门极关断晶闸管的检测1)判别各电极：门极关断晶闸管三个电极的判别方法与普通晶闸管相同，即用万用表的R×100档，找出具有二极管特性的两个电极，其中一次为低阻值(几百欧姆)，另一次阻值较大。在阻值小的那一次测量中，红表笔接的是阴极K，黑表笔接的是门极G，剩下的一只引脚即为阳极A。触发能力和关断能力的检测：可关断晶闸管触发能力的检测方法与普通晶闸管相同。检测门极关断晶闸管的关断能力时，可先按检测触发能力的方法使晶闸管处于导通状态，即用万用表R×1档，黑表笔接阳极A，红表笔接阴极K，测得电阻值为无穷大。再将A极与门极G短路，给G极加上正向触发信号时，晶闸管被触发导通，其A、K极间电阻值由无穷大变为低阻状态。断开A极与G极的短路点后，晶闸管维持低阻导通状态，说明其触发能力正常。再在晶闸管的门极G与阳极A之间加上反向触发信号，若此时A极与K极间电阻值由低阻值变为无穷大，则说明晶闸管的关断能力正常，图7是关断能力的检测示意图。也可以电路来检测门极关断晶闸管的触发能力和关断能力。电路中，EL为6．3V指示灯(小电珠)，S为转换开关，VT为被测晶闸管。当开关S关断时，晶闸管不导通，指示灯不亮。将开关S的K1触点接通时。 硅材料的禁带宽度较大，导热性能良好，适于制作大功率整流器件。逆导可控硅订制
固态继电器（过零触发电路）MOC3061实物图：电路如图3所示，图中MOC3061为光电耦合双向可控硅驱动器，也属于光电耦合器的一种，用来驱动双向可控硅BCR并且起到隔离的作用，R6为触发限流电阻，R7为BCR门极电阻，防止误触发，提高抗干扰能力。当单片机80C51的，MOC3061导通，触发BCR导通，接通交流负载。另外，若双向可控硅接感**流负载时，由于电源电压超前负载电流一个相位角，因此，当负载电流为零时，电源电压为反向电压，加上感性负载自感电动势el作用，使得双向可控硅承受的电压值远远超过电源电压。虽然双向可控硅反向导通，但容易击穿，故必须使双向可控硅能承受这种反向电压。一般在双向可控硅两极间并联一个RC阻容吸收电路，实现双向可控硅过电压保护，图3中的C2、R8为RC阻容吸收电路。样鉴别测试可控硅的好坏？鉴别可控硅三个极分别是什么？具体的方法和步骤如下：鉴别可控硅三个极的方法很简单，根据P-N结的原理，只要用万用表测量一下三个极之间的电阻值就可以。阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上，阳极和控制极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上（它们之间有两个P-N结，而且方向相反，因此阳极和控制极正反向都不通）。散热可控硅生产加工可控硅触发板**部件采用国外生产的高性能、高可靠性的**级可控硅触发**集成电路。
当T1与T2之间接通电源后，给G极正向触发信号（相对于T1、T2所接电源负极而言），其工作原理如前面单向可控硅完全相同。当G极接负触发信号时，其工作过原理如图4所示，此时Q3的基极B和发射极E处于正偏电压而致使Q3导通，继而Q1导通给电容C充电后致Q2导通并保持导通状态。双向可控硅的英文简称TRIC是英文TriadACsemiconductorswitch的缩写，其意思是三端交流半导体开关，目前主要用于对交流电源的控制，主要特点表现在能在四个象限来使可控硅触发导通和保持导通，直到所接电源撤出或反向[6][7]。***象限是T2接电源V的正极T1接电源V的负极，G触发信号Vg的正。第二象限是T2接电源V的正极T1接电源V的负极，G触发信号Vg的负。第三、四象限是T1接电源V的正极T2接电源V的负极，G触发信号分别接Vg的正、负极。2类双向可控硅电路设计在理解了前面所述双向可控硅的内部结构和工作原理之后，依据其内部结构采用我们熟悉的晶体管来设计一种类似有双向可控硅工作的双向可触发电路。如图5所示，电路采用用7个三极管和几个电阻组成。把图5电路中PN结的结构按图6所示结构图描出，与图3-a、b比较很是相似。在图5所示电路中，内部电流在外界所接电源的极性不同而有两种流向。
