测量激光干涉仪高精度测量

引力波测量干涉仪也可以用于引力波探测(Saulson,1994)。激光干涉仪引力波探测器的概念是前苏联科学家Gertsenshtein和Pustovoit在1962年提出的（Gertsenshtein和Pustovoit 1962。1969年美国科学家Weiss和Forward则分别在1969年即于麻省理工和休斯实验室建造初步的试验系统（Weiss 1972）。截止jin ri，激光干涉仪引力波探测器已经发展了40余年。目前LIGO激光干涉仪实验宣称shou ci直接测量到了引力波 (LIGO collaboration 2016)。LIGO可以认为是两路光线的干涉仪，而另外一类引力波探测实验， 脉冲星测时阵列则可认为是多路光线干涉仪（Hellings和Downs,1983）。样品和细胞的扩张/收缩 长度相对变化（ΔL）。测量激光干涉仪高精度测量

利用干涉原理测量光程之差从而测定有关物理量的光学仪器。两束相干光间光程差的任何变化会非常灵敏地导致干涉条纹的移动，而某一束相干光的光程变化是由它所通过的几何干涉仪路程或介质折射率的变化引起，所以通过干涉条纹的移动变化可测量几何长度或折射率的微小改变量，从而测得与此有关的其他物理量。测量精度决定于测量光程差的精度，干涉条纹每移动一个条纹间距，光程差就改变一个波长（～10-7米）。所以干涉仪是以光波波长为单位测量光程差的，其测量精度之高是任何其他测量方法所无法比拟的。珠海激光干涉仪多层厚度规定电动机的振动小于100nm。

半导体应变片:用于车辆等机械量测量的元件.半导体应变片是将单晶硅锭切片、研磨、腐蚀压焊引线，结尾粘贴在锌酚醛树脂或聚酰亚胺的衬底上制成的。是一种利用半导体单晶硅的压阻效应制成的一种敏感元件。利用半导体单晶硅的压阻效应制成的一种敏感元件，又称半导体应变片。压阻效应是半导体晶体材料在某一方向受力产生变形时材料的电阻率发生变化的现象（见压阻式传感器）。半导体应变片需要粘贴在试件上测量试件应变或粘贴在弹性敏感元件上间接地感受被测外力。

频率影响

1 当频率自额定值偏离±10%(但对相位表和功率因数表为±2%，对单相无功功率表为±5%)时，由此所引起的仪表指示值的改变应不超过表7 中的规定值。如果在仪表上注明额定频率范围，则在此范围内的任一频率下，仪表的基本误差都应不超过规定值。如果在仪表上除注明额定频率外，还注明有扩大的频率范围时，则在此范围内的任一频率下，仪表的基本误差应不超过表7 中规定值的两倍。仪表辅助电路的电源，当其频率自额定值偏离±2%时，由此引起的仪表指示值的改变，应不超过表7 规定值的一半。

2 检验频率的影响时，应遵守有关规定(对频率的规定除外)，且应除去变差影响。试验是在标度尺的几何中心附近和上量限附近的两点分度线上进行。相位表在额定电流下进行，功率表在额定功率因数下进行。 当干扰信号不敏感时，调制信号的幅度对位移敏感。

“光伏效应”。指光照使不均匀半导体或半导体与金属结合的不同部位之间产生电位差的现象。它首先是由光子（光波）转化为电子、光能量转化为电能量的过程；其次，是形成电压过程。有了电压，就像筑高了大坝，如果两者之间连通，就会形成电流的回路。光伏发电，其基本原理就是“光伏效应”。太阳能**的任务就是要完成制造电压的工作。因为要制造电压，所以完成光电转化的太阳能电池是阳光发电的关键。简单来说就是在光作用下能使物体产生一定方向电动势的现象。基于该效应的器件有光电池和光敏二极管、三极管。振动分析有助于检测共振频率。非接触激光干涉仪深度测量

在环境条件下悬臂的共振频率，不施加压电致动器的任何振荡。测量激光干涉仪高精度测量

1、一次线圈串联在电路中，并且匝数很少，因此，一次线圈中的电流完全取决于被测电路的负荷电流．而与二次电流无关；2、电流互感器二次线圈所接仪表和继电器的电流线圈阻抗都很小，所以正常情况下，电流互感器在近于短路状态下运行。电流互感器一、二次额定电流之比，称为电流互感器的额定互感比：kn=I1n/I2n因为一次线圈额定电流I1n己标准化，二次线圈额定电流I2n统一为5（1或0.5）安，所以电流互感器额定互感比亦已标准化。kn还可以近似地表示为互感器一、二次线圈的匝数比，即kn≈kN=N1/N2式中N1.N2为一、二线圈的匝数。测量激光干涉仪高精度测量