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可控硅基本参数
  • 产地
  • 上海
  • 品牌
  • 凯月
  • 型号
  • KY
  • 是否定制
可控硅企业商机

   门极关断晶闸管的检测1)判别各电极:门极关断晶闸管三个电极的判别方法与普通晶闸管相同,即用万用表的R×100档,找出具有二极管特性的两个电极,其中一次为低阻值(几百欧姆),另一次阻值较大。在阻值小的那一次测量中,红表笔接的是阴极K,黑表笔接的是门极G,剩下的一只引脚即为阳极A。触发能力和关断能力的检测:可关断晶闸管触发能力的检测方法与普通晶闸管相同。检测门极关断晶闸管的关断能力时,可先按检测触发能力的方法使晶闸管处于导通状态,即用万用表R×1档,黑表笔接阳极A,红表笔接阴极K,测得电阻值为无穷大。再将A极与门极G短路,给G极加上正向触发信号时,晶闸管被触发导通,其A、K极间电阻值由无穷大变为低阻状态。断开A极与G极的短路点后,晶闸管维持低阻导通状态,说明其触发能力正常。再在晶闸管的门极G与阳极A之间加上反向触发信号,若此时A极与K极间电阻值由低阻值变为无穷大,则说明晶闸管的关断能力正常,图7是关断能力的检测示意图。也可以电路来检测门极关断晶闸管的触发能力和关断能力。电路中,EL为6.3V指示灯(小电珠),S为转换开关,VT为被测晶闸管。当开关S关断时,晶闸管不导通,指示灯不亮。将开关S的K1触点接通时。 整流器可以由真空管,引燃管,固态矽半导体二极管,汞弧等制成。供应双向可控硅代理

    应当G-S极间短路一下。这是因为G-S结电容上会充有少量电荷,建立起VGS电压,造成再进行测量时表针可能不动,只有将G-S极间电荷短路放掉才行。(4)用测电阻法判别无标志的场效应管首先用测量电阻的方法找出两个有电阻值的管脚,也就是源极S和漏极D,余下两个脚为第.一栅极G1和第二栅极G2。把先用两表笔测的源极S与漏极D之间的电阻值记下来,对调表笔再测量一次,把其测得电阻值记下来,两次测得阻值较大的一次,黑表笔所接的电极为漏极D;红表笔所接的为源极S。用这种方法判别出来的S、D极,还可以用估测其管的放大能力的方法进行验证,即放大能力大的黑表笔所接的是D极;红表笔所接地是8极,两种方法检测结果均应一样。当确定了漏极D、源极S的位置后,按D、S的对应位置装人电路,一般G1、G2也会依次对准位置,这就确定了两个栅极G1、G2的位置,从而就确定了D、S、G1、G2管脚的顺序。(5)用测反向电阻值的变化判断跨导的大小对VMOSN沟道增强型场效应管测量跨导性能时,可用红表笔接源极S、黑表笔接漏极D,这就相当于在源、漏极之间加了一个反向电压。此时栅极是开路的,管的反向电阻值是很不稳定的。将万用表的欧姆档选在R×10kΩ的高阻档。供应双向可控硅代理盐浴炉、工频感应炉、淬火炉、熔融玻璃的温度加热控制。

    本实用新型涉及一种单相交流固态调压器。背景技术:单相交流固态调压器是集同步变压器、相位检测电路、移相触发电路和输出可控硅于一体,当改变控制电压的大小,就可改变输出可控硅的触发相角,即实现单相交流电的调压。根据输出可控硅器件不同分一只双向可控硅的普通型,两只单向可控硅反并联的增强型和一只单向可控硅的半波型等三类。按单相交流负载的额定电压分220V和380V两类。主要用于工业电炉、电热烘箱、灯光照明、变压器原边初级调压、风机水泵、力矩电机等设备中进行调温、调光、调压、调速的控制。现有的单相交流固态调压器自由调节输出负载的能力较差,无法满足电气化设备的发展需求。技术实现要素:本实用新型的目的在于克服现有技术中存在的上述不足,而提供一种结构设计合理,自由调节输出负载的能力较好的单相交流固态调压器。本实用新型解决上述问题所采用的技术方案是:一种单相交流固态调压器,其特征在于:其电路结构如下:整流桥的其中两个脚连接交流电源的两端,整流桥的其余两脚分别连接电阻R4的一端和稳压二极管的正极,稳压二极管的正极连接电容C4的一端和变压器B2输入端2。

