石的衬底上外延一层单晶硅而制成的。它的优点是取消了P-N结隔离，使工作温度大为提高(可达300℃以上)。 基于压电的定位器（顶部）只在x轴上移动（5 nm步长）。安徽激光干涉仪仪器

内光电效应：

当光照在物体上，使物体的电导率发生变化，或产生光生电动势的现象。分为光电导效应和光生伏特别的效果应（光伏效应）。

1 光电导效应在光线作用下，电子吸收光子能量从键合状态过度到自由状态，而引起材料电导率的变化。当光照射到光电导体上时，若这个光电导体为本征半导体材料，且光辐射能量又足够强，光电材料价带上的电子将被激发到导带上去，使光导体的电导率变大。基于这种效应的光电器件有光敏电阻。

2 光生伏特别的效果应“光生伏特别的效果应”，简称“光伏效应”。 深圳激光干涉仪表面粗糙度轴的直径为10毫米，以每分钟2160转（RPM）旋转。

用连续空间函数来运算的光的波动理论，在描述纯悴的光学现象时，已被证明是十分潜能的，似乎很难用任何别的理论来替换。可是，不应当忘记，光学观测都同时间平均值有关，而不是同瞬时值有关，而且尽管衍射、反射、折射、色散等等理论完全为实验所证实，但仍可以设想，当人们把用连续空间函数进行运算的光的理论应用到光的产生和转化的现象上去时，这个理论会导致和经验相矛盾。关于黑体辐射，光致发光、紫外光产生阴极射线，以及其他一些有关光的产生和转化的现象的观察，如果用光的能量在空间中不是连续分布的这种假说来解释．似乎就更好理解。按照这里所设想的假设，从点光源发射出来的光束的能量在传播中不是连续分布在越来越大的空间之中，而是由个数有限的、局限在空间各点的能量子所组成，这些能量子能够运动，但不能再分割，而只能整个地被吸收或产生出来。

干涉仪技术参数：5D/6D标准型：1.线性：0.5ppm.2.测量范围：40米（1D可选80米）3.线性分辨力：0.001um.4.偏摆角和俯仰角的精度：（1.0+0.1/m）角秒或1%显示较大值5.比较大范围：800角秒6.滚动角精度：1.0角秒7.直线度精度：（1.0+0.2/m）um或1%显示较大值8.直线度比较大范围：500um9.垂直度精度：1角秒10.温度精度：0.2摄氏度11.湿度精度：5%12.压力精度：1mmHg

从激光器发出的光束，经扩束准直后由分光镜分为两路，并分别从固定反射镜和可动反射镜反射回来会合在分光镜上而产生干涉条纹。 膨胀计：热膨胀和磁致伸缩测量。

扩散型半导体应变片

这种应变片是将 P型杂质扩散到一个高电阻N型硅基底上，形成一层极薄的P型导电层，然后用超声波或热压焊法焊接引线而制成（图2）。它的优点是稳定性好，机械滞后和蠕变小，电阻温度系数也比一般体型半导体应变片小一个数量级。缺点是由于存在P-N结，当温度升高时，绝缘电阻大为下降。半导体应变片是将单晶硅锭切片、研磨、腐蚀压焊引线，结尾粘贴在锌酚醛树脂或聚酰亚胺的衬底上制成的。是一种利用半导体单晶硅的压阻效应制成的一种敏感元件。新型固态压阻式传感器中的敏感元件硅梁和硅杯等就是用扩散法制成的。 实时通讯接口：HSSL，AquadB和Sin / Cos。广东激光干涉仪位移

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检验周期规定

A.控制盘和配电盘仪表的定期检验应与该仪表所连接的主要设备的大修日期一致，不应延误。但主要设备主要线路的仪表应每年检验一次，其它盘的仪表每四年至少检验一次；

B.对运行中设备的控制盘仪表的指示发生疑问时，可用标准仪表在其工作点上用比较法进行核对；

C.可携式仪表(包括台表)的检验，每年至少一次，常用的仪表每半年至少一次。经两次以上检验，证明质量好的仪表，可以延长检验期一倍。D.万用电表、钳形表每四年至少检验一次。兆欧表和接地电阻测定器每二年至少检验一次，但用于高压电路使用的钳形表和作吸收比用的兆欧表每年至少检验一次。 安徽激光干涉仪仪器