江西封装可控硅

可控硅是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN 结的四层结构的大功率半导体器件，一般由两晶闸管反向连接而成。它的功能不仅是整流，还可以用作无触点开关的快速接通或切断；实现将直流电变成交流电的逆变；将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电等等。可控硅和其它半导体器件一样，有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点。它的出现，使半导体技术从弱电领域进入了强电领域，成为工业、农业、交通运输、***科研以至商业、民用电器等方面争相采用的元件。目前可控硅在自动控制、机电应用、工业电气及家电等方面都有***的应用。调整器具有软起动、软关断功能，减少对电网的冲击和干扰，使主回路晶闸管更加安全可靠。江西封装可控硅

    若在晶闸管被触发导通后断开G极，T2、T1极间不能维持低阻导通状态而阻值变为无穷大，则说明该双向晶闸管性能不良或已经损坏。若给G极加上正(或负)极性触发信号后，晶闸管仍不导通(T1与T2间的正、反向电阻值仍为无穷大)，则说明该晶闸管已损坏，无触发导通能力。对于工作电流在8A以上的中、大功率双向晶闸管，在测量其触发能力时，可先在万用表的某支表笔上串接1～3节1．5V干电池，然后再用R×1档按上述方法测量。对于耐压为400V以上的双向晶闸管，也可以用220V交流电压来测试其触发能力及性能好坏。图6是双向晶闸管的测试电路。电路中，FL为60W／220V白炽灯泡，VT为被测双向晶闸管，R为100Ω限流电阻，S为按钮。将电源插头接入市电后，双向晶闸管处于截止状态，灯泡不亮(若此时灯泡正常发光，则说明被测晶闸管的T1、T2极之间已击穿短路；若灯泡微亮，则说明被测晶闸管漏电损坏)。按动一下按钮S，为晶闸管的门极G提供触发电压信号，正常时晶闸管应立即被触发导通，灯泡正常发光。若灯泡不能发光，则说明被测晶闸管内部开路损坏。若按动按钮s时灯泡点亮，松手后灯泡又熄灭，则表明被测晶闸管的触发性能不良。浙江通用可控硅 可控硅调整器能与国内外各种控制仪表、微机的输出信号直接接口。

工作原理

本控制器输出触发脉冲必须同时具备两个条件，分别是：控制输入有效和可控硅两端电压为零，两个条件缺其中任何一个都不能输出触发脉冲。控制信号有效的较早周波检测过零，过零条件满足即输出触发脉冲，在以后的控制信号有效的时间段内持续输出触发脉冲。

性能特点

高可靠的可控硅电压过零触发，三相**控制，脉冲隔离输出，安全可靠。

有自同步功能，免去传统可控硅电路认定同步和相序的麻烦，使用与调试方便。

适用于阻性负载、感性负载、容性负载等类型。

一体化结构，接线简单，互换性好。

驱动能力强，每路可以输出600毫安的电流，6V触发电压,可以驱动4000A可控硅。

工作可靠,有非常强的抗干扰能力，适用性强，耐压高。

    P3电位器调整。调整范围*电压限制：板内P1电位器或外接10KΩ电位器调整。调整范围0~****电流限制（选件）：内置电流变换器，外接10KΩ电位器调整。调整范围20%~****过流报警（选件）：内置电流变换器，板内P2电位器调整。调整范围***~150%*散热器超温保护:75℃温度开关，常闭接点动作时间：<10ms*起动/停止开关:外接开关*调功/调压切换(选件):外接开关*工作环境:温度范围：-30~+50℃湿度范围：90%RH比较大无结露海拔高度2000m以下存储温度：-30~+60℃其它要求：通风良好，不受日光直射或热辐射，无腐蚀性、可燃性气体*安装形式和要求:壁挂式，垂直安装绝缘电阻:模块输出端与外壳，500VDC；**小控制板电源端与外壳，500VDC；控制输入端与外壳，500VDC；控制板输入端与电源端，500VDC*介电强度：模块输出端与外壳之间，2000VAC1分钟；控制电源端与外壳之间，2000VAC1分钟单相电力调整器是移相型闭环电力控制器，其**部件采用国外生产的高性能、高可靠性的**级可控硅触发**集成电路。输出触发脉冲具有极高的对称性及稳定性，且不随环境温度变化，使用中不需要对脉冲对称度及限位进行调整。现场调试一般不需要示波器即可完成。晶闸管也用于各级铁路机车系统中，以实现牵引马达的微调。