摘要：为了深入了解双向可控硅内部电路和工作原理，以运用简便易懂的三极管为主，依据双向可控硅内部P型半导体和N型半导体的分布，设计一种可以被双向触发导通的电路。并从理论上来对其进行论述，通过实际电路制作对其进行了验证，在实际运用方面达到与双向可控硅具有同样的效果。0引言双向可控硅（TRIAC）在控制交流电源控制领域的运用非常***，如我们的日光灯调光电路、交流电机转速控制电路等都主要是利用双向可控硅可以双向触发导通的特点来控制交流供电电源的导通相位角，从而达到控制供电电流的大小[1]。然而对其工作原理和结构的描述，以我们可以查悉的资料都只是很浅显地提及，大部分都是对它的外围电路的应用和工作方式、参数的选择等等做了比较多的描述，更进一步的--哪怕是内部方框电路--内容也很难找到。由于可控硅所有的电子部件是集成在同一硅源之上，我们根本是不可能通过采用类似机械的拆卸手段来观察其内部结构。为了深入了解和运用可控硅，依据现有可查资料所给P型和N型半导体的分布图，采用分离元器件--三极管、电阻和电容--来设计一款电路，使该电路在PN的连接、分布和履行的功能上完全与双向可控硅类似。 可控硅调整器具有软启动功能，减少对电网的冲击干扰，使主电路更加安全可靠。
稳压二极管的负极连接电阻R4的另一端、光耦OC的脚4、NPN三极管T1的集电极、单结晶体管T2的发射极b2、单向可控硅SCR1的A极、单向可控硅SCR2的K极以及电源输出端1，所述光耦OC的脚1连接输入控制端的正极，光耦OC的脚2经由电阻R5连接输入控制端的负极，光耦OC的脚3连接NPN三极管T1的基极，NPN三极管T1的发射极连接电阻R6的一端，电阻R6的另一端连接电容C4的另一端以及单结晶体管T2的发射极b1，单结晶体管T2的发射极b1连接变压器B1的输入端1，变压器B1的输入端2连接变压器B2输入端1，变压器B1的输出端1连接电源输出端1，变压器B2的输出端2连接电源输出端2，所述单向可控硅SCR1的G极连接变压器B2的输出端1，所述单向可控硅SCR2的G极连接变压器B1的输出端2，所述单向可控硅SCR1的A极和K极分别连接电源输出端1和电源输出端2，所述单向可控硅SCR2的A极和K极分别连接电源输出端2和电源输出端1。作为推荐，所述电源输出端1和电源输出端2分别连接电容C的一端和电阻R的一端，电容C的另一端和电阻R的另一端连接。本实用新型与现有技术相比，具有以下优点和效果：单向可控硅分别通过**的光耦进行隔离，提高了单向可控硅的耐受性能，实现负载电压从零伏到电网全电压的无级可调。盐浴炉、工频感应炉、淬火炉、熔融玻璃的温度加热控制。散热可控硅生产加工
调整器具有恒电压、恒电流、恒功率三种反馈形式供用户选择。逆导可控硅订制
应用同样方法改测其他电极，直到找出三个电极为止。也可以测任两脚之间的正、反向电阻，若正、反向电阻均接近无穷大，则两极即为阳极A和阴极K，而另一脚即为门极G。普通晶闸管也可以根据其封装形式来判断出各电极。例如：螺栓形普通晶闸管的螺栓一端为阳极A，较细的引线端为门极G，较粗的引线端为阴极K。平板形普通晶闸管的引出线端为门极G，平面端为阳极A，另一端为阴极K。金属壳封装(T0—3)的普通晶闸管，其外壳为阳极A。塑封(T0—220)的普通晶闸管的中间引脚为阳极A，且多与自带散热片相连。图1为几种普通晶闸管的引脚排列。(2)判断其好坏：用万用表R×1kΩ档测量普通晶闸管阳极A与阴极K之间的正、反向电阻，正常时均应为无穷大(∞)；若测得A、K之间的正、反向电阻值为零或阻值均较小，则说明晶闸管内部击穿短路或漏电。测量门极G与阴极K之间的正、反向电阻值，正常时应有类似二极管的正、反向电阻值(实际测量结果要较普通二极管的正、反向电阻值小一些)，即正向电阻值较小(小于2kΩ)，反向电阻值较**于80kΩ)。若两次测量的电阻值均很大或均很小，则说明该晶闸管G、K极之间开路或短路。若正、反电阻值均相等或接近，则说明该晶闸管已失效。逆导可控硅订制
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