CMOS图像传感器基本参数
  • 品牌
  • 索尼SONY
  • 型号
  • AR0300CM1C12SHAAO
CMOS图像传感器企业商机

    ICX639BKA是一种内线固态图像传感器,专为PAL彩色摄像机与对角线6毫米(类型1/3)系统设计。相较于传统产品ICX409AK,ICX639BKA在灵敏度方面有了显著提高,为用户提供更优良的图像采集体验。这款芯片采用了现场周期读出系统和电子快门,同时具备可变电荷存储时间的特点。这意味着它能够实现更准确的图像采集和更灵活的曝光控制,使得用户能够在不同光线条件下获得清晰、准确的图像。ICX639BKA适用于监控摄像头等应用,其高灵敏度和先进的图像采集技术使其成为监控领域的理想选择。无论是在低光环境下还是高光环境下,该传感器都能够提供出色的图像质量,满足监控摄像头对于细节捕捉和图像清晰度的要求。CMOS图像传感器具有宽动态范围,能够处理明暗对比强烈的场景。ICX245AL CMOS图像传感器

ICX245AL CMOS图像传感器,CMOS图像传感器

IMX459,它是一种图像传感器。该传感器采用了SPAD(Single-PhotonAvalancheDiode)技术,具有高灵敏度和快速响应的特点。SPAD单元尺寸为10.08μmx10.08μm(水平x垂直)。SPAD是一种特殊的光电二极管,能够在单个光子的作用下产生电荷放大效应,从而实现对光信号的高灵敏度探测。该传感器的单元尺寸以ToF(TimeofFlight)像素单位表示,为3x3(水平x垂直)。ToF技术是一种通过测量光信号的飞行时间来实现深度感知的方法。通过将多个SPAD单元组合在一起,可以实现对场景深度信息的获取。光子探测效率是指传感器对光子的探测能力,对于IMX459传感器来说,光子探测效率为24%。这意味着传感器能够有效地捕捉到大约24%的入射光子,从而提高图像的质量和细节。响应速度是指传感器从接收到光信号到产生相应输出的时间。对于IMX459传感器来说,响应速度约为6ns。这意味着传感器能够快速地响应光信号的变化,从而实现高速图像捕捉和处理。ICXAA9AKCMOS图像传感器代理商桑尼威尔的CMOS图像传感器在低光照条件下表现出色,具有良好的夜视功能。

ICX245AL CMOS图像传感器,CMOS图像传感器

KAI-02050图像传感器是2百万像素2/3英寸的CCD光学格式。

参数典型值结构:InterlineCCD,逐行扫描;

总像素数:1684(H)×1264(V);

有效像素数:1640(H)×1240(V);

活动像素:1600(H)×1200(V);

像素大小:5.5μm(H)×5.5μm(V);

活动图像大小:8.8mm(H)×6.6mm(V),11.0mm(对角线),2/3”光学格式;

纵横比:4:3;

输出数量:1、2或4;

电荷容量:20000个电子;

输出灵敏度:34V/e;

-量子效率:

Mono(-ABA):44%;

R,G,B(-FBA):29%,37%,39%;

R,G,B(-CBA):31%,37%,38%;

    OV13850其灵活的图像处理功能也使其在工业视觉、医疗影像和安防监控等领域得到广泛应用,满足了对图像质量和实时性要求较高的场景需求。除此之外,OV13850还具有低功耗、高稳定性和可靠性的特点,使其在各种环境下都能表现出色。用户可以根据具体需求对图像质量和输出数据进行灵活调整,从而实现更佳的图像采集效果总之,OV13850作为一款高性能的图像传感器,为用户提供了强大的图像采集和处理能力,满足了各种应用场景下对图像质量和性能的需求。同时,CMOS图像传感器还支持高清视频拍摄,满足多种需求。

ICX245AL CMOS图像传感器,CMOS图像传感器

传感器采用堆栈式结构,背照式SPAD像素芯片(上)和搭载测距处理电路的逻辑芯片(下)之间通过Cu-Cu连接实现各个像素的导通。这样的结构允许将电路放置在像素芯片底部,保持高开口率*6,同时实现10平方微米的小像素尺寸。传感器还采用表面不规则的光入射面来折射入射光,从而提高吸收率。这些特点使汽车激光雷达光源常用的905纳米波长达到24%的光子探测效率。例如,可以实现以高分辨率和距离分辨率探测到反射率低的远处物体。此外,电路部分包含一个有源充电电路,由Cu-Cu连接各个像素,令单个光子在正常工作时的响应速度达到约6纳秒*7。桑尼威尔的CMOS图像传感器具有高性价比,为客户降低成本。ICX222ALCMOS图像传感器芯片

在安全监控领域,CMOS图像传感器高灵敏度和低光性能受到了高度评价。ICX245AL CMOS图像传感器

KAI-02050图像传感器具有一系列突出的特性,使其成为一款优良的图像采集解决方案。

读取噪音:(f=40mhz)12e?rms;

电流光电二极管/VCCD:7/100e?/s;

暗电流倍增温度光电二极管/VCCD:7℃/9℃;

动态范围:64dB;

电荷转移效率:0.999999;

盛开的抑制:比:300X;

涂片:-100分贝;

图像滞后:<10个电子;

**大像素时钟速度:40mhz;

**大帧速率四/双/单输出:68/34/18fps;

封装:68针PGA/64针CLCC;

;盖板玻璃:AR镀膜,双面或透明玻璃;

;注:除特别说明外,所有参数均在T=40℃下指定。 ICX245AL CMOS图像传感器

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