    正是由于它将电子管与功率晶体管之优点集于一身，因此在电压放大器（电压放大倍数可达数千倍）、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。VMOS场效应功率管具有极高的输入阻抗及较大的线性放大区等优点，尤其是其具有负的电流温度系数，即在栅-源电压不变的情况下，导通电流会随管温升高而减小，故不存在由于“二次击穿”现象所引起的管子损坏现象。因此，VMOS管的并联得到广泛应用。众所周知，传统的MOS场效应管的栅极、源极和漏极**致处于同一水平面的芯片上，其工作电流基本上是沿水平方向流动。VMOS管则不同，从图1上可以看出其两大结构特点:***，金属栅极采用V型槽结构；第二，具有垂直导电性。由于漏极是从芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流动，而是自重掺杂N+区（源极S）出发，经过P沟道流入轻掺杂N-漂移区，***垂直向下到达漏极D。电流方向如图中箭头所示，因为流通截面积增大，所以能通过大电流。由于在栅极与芯片之间有二氧化硅绝缘层，因此它仍属于绝缘栅型MOS场效应管。国内生产VMOS场效应管的主要厂家有877厂、天津半导体器件四厂、杭州电子管厂等，典型产品有VN401、VN672、VMPT2等。下面介绍检测VMOS管的方法。隔离开关应能同时提供满足负载的电流和蓄电池的再充电电流，并能承受较大的短路电流。浙江通用可控硅

因为贮存时间ts过长，电路的振荡频率将下降，整机的工作电流增大易导致三极管的损坏。江西封装可控硅

    此时表内电压较高。当用手接触栅极Ｇ时，会发现管的反向电阻值有明显地变化，其变化越大，说明管的跨导值越高；如果被测管的跨导很小，用此法测时，反向阻值变化不大。二、.场效应管的使用注意事项（1）为了安全使用场效应管，在线路的设计中不能超过管的耗散功率，比较大漏源电压、比较大栅源电压和比较大电流等参数的极限值。（2）各类型场效应管在使用时，都要严格按要求的偏置接人电路中，要遵守场效应管偏置的极性。如结型场效应管栅源漏之间是ＰＮ结，Ｎ沟道管栅极不能加正偏压；Ｐ沟道管栅极不能加负偏压，等等。（3）MOS场效应管由于输人阻抗极高，所以在运输、贮藏中必须将引出脚短路，要用金属屏蔽包装，以防止外来感应电势将栅极击穿。尤其要注意，不能将MOS场效应管放人塑料盒子内，保存时比较好放在金属盒内，同时也要注意管的防潮。（4）为了防止场效应管栅极感应击穿，要求一切测试仪器、工作台、电烙铁、线路本身都必须有良好的接地；管脚在焊接时，先焊源极；在连入电路之前，管的全部引线端保持互相短接状态，焊接完后才把短接材料去掉；从元器件架上取下管时，应以适当的方式确保人体接地如采用接地环等；当然，如果能采用先进的气热型电烙铁。江西封装可控硅

上海凯月电子科技有限公司是一家从事电子科技领域内的技术开发，技术服务，技术咨询，电子元器件，电子系统设备，计算机，软件及辅助设备（除计算机信息系统安全**产品），电子元器件，可控硅半导体模块，电子数码产品，通信设备及相关产品，通讯器材销售。的公司，致力于发展为创新务实、诚实可信的企业。上海凯月电子科技深耕行业多年，始终以客户的需求为向导，为客户提供***的可控硅触发板，电力调整器，SCR调功器，SCR整流器。上海凯月电子科技继续坚定不移地走高质量发展道路，既要实现基本面稳定增长，又要聚焦关键领域，实现转型再突破。上海凯月电子科技始终关注电子元器件市场，以敏锐的市场洞察力，实现与客户的成长共赢。