    1.判定栅极G将万用表拨至R×1k档分别测量三个管脚之间的电阻。若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无穷大,并且交换表笔后仍为无穷大,则证明此脚为G极,因为它和另外两个管脚是绝缘的。2.判定源极S、漏极D由图1可见,在源-漏之间有一个PN结,因此根据PN结正、反向电阻存在差异,可识别S极与D极。用交换表笔法测两次电阻,其中电阻值较低(一般为几千欧至十几千欧)的一次为正向电阻,此时黑表笔的是S极,红表笔接D极。3.测量漏-源通态电阻RDS(on)将G-S极短路,选择万用表的R×1档,黑表笔接S极,红表笔接D极,阻值应为几欧至十几欧。由于测试条件不同,测出的RDS(on)值比手册中给出的典型值要高一些。例如用500型万用表R×1档实测一只IRFPC50型VMOS管,RDS(on)=,大于(典型值)。4.检查跨导将万用表置于R×1k(或R×100)档,红表笔接S极,黑表笔接D极,手持螺丝刀去碰触栅极,表针应有明显偏转,偏转愈大,管子的跨导愈高。注意事项:(1)VMOS管亦分N沟道管与P沟道管,但绝大多数产品属于N沟道管。对于P沟道管,测量时应交换表笔的位置。(2)有少数VMOS管在G-S之间并有保护二极管,本检测方法中的1、2项不再适用。(3)目前市场上还有一种VMOS管功率模块。整流变压器、调功机(纯电感线圈)、电炉变压器一次侧、升磁/退磁调节、直流电机控制。

    散热系统采用高.效散热器、低噪音风机。整机带有控制板所有的功能。该电力调整器与带0-5V、4-20mA的智能PID调节器或PLC配套使用;主要用与工业电炉的加热控制。一.技术规格*功率元件:进口单向反并联可控硅(晶闸管)模块*负载电源:单相220、380VAC±10%50HZ*电流容量:25A50A、100A150A200A250A350AAC*控制板电源与功耗:220或380VAC±10%50HZ通用,功耗:2W比较大*风扇电源(根据型号配备):电压:220VAC电流:A以下*控制输入:4~20mADC输入,接收阻抗120Ω;(默认输入信号)0~5VDC输入,输入电阻>20KΩ(定货时需说明)0~10VDC输入,输入电阻>20KΩ(订货声明)*LED状态显示LED名称功能状态颜色现象含义STATE三色状态指示状态1绿色正常运行(有输出)状态2红绿交替闪烁散热器超温报警(无输出)状态3黄色闪烁待机状态4黄色闪烁三次后变绿自检通过IN绿色输入指示状态1绿色亮控制信号大于0状态2绿色灭控制信号为0*控制方式:调相控制:连续调压;调功控制:阻性过零调功*调节输出分辨率:调相°;调功10ms*移相范围:0~180°;*驱动输出:可变宽度脉冲:8°~120°触发可控硅模块:驱动电流300mA*手动方式:外接10KΩ电位器调整*软启动软关断时间:相角控制时。 可控硅调整器能与国内外各种控制仪表、微机的输出信号直接接口。多路可控硅经销

硅材料的禁带宽度较大,导热性能良好,适于制作大功率整流器件。供应双向可控硅代理

    可控整流电路的作用是把交流电变换为电压值可以调节的直流电。图20-1所示为单相半控桥式整流实验电路。主电路由负载RL(灯炮)和晶闸管T1组成,触发电路为单结晶体管T2及一些阻容元件构成的阻容移相桥触发电路。改变晶闸管T1的导通角,便可调节主电路的可控输出整流电压(或电流)的数值,这点可由灯炮负载的亮度变化看出。晶闸管导通角的大小决定于触发脉冲的频率f,由公式图1单相半控桥式整流实验电路可知,当单结晶体管的分压比η(一般在~)及电容C值固定时,则频率f大小由R决定,因此,通过调节电位器Rw,使可以改变触发脉冲频率,主电路的输出电压也,从而达到可控调压的目的。用万用电表的电阻档(或用数字万用表二极管档)可以对单结晶体管和晶闸管进行简易测试。图2为单结晶体管BT33管脚排列、结构图及电路符号。好的单结晶体管PN结正向电阻REB1、REB2均较小,且REB1稍大于REB2,PN结的反向电阻RB1E、RB2E均应很大,根据所测阻值,即可判断出各管脚及管子的质量优劣。图2单结晶体管BT33管脚排列、结构图及电路符号图3为晶闸管3CT3A管脚排列、结构图及电路符号。晶闸管阳极(A)—阴极(K)及阳极(A)—门极(G)之间的正、反向电阻RAK、RKA、RAG、RGA均应很大。供应双向可控硅代理

上海凯月电子科技有限公司是一家从事电子科技领域内的技术开发,技术服务,技术咨询,电子元器件,电子系统设备,计算机,软件及辅助设备(除计算机信息系统安全专用产品),电子元器件,可控硅半导体模块,电子数码产品,通信设备及相关产品,通讯器材销售。的公司,是一家集研发、设计、生产和销售为一体的专业化公司。上海凯月电子科技深耕行业多年,始终以客户的需求为向导,为客户提供高品质的可控硅触发板,电力调整器,SCR调功器,SCR整流器。上海凯月电子科技继续坚定不移地走高质量发展道路,既要实现基本面稳定增长,又要聚焦关键领域,实现转型再突破。上海凯月电子科技创始人李丹,始终关注客户,创新科技,竭诚为客户提供良好的服务。

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